最近總有一個問題想不明白，反激電源，原邊電感和匝數(shù)一定的情況下，增加副邊匝數(shù)，會對電源有什么影響？
我現(xiàn)在想到的只有會導(dǎo)致后級整流二極管承受的反向電壓增大。
最近測試遇到一個情況，為了適應(yīng)低電壓輸入，將副邊匝數(shù)增加一倍，結(jié)果導(dǎo)致整體功率有所下降。原來在100V輸入時，功率約14W；改變匝數(shù)后，相同輸入電壓，功率下降到10W，觀察開關(guān)節(jié)點波形，發(fā)現(xiàn)占空比有所下降。
小弟菜鳥，請各位大神指點一二。
反激是的計算 NP/NS = (VP*Ton) / ((VS+VF)*(1-Ton)
此時你可以發(fā)現(xiàn)Ton的週期是可以開到非常大, 但是一般在設(shè)計上因為考慮到變壓器的厲磁與mosfet所承受的
電流硬力, 會把它設(shè)計在約50%左右...
又考慮到儲存電容於交流時的整流漣波與動態(tài)穩(wěn)定度, 所以在低壓段一般都會取45%左右, 以保證其容餘量不超過50% 但是這樣的設(shè)計會有幾種狀況 :
1). 副邊二極體電壓高度可下降, 高度一但下降則可以使用耐壓越低的二極體, 但是二極體耐壓下降其VF可降低, 但 是IR值是升高的, 因為二極體的導(dǎo)通時間變大了, 若VF的影響較大, 則IR的損失是可以彌補的..
2). 變壓器的厲磁變大, 但是其耦合會變好, 藕合變好其效率會高,但因為導(dǎo)通時間變大, 其銅損與磁損會變大, 假設(shè)藕合效率提升遠(yuǎn)大於磁損與銅損, 則兩者可以不考慮......
3). 原邊反饋電壓變高, 由於圈比拉大, 所以從副邊在oFF時所疊加於原邊mosfet電壓變高, 造成MOSFET的交換損
失變大, 假如選用的MOSFET規(guī)格較好, 耐壓高且RDSon 較低,Qg也快Ciss也小, 則可以忽略其交換損失...
以上三點就是我們設(shè)計上所謂的"熱轉(zhuǎn)移" ........
而當(dāng)你把副邊圈數(shù)加大, 表示圈比很接近, 此時二極體耐壓要變高, 相對IR是下降, 但VF是上升的, 所以可以在二極體的ID VS VF 曲線尋找適合的二極體, 那有標(biāo)示流過多大電流時其VF值, 取值好, 相對效率也會高..
變壓器由於導(dǎo)通時間變短, 厲磁變小, 理論上可以增加感量, 以提升其偶合係數(shù), 這樣能量轉(zhuǎn)移才會好, 效率也可以
拉高..
MOSFET 因為反饋電壓降低, 可以在耐壓上做選擇, 例如原耐壓需650V, 你可以降為600V, 則這樣的規(guī)格RDSon 可以很低, 相對Qg與Ciss值也可以變小, 而MOSFET 因為電流硬力變小, 相對交換損失也會變小.....
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若你只是單純改變副邊圈數(shù)而其他都沒有修改, 那效率差是一定的.........
dI/dT=V/L, 如果匝數(shù)多了一倍，電感量L加到原先的4倍，輸出電壓V不變的話電流變化率將變成原先的四分子一，放電時間要增加到原先的4倍。
反激變壓器因為要照顧開關(guān)管的耐壓，次級伏匝數(shù)不與初級一樣但不可偏差太多。通常用反射電壓加Vmax和尖峰電壓后，要比開關(guān)管耐壓小50V以上。然后用反射電壓與輸出電壓算匝比。意思就是用反射電壓算這個所謂的伏匝數(shù)。