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同步整流buck-boost波形求救~

用單片機(jī)產(chǎn)生兩路互補(bǔ)的PWM波，通過驅(qū)動(dòng)芯片UCC27324，再加上驅(qū)動(dòng)變壓器以及外圍的電路，加到MOS管的gs兩端。在主電路沒有加輸入的時(shí)候，兩管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)正常。但是主電路加電后，下管的MOS管的驅(qū)動(dòng)波形就會(huì)出現(xiàn)尖峰，并會(huì)隨著輸入電壓的升高而加大。導(dǎo)致輸入電壓不能加得太高，一旦過高，就會(huì)燒MOS管。MOS管的型號(hào)是STS7NF60L.

麻煩大神們幫我看看，糾結(jié)了1周，還沒有解決。我要做的是反相BUCK-BOOST級(jí)聯(lián)，現(xiàn)在第一級(jí)都沒調(diào)通，哭。。。女生好無力

有問題

全部回復(fù)(23)
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liu_yaer
LV.6
2
2015-08-26 17:56
贊，美女
0
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Vicky1023
LV.2
3
2015-08-26 20:53
@liu_yaer
贊，美女
求救~~不要贊啊
0
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hi_man
LV.1
4
2015-08-26 22:12
@Vicky1023
求救~~不要贊啊[圖片]
來個(gè)原理圖，好分析
0
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2015-08-27 10:17
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/
0
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ww112
LV.1
6
2015-08-27 11:58
上管的開通的瞬間會(huì)讓下管的DS的電壓瞬間到輸入的直流電壓，驅(qū)動(dòng)電阻多大。
0
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H_K_T
LV.3
7
2015-08-27 12:10
貌似是彌勒電容惹的禍，試試用小寄生電容的MOS管，減小柵極驅(qū)動(dòng)電阻，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，看圖在200nS一格都能看出明顯的上升下降沿，說明驅(qū)動(dòng)還是不夠強(qiáng)，盡量讓上升下降沿在100nS以內(nèi)，50nS左右最好不過了，多試試。
0
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Vicky1023
LV.2
8
2015-09-02 11:00
@ww112
上管的開通的瞬間會(huì)讓下管的DS的電壓瞬間到輸入的直流電壓，驅(qū)動(dòng)電阻多大。
原邊驅(qū)動(dòng)電阻10R，副邊3.3R。
0
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Vicky1023
LV.2
9
2015-09-02 11:01
@H_K_T
貌似是彌勒電容惹的禍，試試用小寄生電容的MOS管，減小柵極驅(qū)動(dòng)電阻，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，看圖在200nS一格都能看出明顯的上升下降沿，說明驅(qū)動(dòng)還是不夠強(qiáng)，盡量讓上升下降沿在100nS以內(nèi)，50nS左右最好不過了，多試試。
gs間的電阻是10k，驅(qū)動(dòng)變壓器室兩股并行繞了45圈，夠嗎？
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Vicky1023
LV.2
10
2015-09-02 11:07
@hi_man
來個(gè)原理圖，好分析

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2015-09-02 12:56
@Vicky1023
gs間的電阻是10k，驅(qū)動(dòng)變壓器室兩股并行繞了45圈，夠嗎？

看波形，好像是Q1打開的時(shí)候影響的，你多掛幾個(gè)波形去找找。

是不是Q1打開了，有電流之后其他的元件或者地什么的被影響了。

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Vicky1023
LV.2
12
2015-09-02 13:11
@417zhouge
看波形，好像是Q1打開的時(shí)候影響的，你多掛幾個(gè)波形去找找。是不是Q1打開了，有電流之后其他的元件或者地什么的被影響了。
好的，我再看看。我再問下，這個(gè)小尖峰的時(shí)間會(huì)導(dǎo)致兩管共通？現(xiàn)在是兩個(gè)管子都會(huì)燒掉。謝謝
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2015-09-02 14:00
@Vicky1023
好的，我再看看。我再問下，這個(gè)小尖峰的時(shí)間會(huì)導(dǎo)致兩管共通？現(xiàn)在是兩個(gè)管子都會(huì)燒掉。謝謝

Q1打開時(shí)，Q3的小尖峰應(yīng)該差不多3V了（示波器探頭比例沒有調(diào)對(duì)），Q3會(huì)開始導(dǎo)通，先進(jìn)入放大區(qū)，

如果按你說的電壓越高，那小尖峰應(yīng)該也越高，Q3的損耗就等于I*U。溫度上升很快，之后就燒死了。

Q3燒死后變成了短路，Q1導(dǎo)通的時(shí)候相當(dāng)于直接把電源短路了。然后Q1也死了。

GS之間的電子10K改為1K試試，測(cè)試下波形，如果是干擾造成的，1K電阻基本就沒有那么高的波形了。

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Vicky1023
LV.2
14
2015-09-02 20:39
@417zhouge
Q1打開時(shí)，Q3的小尖峰應(yīng)該差不多3V了（示波器探頭比例沒有調(diào)對(duì)），Q3會(huì)開始導(dǎo)通，先進(jìn)入放大區(qū)，如果按你說的電壓越高，那小尖峰應(yīng)該也越高，Q3的損耗就等于I*U。溫度上升很快，之后就燒死了。Q3燒死后變成了短路，Q1導(dǎo)通的時(shí)候相當(dāng)于直接把電源短路了。然后Q1也死了。GS之間的電子10K改為1K試試，測(cè)試下波形，如果是干擾造成的，1K電阻基本就沒有那么高的波形了。
謝謝詳細(xì)的解答，讓我對(duì)電路更加地理解。我想請(qǐng)問驅(qū)動(dòng)變壓器一般是繞多少圈為宜？我繞了兩種，一種是雙股并行45圈，另一種是雙股并行78圈。發(fā)現(xiàn)78圈的效果不如45圈的。
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2015-09-02 21:33
@Vicky1023
謝謝詳細(xì)的解答，讓我對(duì)電路更加地理解。我想請(qǐng)問驅(qū)動(dòng)變壓器一般是繞多少圈為宜？我繞了兩種，一種是雙股并行45圈，另一種是雙股并行78圈。發(fā)現(xiàn)78圈的效果不如45圈的。
客氣了。 驅(qū)動(dòng)變壓器繞多少匝合適，我也說不清楚， 《變壓器設(shè)計(jì)手冊(cè)》第三版，里面有驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)的詳細(xì)講解， 如果不差錢的話可以買現(xiàn)成的用，有很多公司都有驅(qū)動(dòng)變壓器的產(chǎn)品，對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流，隔離電壓等參數(shù)的。 論壇里面好像有帖子講這個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器的東西。
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Vicky1023
LV.2
16
2015-09-03 16:37
@417zhouge
Q1打開時(shí)，Q3的小尖峰應(yīng)該差不多3V了（示波器探頭比例沒有調(diào)對(duì)），Q3會(huì)開始導(dǎo)通，先進(jìn)入放大區(qū)，如果按你說的電壓越高，那小尖峰應(yīng)該也越高，Q3的損耗就等于I*U。溫度上升很快，之后就燒死了。Q3燒死后變成了短路，Q1導(dǎo)通的時(shí)候相當(dāng)于直接把電源短路了。然后Q1也死了。GS之間的電子10K改為1K試試，測(cè)試下波形，如果是干擾造成的，1K電阻基本就沒有那么高的波形了。
Q3的gs之間的電阻改成1k后，電壓就能上去了現(xiàn)在輸入加到20V，請(qǐng)問這是什么原因啊？之前看網(wǎng)上的帖子說那是穩(wěn)態(tài)電阻，防止誤觸發(fā)，一般是10k，所以從不改變它。謝謝。
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2015-09-03 16:47
@Vicky1023
Q3的gs之間的電阻改成1k后，電壓就能上去了現(xiàn)在輸入加到20V，請(qǐng)問這是什么原因??？之前看網(wǎng)上的帖子說那是穩(wěn)態(tài)電阻，防止誤觸發(fā)，一般是10k，所以從不改變它。謝謝。[圖片]
3V電壓，10k對(duì)應(yīng)0.3mA電流，反過來推理，如果有0.3mA電流干擾，1k的電阻就只有0.3V，mosfet不導(dǎo)通.一般加上10k是因?yàn)镸OSFET的GS之間有電容，沒有放電的情況下就不確定是否會(huì)直通，更容易受干擾?！毒ㄩ_關(guān)電源設(shè)計(jì)》那個(gè)書里面有講，但是不確定你的電路里面這個(gè)小波形是被主電流干擾還是地線上的干擾，只能自己去查了？
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Vicky1023
LV.2
18
2015-09-03 18:10
@417zhouge
3V電壓，10k對(duì)應(yīng)0.3mA電流，反過來推理，如果有0.3mA電流干擾，1k的電阻就只有0.3V，mosfet不導(dǎo)通.一般加上10k是因?yàn)镸OSFET的GS之間有電容，沒有放電的情況下就不確定是否會(huì)直通，更容易受干擾?！毒ㄩ_關(guān)電源設(shè)計(jì)》那個(gè)書里面有講，但是不確定你的電路里面這個(gè)小波形是被主電流干擾還是地線上的干擾，只能自己去查了？
現(xiàn)在小尖峰的電壓幅值維持在2V左右，基本不變。但是Q1如果也換成1k，波形在主電路上電的時(shí)候就很差。真是超耐心的解答，我問得都不好意思了~超級(jí)感謝
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2015-09-03 21:03
@Vicky1023
現(xiàn)在小尖峰的電壓幅值維持在2V左右，基本不變。但是Q1如果也換成1k，波形在主電路上電的時(shí)候就很差。真是超耐心的解答，我問得都不好意思了~超級(jí)感謝
EE25不知道是什么，2個(gè)單獨(dú)的電感，變壓器？ 單片機(jī)發(fā)波的話，MOSFET就一個(gè)一個(gè)上電，看看波形是想要的波形不。 一個(gè)一個(gè)都對(duì)了，再繼續(xù)全上電。說實(shí)話，電路圖我沒有看懂，不好意思啊。
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Vicky1023
LV.2
20
2015-09-04 14:56
@417zhouge
EE25不知道是什么，2個(gè)單獨(dú)的電感，變壓器？單片機(jī)發(fā)波的話，MOSFET就一個(gè)一個(gè)上電，看看波形是想要的波形不。一個(gè)一個(gè)都對(duì)了，再繼續(xù)全上電。說實(shí)話，電路圖我沒有看懂，不好意思啊。
EE25是電感的位置，把兩個(gè)電感進(jìn)行耦合?，F(xiàn)在兩個(gè)mos管的ds尖峰很大。原理通了。大致的波形也是對(duì)的。細(xì)節(jié)處不完美。
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2015-09-04 14:58
@Vicky1023
EE25是電感的位置，把兩個(gè)電感進(jìn)行耦合?，F(xiàn)在兩個(gè)mos管的ds尖峰很大。原理通了。大致的波形也是對(duì)的。細(xì)節(jié)處不完美。
MOSFET上的D極串入一個(gè)小磁珠消除尖峰，K5A,K5C的材質(zhì)的。電子市場(chǎng)賣磁芯的地方應(yīng)該有賣的。
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2015-09-04 21:17
@417zhouge
MOSFET上的D極串入一個(gè)小磁珠消除尖峰，K5A,K5C的材質(zhì)的。電子市場(chǎng)賣磁芯的地方應(yīng)該有賣的。
MOSFET的DS之間增加RC吸收。10R+100pF試試。
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2015-12-23 20:19
擦。。  我竟然看的是你的帖子。。。。 
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Vicky1023
LV.2
24
2016-01-23 20:45
@強(qiáng)壯的電線桿
擦。。 我竟然看的是你的帖子。。。。 
哈哈哈哈哈
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