請教各位大佬,最近做了一款電池的BMS在輸出端使用高端NMOS作為控制開關(guān),因為工作在穩(wěn)態(tài)而不是開關(guān)態(tài),所以想使用隔離電源來驅(qū)動該MOS,這里選用了2個IRFP4368的管子,由于該管子的Qg是比較大的,可是為了節(jié)省成本準(zhǔn)備使用一個12V1W的隔離電源來驅(qū)動,我能否通過增加該電源的輸出電容來提高該隔離電源驅(qū)動NMOS的能力呢?
如何增加NMOS管驅(qū)動電路的驅(qū)動能力?
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