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如何讓MOS快速導(dǎo)通和關(guān)閉?

QQ請教如何讓MOS快速導(dǎo)通和關(guān)閉?

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hylylx
LV.9
2
2018-04-17 09:15
可勁的抽拉  電荷
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2018-04-17 10:04
@hylylx
可勁的抽拉 電荷
比較愚鈍,煩請出個圖紙看看。
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2018-04-17 17:56

高壓, MOSFET_P控制閘會受不了, 如圖:

把Low 信號箝位到30V, 此時VGS = 48V-30V = 18V

High 由Q3快速洩放.......



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2018-04-18 09:10
@juntion
高壓,MOSFET_P控制閘會受不了,如圖:[圖片]把Low信號箝位到30V,此時VGS=48V-30V=18VHigh由Q3快速洩放.......
3906直接接地,去掉ZD1不可以嗎??我看推挽都是那樣的啊
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2018-04-18 12:21
@QWE4562009
3906直接接地,去掉ZD1不可以嗎??我看推挽都是那樣的啊
不可以,因為3906去掉穩(wěn)壓管,則Low信號為Vin, Mosfet只能承受最大25V, 去掉穩(wěn)壓管一導(dǎo)通你Mos就掛了..... 
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2018-04-19 23:36
@juntion
不可以,因為3906去掉穩(wěn)壓管,則Low信號為Vin,Mosfet只能承受最大25V,去掉穩(wěn)壓管一導(dǎo)通你Mos就掛了..... 

客戶的要求讓老大的電路還是不能解決問題。

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2018-04-20 12:20
@最愛電源
[圖片]客戶的要求讓老大的電路還是不能解決問題。

把你的SPEC需求貼出來吧, 這樣的範(fàn)圍電壓那電路當(dāng)然不行, 因為當(dāng)最高前衛(wèi)設(shè)計在98V時, Vth=4.5V, 限制點為

18V-4.5V=13.5V往下掉電壓只要低於98V-13.5V = 84.5V

低於84.5V, PMOS就會打不開....除非用N-MOS, 若你堅持用P-MOS, 那必須用到動態(tài)箝位,所以把你連同LED端要求貼出來....

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2018-04-20 13:49
@juntion
不可以,因為3906去掉穩(wěn)壓管,則Low信號為Vin,Mosfet只能承受最大25V,去掉穩(wěn)壓管一導(dǎo)通你Mos就掛了..... 

HIGH是VIN吧

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2018-04-20 14:39
@QWE4562009
HIGH是VIN吧

對P-MOS而言, LOW 為 Vin, Hihg 叫做零伏........

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2018-04-20 19:56
@juntion
把你的SPEC需求貼出來吧,這樣的範(fàn)圍電壓那電路當(dāng)然不行,因為當(dāng)最高前衛(wèi)設(shè)計在98V時,Vth=4.5V,限制點為18V-4.5V=13.5V往下掉電壓只要低於98V-13.5V=84.5V低於84.5V,PMOS就會打不開....除非用N-MOS,若你堅持用P-MOS,那必須用到動態(tài)箝位,所以把你連同LED端要求貼出來....
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2018-04-20 19:59
@juntion
對P-MOS而言,LOW為Vin,Hihg叫做零伏........
這是曝光機上使用的控制器,客戶在修改老的曝光機,根據(jù)機型的尺寸,LED多少不一定,而且它是紫外光365波長和385波長混搭在一起使用,總的下來電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內(nèi)可調(diào)。我現(xiàn)在用一個108V的直流電源去推一個降壓DC-DC的電源,中間還要一個高位開關(guān)(MOS不能放在底位),用于關(guān)閉和開啟光源的作用。由于不同機型的原因,有時這個機型用到72V,那個機型可能用到85v,另一個可能用到98V,因此想做一個適合多種機型的控制器。你提出動態(tài)箝位是一個很好的方案,就不知這電路是什么樣的。
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2018-04-25 14:41
@最愛電源
這是曝光機上使用的控制器,客戶在修改老的曝光機,根據(jù)機型的尺寸,LED多少顆不一定,而且它是紫外光365波長和385波長混搭在一起使用,總的下來電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內(nèi)可調(diào)。我現(xiàn)在用一個108V的直流電源去推一個降壓DC-DC的電源,中間還要一個高位開關(guān)(MOS不能放在底位),用于關(guān)閉和開啟光源的作用。由于不同機型的原因,有時這個機型用到72V,那個機型可能用到85v,另一個可能用到98V,因此想做一個適合多種機型的控制器。你提出動態(tài)箝位是一個很好的方案,就不知這電路是什么樣的。

抱歉, 把你這帖給忘了..

如圖

正動作原理為:

送電初期, Q4導(dǎo)通, 所以MOSFET截止, Q2也是導(dǎo)通, 所以C1沒電壓, 但隨著B點電壓上升, 則A點電壓也會逐步上升

此時電流由R3提供..........

當(dāng)B點電壓到達(dá) "A點電壓 - Vbe" 時, 電壓停止變化, 所以MOSFET導(dǎo)通所需電壓就等於是VC1電壓

決定R4,R5 與 A點, B點電壓

令, Vin 為 70V時, P-MOS_VGS = 12V,則A點電壓為 70-12V = 58V , Vbe = 0.6 

則B點電壓為58V - 0.6V =57.4V  ;; R4 / R5 倍率值=((Vin/VB)-1) =((70V/57.4V)-1) = 0.21倍

 R5 選 33K , 則 R4 = R5 * 0.21 =33K * 0.21 = 6.93 , 取 6.8K  ; 所以R5 = 33K , R4 = 6.8K 

重新再驗算 :

 當(dāng)

Vin = 70V  B點電壓為 (70 * 33K) / (33K+6.8K) = 58.0V , A點則為  58.0V+0.6V A點電壓為58.6V

所以VGS(Low) = 70V -58.6V =11.4V , P-Mos可以導(dǎo)通

當(dāng)

Vin = 100V B點電壓為 (100 * 33K) / (33K+6.8K) =82.91V , A點則為 82.91V+0.6V A點電壓為83.5V

所以VGS(Low) = 100V-83.5V = 16.5V , P-Mos可以導(dǎo)通

ZD1則是做最終箝位用, 而當(dāng)你最大輸入電壓接近100V時, 三極體部份耐壓需要用到高耐壓, C1則為Low 位準(zhǔn)保持

點, 電容應(yīng)以電解為準(zhǔn),  高速切換時才可以保持能量.......

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2018-05-01 18:18
@juntion
抱歉,把你這帖給忘了..如圖[圖片]正動作原理為:送電初期,Q4導(dǎo)通,所以MOSFET截止,Q2也是導(dǎo)通,所以C1沒電壓,但隨著B點電壓上升,則A點電壓也會逐步上升此時電流由R3提供..........當(dāng)B點電壓到達(dá)"A點電壓-Vbe"時,電壓停止變化,所以MOSFET導(dǎo)通所需電壓就等於是VC1電壓決定R4,R5與A點,B點電壓令,Vin為70V時,P-MOS_VGS=12V,則A點電壓為70-12V=58V,Vbe=0.6 則B點電壓為58V-0.6V=57.4V ;;R4/R5倍率值=((Vin/VB)-1)=((70V/57.4V)-1)=0.21倍 R5選33K,則R4=R5*0.21=33K*0.21=6.93,取6.8K ;所以R5=33K,R4=6.8K 重新再驗算: 當(dāng)Vin=70V B點電壓為(70*33K)/(33K+6.8K)=58.0V,A點則為 58.0V+0.6VA點電壓為58.6V所以VGS(Low)=70V-58.6V=11.4V,P-Mos可以導(dǎo)通當(dāng)Vin=100VB點電壓為(100*33K)/(33K+6.8K)=82.91V,A點則為82.91V+0.6VA點電壓為83.5V所以VGS(Low)=100V-83.5V=16.5V ,P-Mos可以導(dǎo)通ZD1則是做最終箝位用,而當(dāng)你最大輸入電壓接近100V時,三極體部份耐壓需要用到高耐壓,C1則為Low位準(zhǔn)保持點,電容應(yīng)以電解為準(zhǔn), 高速切換時才可以保持能量.......
    ZD1(18V)會損壞嗎?
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2018-05-01 20:10
@最愛電源
  ZD1(18V)會損壞嗎?
ZD1是預(yù)防VGS超壓,正常是用不到的.. 
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2018-05-02 08:40
@juntion
ZD1是預(yù)防VGS超壓,正常是用不到的.. 
分析得很詳細(xì),非常感謝!另外R4,R5的阻值是否可以同時加一倍?因為100V時,它們的功耗在0.25W左右,對于貼片電阻來說已是很大的功耗,時間一長會不會燒壞?
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2018-05-02 11:55
@最愛電源
分析得很詳細(xì),非常感謝!另外R4,R5的阻值是否可以同時加一倍?因為100V時,它們的功耗在0.25W左右,對于貼片電阻來說已是很大的功耗,時間一長會不會燒壞?
可以, 給你的值是約略, 你可以計算相當(dāng)?shù)闹狄詼p少損耗....
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