buck電路下管mos GS端并聯(lián)電容的作用
我想問一下buck電路中下管mos的柵極源極間并聯(lián)一個電容的作用。
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@juntion
那不是防干擾,是防止發(fā)生Shortthreshold...通常上下橋為了避開上下導(dǎo)通,所以死區(qū)都做很大,但理論上死區(qū)越小,效率可以越高,但動態(tài)容易交越..所以當(dāng)死區(qū)大時,會在上下皆不導(dǎo)通時拉一根負(fù)信號,稱為Shortthreshold,這根信號很容易讓上橋MOS掛掉因此必須在下橋MOS_G_S並聯(lián)一顆電容讓下橋關(guān)斷慢一點, Shortthreshold就不會那麼深......
讓下橋關(guān)斷慢一點的話，LG關(guān)斷到HG的上升的死區(qū)時間不是變小了嗎？這樣更容易發(fā)生同時導(dǎo)通的現(xiàn)象嗎？
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@juntion
那不是防干擾,是防止發(fā)生Shortthreshold...通常上下橋為了避開上下導(dǎo)通,所以死區(qū)都做很大,但理論上死區(qū)越小,效率可以越高,但動態(tài)容易交越..所以當(dāng)死區(qū)大時,會在上下皆不導(dǎo)通時拉一根負(fù)信號,稱為Shortthreshold,這根信號很容易讓上橋MOS掛掉因此必須在下橋MOS_G_S並聯(lián)一顆電容讓下橋關(guān)斷慢一點, Shortthreshold就不會那麼深......
加這個電容會影響下橋?qū)〞r的速度嗎？
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