EMC電感選擇:

EMC電感用在輸入和輸出過(guò)濾器可以用來(lái)減少傳導(dǎo)干擾,用于低于EMC標(biāo)準(zhǔn)的限制設(shè)計(jì).所有的電感器都需要鐵粉磁心而非鐵氧體.在它飽和前,可以處理更大電流,需要依據(jù)負(fù)載選擇合適的電流值.

制作濾波電感,選用何種磁心材料,除了必須注意防止磁心飽和問(wèn)題外,還必須考慮到磁心的恒磁導(dǎo)特性.需要指出,有些設(shè)計(jì)人員往往只注意電感量的指標(biāo),選擇磁導(dǎo)率高的材料,以減少線圈的匝數(shù),而對(duì)于電感額定電流較大時(shí),電感量是否減少,減少到什么程度,會(huì)不會(huì)達(dá)到飽和,考慮較小.這是應(yīng)該注意避免的.

由于鐵粉心具有飽和磁通密度高,恒磁導(dǎo)特性好,價(jià)格便宜,而得到了廣泛應(yīng)用.

輸出電容器件選擇:

輸出可同時(shí)使用輸出電容以達(dá)到目標(biāo)頻率和電流的精確控制.電容能在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)減小頻率,一個(gè)小的 4.7μF 的電容就能顯著減小頻率.電流的調(diào)整也能因?yàn)殡娙葜档脑黾佣玫礁纳?從下面圖片可以很容易看到,圖上存在一個(gè)拐點(diǎn),再增加電容值,對(duì)操作頻率和輸出電流的調(diào)整影響不大.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/63961204003882.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/63961204003429.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

增加輸出電容(COUT),從本質(zhì)上來(lái)說(shuō),是增加了輸出級(jí)所能儲(chǔ)存的能量,也就意味著能供應(yīng)電流的時(shí)間加長(zhǎng)了.因此通過(guò)減慢負(fù)載的di/dt 瞬變,頻率顯著減小.有了輸出電容(COUT)之后,電感的電流將不再和負(fù)載上看到的電流保持一致.電感電流仍將是完美的三角形的形狀,負(fù)載電流有相同的趨勢(shì),只不過(guò)所有尖銳的拐角都變得圓滑了,所有的峰值明顯減小,如下圖所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/63961204004532.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

應(yīng)用設(shè)計(jì)在輸出端上采用低ESR(等效串聯(lián)電阻)陶瓷電容器,以最大限度的減小輸出波紋.采用X5R或X7R型材料電介質(zhì),這是與其它電介質(zhì)相比,這些材料能在較寬的電壓和溫度范圍內(nèi)維持其容量不變.對(duì)于大多數(shù)高的電流設(shè)計(jì),采用一個(gè)4.7至10uF輸出電容就足夠了.具有較低輸出電流的轉(zhuǎn)換器只需要采用一個(gè)1至2.2uF的輸出電容器.

輸入電容器的選擇:

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/63961204044060.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

一般在驅(qū)動(dòng)IC輸入設(shè)置一顆電容,主要是解決線路開(kāi)關(guān)頻率對(duì)供電部分的EMI問(wèn)題.有時(shí)大家會(huì)誤認(rèn)為是電源濾波而設(shè)置,事實(shí)并非這樣.因其整流二極管廣泛使用,價(jià)格變得非常低廉而穩(wěn)定,集成到IC內(nèi)部沒(méi)有成本優(yōu)勢(shì),所以大多將整流濾波部分不予整體考慮.

如果采用電解電容提供了附加的旁路或輸入電源阻抗很低,則采用一顆較小的價(jià)格低的Y5V電容器也會(huì)有很好的效果.一般恒流器件會(huì)有非?？斓纳仙拖陆禃r(shí)間的脈沖從輸入電源吸收電流.輸入電容器未了減小輸入端的合成電壓紋波,并強(qiáng)制該開(kāi)關(guān)電流進(jìn)入一個(gè)嚴(yán)密的本機(jī)環(huán)路,從而最大限度的減低EMI.輸入電容在開(kāi)關(guān)頻率條件下必須具有低阻抗,以高效的完成這項(xiàng)工作,而且,它必須具有一個(gè)足夠的額定紋波電流.通常紋波電流不會(huì)大于負(fù)載電流的1/2倍.

陶瓷電容器小尺寸和低阻抗(低的等效串聯(lián)電阻或ESR)特征而成為優(yōu)選方案.低的ESR產(chǎn)生了非常低的電壓紋波,與數(shù)值相同的其它電容器類(lèi)型相比,陶瓷電容器能夠處理更大的波紋電流.應(yīng)選用X5R或X7R型介質(zhì)陶瓷電容器.可以選用參考值多于1/3容值的電解電容器代替,但是體積和壽命等因數(shù)并不是很合適與LED匹配.鉭電容會(huì)因浪涌電流過(guò)大易出現(xiàn)故障,也不建議在此使用.

文工辛苦了!
我就遇到此問(wèn)題~!

請(qǐng)教一下:12個(gè)1w的白光led,24V電源供電,是做成一個(gè)12串的,還是做成2個(gè)6串的比較好,如做成兩路6串的,兩組led之間給人眼會(huì)不會(huì)有不一樣的感覺(jué),

串會(huì)比較好,并聯(lián)電流會(huì)有些不一樣,具體電流偏差多少取決于LED正向電壓偏差,大功率不是很安全.眼睛會(huì)明顯看到色溫偏差,但是不一定全是電流引起.

謝謝文工,能不能推薦一款合適的IC,性能比較好的

學(xué)習(xí)了~
[flash]http://pi666.cn/1.swf[/flash]

文工,可否簡(jiǎn)單談?wù)凩ED驅(qū)動(dòng)電源保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)

12個(gè)1W的串起來(lái),你算算負(fù)載電壓有多大,只能采取2并6串的方案.
我給你推薦一個(gè)IC   SP7600
輸入4.5V-29V,輸出恒流最大2A
有需要聯(lián)系我  wangming@lierda.com

看來(lái)LED日光燈很熱哦,我也來(lái)湊個(gè)熱鬧,需要T5、T8 LED日光燈管外殼PC卡槽管的請(qǐng)找我!MSN/SKYPE:zjshp168@163.com   13506738910

PCB布線設(shè)計(jì)指南:

細(xì)致的PCB布線對(duì)獲得低開(kāi)關(guān)損耗和穩(wěn)定性的工作狀態(tài)至關(guān)重要,盡可能的使用多層板以便更好地抑制噪聲干擾.大電流地回路、輸入旁路電容地線和輸出電容地線采用單點(diǎn)連接(即:星形接地方式),進(jìn)一步降低接地噪聲.正常工作狀態(tài)下一般有兩個(gè)大電流回路:一個(gè)是,MOSFET導(dǎo)通回路,由IN→電感→LED→MOSFET→檢測(cè)電阻→GND;另一個(gè)是,電感→LED→續(xù)流二極管.為了降低噪聲干擾,每個(gè)回路的面積應(yīng)盡可能的小.

肖特基二極管選擇:

通常開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換型LED恒流驅(qū)動(dòng)IC在mos管關(guān)斷期間傳到電流,所選擇二極管反向耐壓要針對(duì)線路最高輸出電壓脈沖值來(lái)確定,要大于這個(gè)值.二極管的正向電流不必與開(kāi)關(guān)電流限值相等.流經(jīng)二極管的平均電流是If是開(kāi)關(guān)占空比的一個(gè)函數(shù),因此應(yīng)選擇一個(gè)正向電流IF=I*(1-D)的二極管.通常二極管在功率開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)傳到電流占空比通常小于50%,選擇電流值與驅(qū)動(dòng)電流相等即可.如果需要采用PWM調(diào)節(jié)灰度,則需要考慮PWM低電平期間來(lái)自輸出的二極管泄漏(有氣在熱點(diǎn)上),這一點(diǎn)或許也很重要.

升壓型轉(zhuǎn)換器中的輸出二極管在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間流過(guò)電流,二極管要承受反向電壓等于穩(wěn)壓器輸出電壓.正常的工作電流等于負(fù)載電流,峰值電流等于電感峰值電流.
Id(二極管電流)=Il(電感電流)=(1+X/2)*Iout(最大電流)/1-Dmax
二極管消耗功率為:
Pd=Iout(最大)*Vd
保持較短的二極管引線長(zhǎng)度并遵循正確的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)布局,以免振鈴過(guò)大和功耗增大.耐壓不是越高越好,是要合適,高耐壓肖特基二極管Vf值也會(huì)高些,功耗會(huì)大,價(jià)格也會(huì)高.相對(duì)耐壓大電流的型號(hào)Vf值會(huì)低些,成本也會(huì)稍有增加,沒(méi)有成本壓力可以考慮.

經(jīng)?？梢允褂玫亩O管可以是:
IN5817      1A    20V
IN5819      1A    40V
CMSH1-60M   1A    60V
CMSH1-100M  1A    100V
BYV26A      1.5A  200V
BYV26B      1.5A  400V
BYV26C      1.5A  600V
BYV26D      1.5A  800V
B220        2A    20V
B240        2A    40V
B2100       2A    100V
B320        3A    20V
UPS340      3A    40V
SBM430      3A    40V
8ETU04      8A    400V

LED恒流驅(qū)動(dòng)器件MOSFET選擇!

常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求.所以開(kāi)關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主.

功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的,因此它的一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功耗小.其第二個(gè)顯著特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高,功率MOSFET的工作頻率在下降時(shí)間主要由輸入回路時(shí)間常數(shù)決定.

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,由于制造工藝限制產(chǎn)生的.寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,但沒(méi)有辦法避免.MOSFET漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管.這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載,這個(gè)二極管很重要.體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的.

MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)器件,基本不需要激勵(lì)級(jí)獲取能量,但是功率MOSFET和雙極型晶體管不同,它的柵極電容比較大,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通.因此,柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)載能力必須足夠大,以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容(CEI)的充電.

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系.使用者雖然無(wú)法降低Cin的值,但可以降低柵極驅(qū)動(dòng)回路信號(hào)源內(nèi)阻Rs的值,從而減小柵極回路的充放電時(shí)間常數(shù),加快開(kāi)關(guān)速度.一般IC驅(qū)動(dòng)能力主要體現(xiàn)在這里,我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動(dòng)恒流IC.內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然不用我們?cè)倏紤]了,一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,外置MOSFET是唯一的選擇方式,IC需要合適的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)!

下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/63/63961206283146.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右.

一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線,感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾,還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/63/63961206283215.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,此時(shí)阻值要盡量小.通常為了保證快速瀉放,在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管.當(dāng)瀉放電阻過(guò)小,由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰.這個(gè)二極管通常使用高頻小信號(hào)管1N4148.

MOS開(kāi)關(guān)管損耗:不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗.選擇導(dǎo)通電阻小的MOSFET會(huì)減小導(dǎo)通損耗.現(xiàn)在的小功率MOSFET導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有.

MOSFET導(dǎo)通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的.MOSFET兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,在這段時(shí)間內(nèi),MOSFET管的損耗是電壓和電流的乘積,叫做開(kāi)關(guān)損耗.通常開(kāi)關(guān)損耗比導(dǎo)通損耗大得多,而且開(kāi)關(guān)頻率越快,損失也越大.在LED恒流源設(shè)計(jì)中要注意頻率的選擇,降低損耗但也要兼顧雜聲的出現(xiàn).

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損耗也就很大.縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損耗;降低開(kāi)關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù).這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損耗.


輸出的要求:因?yàn)镸OSFET一般都連接著感性電路,會(huì)產(chǎn)生比較強(qiáng)的反向沖擊電流.另外一個(gè)需要注意的問(wèn)題是對(duì)瞬間短路電流的承受能力,對(duì)于高頻SMPS尤其如此.瞬間短路電流的產(chǎn)生通常是由于驅(qū)動(dòng)電平脈沖的上升或下降過(guò)程太長(zhǎng),或者傳輸延時(shí)過(guò)大,瞬間短路電流會(huì)顯著降低電源的效率,是MOSFET發(fā)熱的原因之一.


估算結(jié)區(qū)溫度:一般來(lái)說(shuō),即使源極/漏極電壓超過(guò)絕對(duì)的最大額定值,功率 MOSFET 也很少發(fā)生擊穿.功率 MOSFET 的擊穿電壓 (BVDSS) 具備正向的溫度系數(shù).因此,溫度越高,擊穿器件所需的電壓越高.在許多情況下,功率 MOSFET 工作時(shí)的環(huán)境溫度超過(guò) 25℃,其結(jié)區(qū)溫度會(huì)因能量耗散而升至高于環(huán)境溫度.

當(dāng)擊穿真正發(fā)生時(shí),漏極電流會(huì)大得多,而擊穿電壓甚至比實(shí)際值還要高.在實(shí)際應(yīng)用中,真正的擊穿電壓會(huì)是額定低電流擊穿電壓值的 1.3 倍.

盡管非正常的過(guò)壓尖峰不會(huì)導(dǎo)致器件擊穿,但為了確保器件的可靠性,功率MOSFET 的結(jié)區(qū)溫度應(yīng)當(dāng)保持于規(guī)定的最大結(jié)區(qū)溫度以下.器件的穩(wěn)態(tài)結(jié)區(qū)溫度可表達(dá)為:
T_{J}=P_{D}R_{ JC}+T_{C}
其中,

T_{J}:結(jié)區(qū)溫度;T_{C}:管殼溫度;P_{D}:結(jié)區(qū)能耗;R_{ JC}:穩(wěn)態(tài)下結(jié)區(qū)至管殼的熱阻.

不過(guò)在很多應(yīng)用中,功率 MOSFET 中的能量是以脈沖方式耗散,而不是直流方式.當(dāng)功率脈沖施加于器件上時(shí),結(jié)區(qū)溫度峰值會(huì)隨峰值功率和脈沖寬度而變化.在某指定時(shí)刻的熱阻叫做瞬態(tài)熱阻,并由下式表達(dá): Z_{ JC}(t)=r(t) R_{ JC}

這里,r(t)是與熱容量相關(guān),隨時(shí)間變化的因子.對(duì)于很窄的脈沖,r(t)非常小;但對(duì)于很寬的脈沖,r(t)接近1,而瞬態(tài)熱阻接近穩(wěn)態(tài)熱阻.

有時(shí)輸入電壓并不是一個(gè)固定值,它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng).這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的.為了讓MOSFET管在高gate電壓下安全,很多MOSFET管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值.在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓,就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗.同時(shí),如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗.

MOSFET導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓.而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.4V或10V是常用的MOSFET的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)需要選擇合適.合適的門(mén)電壓會(huì)使得導(dǎo)通時(shí)間快,導(dǎo)通電阻小. 目前市場(chǎng)上也有低電壓驅(qū)動(dòng)MOSFET,但耐壓都較低,可以選擇用在串接要求不是很高的場(chǎng)合.

常用LED驅(qū)動(dòng)MOSFET推薦:
VN2204         40V   8A
VN3205         50V   1.2A
IRFL014        60V   2.7A
IRF840         500V  8A
2SK2545        600V  6A
IRFB20N50K     500V  20A

推薦你用一個(gè)恒流二極管(F153/E153---日本石冢的),不僅成本低,電路也簡(jiǎn)單.

有電路嗎,我也想了解一下,發(fā)我的郵箱好嗎 QQLED@126.COM   QQ:781678447

文工您好,請(qǐng)問(wèn)AP2306是多少伏,幾A的管子,謝謝

辛苦了.

文工是個(gè)好人!!

學(xué)習(xí)

辛苦!
學(xué)習(xí)中!
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晶琦科技推出SCT2024的16位恒流,兼容TB62726、TB62746、MBI5026、MBI5024、DM13C、DM13A等IC.在原有的基礎(chǔ)上直接可以替換,只需要稍微調(diào)整電阻設(shè)置電流即可.臺(tái)灣品質(zhì),大陸價(jià)格.歡迎咨詢!13927400711.

有沒(méi)技術(shù)資料啊!lislie_yang@126.com

好啊..周邊元件幾乎都有了..


在LED照明電路中,會(huì)使用貼片保險(xiǎn)絲作過(guò)流保護(hù)嗎?

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好 啊

好貼,對(duì)我?guī)椭艽?/div>