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謝謝，那也就是書中講的MKS單位制的如下方程描述是不夠的準(zhǔn)確的，分子應(yīng)該是E*t*10^-6（伏秒數(shù)）,或者說公式t的單位應(yīng)該是秒（Et書中定義為伏微秒，說明這里公式引用的有問題，分子應(yīng)該是MKS單位制的伏秒數(shù)），然后到了CGS單位制又把Et引用成伏微秒數(shù)[圖片]

樓主找到答案沒

冠坤也不錯

什么芯片，上原理圖看看?？蛰d半載滿載有些芯片工作頻率是變的，你同步測下這里的和主MOS波形應(yīng)該有關(guān)系

有點像MOS管的波形，應(yīng)該適合主MOS開關(guān)波形同步的

triac調(diào)光嗎？還是0-10V或PWM原理圖放全點，CY1接法貌似有問題，只見過初級高-->次級地，初級地-->次級地，沒見過初級地-->次級高30M-50M多是由于MOS管高速開關(guān)引起的，建議從如下幾個地方試試：1.改變變壓器繞法，采用三明治繞法，從內(nèi)到外，NP1-->NA-->NS-->銅箔0.9T屏蔽接地-->NP2，或者再加外屏蔽接地2.RCD吸收部分，R阻值小一點，二極管換個FR107或者換個慢管試試，MOS管換個型號也許有意想不到的效果3.看了下，DS電容已經(jīng)加到101/1KV了，實在不行稍微再大一點點，畢竟這里對30-50M是有奇效的,但是代價也很高總之，這個頻段，要從變壓器、MOS管、RCD這塊下手多想想辦法，多調(diào)調(diào)吧，祝你好運

是的，謝謝修提醒

工作溫度要求不高的話，可以

TVS管，顧名思義：TransientVoltageSuppressorDiode，主要用于surge測試和ESD嘍，選型有問題吧，如下供參考首先要對TVS管特性和參數(shù)有一定了解。  Vc、Ipp反映了TVS器件的浪涌抑制能力。當(dāng)TVS承受額定的瞬時峰值脈沖電流Ipp時，可能在器件上的瞬時最大電壓值即最大箝位電壓為Vc。此時，如果脈沖時間為規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)值，則TVS的最大峰值脈沖功率為：Ppp=Vc*Ipp。因此在選用TVS前，最好對線路中產(chǎn)生的脈沖類型有大致的了解，是單脈沖，還是復(fù)脈沖，脈沖的上升時間，脈寬，峰值等，以便確定Vc，Ipp，PM。VC不能大于被保護回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損傷的危險。   VRWM應(yīng)等于或略高于電路的正常工作電壓，確保TVS的接入不會影響到正常的工作。在交流線路，則需要根據(jù)正常工作電壓的squar（2）（即1.414）倍，也就是峰值來確定。  VBR不能小于電路的最大允許工作電壓。否則TVS進入雪崩，漏電流增大，影響電路工作。如果作為IO腳保護，需要認真研究Cj和insertloss，會改變信號的相位和強度，可能造成工作不穩(wěn)定。另外，還有雙向的TVS管，雙向的參數(shù)同樣適用。

次級短路怎么180v以下可以工作，像是變壓器設(shè)計有問題，先確認下變壓器設(shè)計是否合理吧，不然前面調(diào)的再多沒用，變壓器一改，全部重調(diào)