這種接法實(shí)質(zhì)上和外接是一回事，沒有特別之處。

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請問兩個(gè)繞組是串接還是？

原理上二次側(cè)是串聯(lián)的話，每個(gè)零件的位置就是等效了。

覺得這樣接有問題。

如果沒特別之處，他這樣接，增加了變壓器繞制與LAYOUT復(fù)雜度，何必呢？

是串接的，從圖上可看出來。這是國外一家電源管理IC的廠商發(fā)給我的DEMO原理圖中的接法。這樣接增加了變壓器繞制與PCB LAYOUT的復(fù)雜度，不知這樣接是否對改善EMI有好處！

你這個(gè)應(yīng)該是輸出高壓的情況,這樣接法可以減少層間分布電容

DEMO的輸出電壓是40V的

能拍個(gè)照片看看嗎

這是正確的作法, 也符合安規(guī)要求, 且也省掉一組二極體, 對EMI也有幫助.......

在安規(guī)系統(tǒng)中, 有一項(xiàng)高電壓限制, 當(dāng)Vrms 超過42V以上時(shí),  則視為高壓, 所以早期48V的作法, 是以兩組

24V整流後再串聯(lián), 達(dá)到48V的目的,因?yàn)閱我唤M48V則走線要有一個(gè)Base 距離, 又因?yàn)榘惨?guī)做破壞性測試, 一次只能開路或短路一組, 當(dāng)你把它區(qū)分為兩個(gè)單元時(shí), 所測到的Vrms將不會超過42V............

區(qū)分為兩個(gè)單元繞線也較好繞, 只要使用兩組線同時(shí)並繞, 然後末端出線與進(jìn)線相串即可, 這樣的方式如果Bobbin

繞線面積夠大, 則兩並繞的平行線被原邊磁場切割面積相等, 效率反而比單一條線來的好....

你那作法之所以省掉一組二極體, 是因?yàn)閮山M出線要兩組二極體整流後再相串, 所以是省掉一組二極體

EMI會較好, 是因?yàn)槎O體被置中, 當(dāng)原邊MOSFET_ON時(shí), 二極體所承受的Peak會較小, 從引線散射出去的能量會較低, 這要?dú)w咎於以前的二極體耐壓都不高, 雖然快速二極體可以達(dá)成, 但VF偏高, 要兩顆才可以, 現(xiàn)在則不用....

   這是2017年Dialog新出的一款LED電源，請看下面他的此部分電路的PCB走線。我想與Base距離關(guān)系不大吧？可能與EMI關(guān)系大點(diǎn)，還忘高手解答。

您好，請問下您弄明白了這個(gè)二極管的接法的原理嗎？？求助

原理與普通接法一樣，這樣接可改善產(chǎn)品的EMI！