可控硅被擊穿可能的是,過流或過壓,
把串聯(lián)的33uH變大一點(diǎn),100uH試試,
這樣電感的內(nèi)阻也會(huì)變大一些.

還有一個(gè)方法:

可控硅去掉,473移到可控硅的位置;
DB3和電阻等全部不要了,還省成本.

改為100uH后,觸發(fā)不夠快哦.
還是就是不要可控硅怎么搞呢?這個(gè)是用在電感式鎮(zhèn)流器上的.
或者有什么好的可控硅,可以推薦一下啊.我覺得現(xiàn)在用的可控硅品質(zhì)不怎么好.
謝謝!

也想用一個(gè)雙向擊穿二極管放電的方案來做.現(xiàn)還沒有買到合適的管子.可以推薦一種管子嗎?

K1V24

改為100uH后,
觸發(fā)不在于快不快,
在于觸發(fā)能量.

可控硅關(guān)閉時(shí)會(huì)產(chǎn)生高壓,引起擊穿.
可以加RC緩沖.
philips有用IGBT.

不用觸發(fā),
用方波邊沿諧振也可以的.

謝謝

貼上幾個(gè)觸發(fā)電路給大家看下,學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)啊

K2401F1

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/63/1321491205390934.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

觸發(fā)不夠可以改升壓線圈比例,可控硅我們現(xiàn)用97A8,可以找進(jìn)口的好.如果用高壓觸發(fā)管用日本新電元的質(zhì)量可以.

這線路,有缺陷.如果作熱啟動(dòng)時(shí),燈又打不著的情況下,觸發(fā)管會(huì)燒掉.

請(qǐng)問 有沒有HID電子鎮(zhèn)流器中單獨(dú)點(diǎn)火的高壓點(diǎn)火電路啊

請(qǐng)問那個(gè)104和224耐壓應(yīng)該是多少伏的? -_-

275V也行

學(xué)習(xí)了

請(qǐng)教各位前輩，可否有成熟的3.5KW，HID的電子觸發(fā)器線路啊，讓小弟借鑒借鑒，正為此物頭痛著呢！小弟在這先謝了！