已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/

這是屬於自激式正激同步, 無法在反激上面用...

原理是: 

當(dāng)PWM_mos ON, 則原邊起點(diǎn)為負(fù), 副邊起點(diǎn)一樣為負(fù), Q2的接法內(nèi)部二極體為順向, 所以S得到一個(gè)"負(fù)" , 則 G 端透過C17藕荷經(jīng)R15,R16分壓

提供MOS一個(gè)VGS, 此時(shí)MOSFET導(dǎo)通將二極體短路, 而能量提供輸出並儲(chǔ)存於L2

當(dāng)PWM_MOS OFF時(shí), 原邊起點(diǎn)為正, 副邊起點(diǎn)也為正, 此時(shí)Q2_VGS電壓相反, 且被D4箝位在-0.7V, Q2關(guān)閉, 此時(shí)L2 極性反轉(zhuǎn) 先透過D2續(xù)流

此時(shí)Q1_G得到一個(gè)正壓, 使Q1導(dǎo)通短路續(xù)流二極體, 如此循環(huán)得到同步效果, 因?yàn)檎髋c續(xù)流最終都以MOSFET為主.......

反激的自驅(qū)同步整流，參考http://www.21ic.com/app/power/201112/100268_2.htm

這種電路只適合於單一電壓, 全電壓或高漏感場(chǎng)合MOSFET很容易掛, 別害人....

以下

以前有專利的反激同步, 現(xiàn)在可以自由用...

原理:

把整流路徑穿越CT, 當(dāng)能量釋放(原邊MOS Off) 時(shí), MOSFET內(nèi)部二極體開始有電流, 在同一路徑上CT感應(yīng)一個(gè)電壓

讓NPN導(dǎo)通, 輔助電壓提供NPN電源, 讓整流MOSFET導(dǎo)通短路二極體, 當(dāng)能量釋放完, 無電流導(dǎo)通, 則極性反轉(zhuǎn)

將PNP導(dǎo)通並短路MOSFET G_S, Mosfet關(guān)閉, 輔助電壓約12V就夠了...

這種電流型偵測(cè)法可以滿足全電壓操作與高漏感場(chǎng)合..

但是這是以前, 現(xiàn)在同步IC已經(jīng)很便宜了, 且CT較貴(雖然只有環(huán)形8mm以內(nèi)), 所以這種電路已經(jīng)沒人在使用了....

謝謝，很詳細(xì)！