今年設(shè)計(jì)一款太陽(yáng)能控制器,我們知道電池短路是災(zāi)難性的,可能會(huì)引發(fā)安全事故,所以在處理負(fù)載短路保護(hù)采用LM358加中斷檢查方法執(zhí)行,增加反應(yīng)靈敏性,現(xiàn)在適得其反。一接感容負(fù)載就會(huì)觸發(fā)短路保護(hù)程序很是頭痛,如果降低反應(yīng)靈敏性就會(huì)導(dǎo)致MOS管擊穿。還有這個(gè)電路在氣溫低至-10度的時(shí)候 不帶負(fù)載都會(huì)響應(yīng)短路保護(hù)導(dǎo)致無(wú)法正常輸出。
太陽(yáng)能控制器短路保護(hù)問(wèn)題分析
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@qinzutaim
就丟一張圖,也不做任何說(shuō)明?
上面有說(shuō)的 ,可能是我說(shuō)的不夠詳細(xì),我采用的原理是這樣的,通過(guò)R39和R41對(duì)采樣電阻0.005R采樣通過(guò)U2放大25倍,如果采樣電流超過(guò)25A 就會(huì)使得U1的比較器電路7腳輸出高電平,觸發(fā)單片機(jī)的外部中斷進(jìn)行關(guān)閉輸出,從而達(dá)到短路保護(hù)效果?,F(xiàn)在出現(xiàn)的問(wèn)題是 ,我只要在負(fù)載端隨意接上一個(gè)感性性負(fù)載或者帶電容的負(fù)載都會(huì)促使U1的比較器工作觸發(fā)中斷,我猜想應(yīng)該是感容負(fù)載的啟動(dòng)電流比較大 我把短路電流設(shè)定至放大,問(wèn)題還是存在,在R29上并一個(gè)104電容,短路保護(hù)靈敏度又會(huì)降低,使得輸出MOS擊穿燒毀。還有一個(gè)問(wèn)題 就是這個(gè)電路工作在-10度的環(huán)境下,不帶負(fù)載U1的7腳也是輸出高電平的,從而導(dǎo)致負(fù)載不能工作
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@也許是個(gè)梗
上面有說(shuō)的,可能是我說(shuō)的不夠詳細(xì),我采用的原理是這樣的,通過(guò)R39和R41對(duì)采樣電阻0.005R采樣通過(guò)U2放大25倍,如果采樣電流超過(guò)25A就會(huì)使得U1的比較器電路7腳輸出高電平,觸發(fā)單片機(jī)的外部中斷進(jìn)行關(guān)閉輸出,從而達(dá)到短路保護(hù)效果。現(xiàn)在出現(xiàn)的問(wèn)題是,我只要在負(fù)載端隨意接上一個(gè)感性性負(fù)載或者帶電容的負(fù)載都會(huì)促使U1的比較器工作觸發(fā)中斷,我猜想應(yīng)該是感容負(fù)載的啟動(dòng)電流比較大我把短路電流設(shè)定至放大,問(wèn)題還是存在,在R29上并一個(gè)104電容,短路保護(hù)靈敏度又會(huì)降低,使得輸出MOS擊穿燒毀。還有一個(gè)問(wèn)題就是這個(gè)電路工作在-10度的環(huán)境下,不帶負(fù)載U1的7腳也是輸出高電平的,從而導(dǎo)致負(fù)載不能工作
在比較器之前加電容,一則延時(shí),二則濾干擾,并且在選用MOS管的時(shí)候要考慮承其瞬間承受峰值電流的能力。
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@也許是個(gè)梗
上面有說(shuō)的,可能是我說(shuō)的不夠詳細(xì),我采用的原理是這樣的,通過(guò)R39和R41對(duì)采樣電阻0.005R采樣通過(guò)U2放大25倍,如果采樣電流超過(guò)25A就會(huì)使得U1的比較器電路7腳輸出高電平,觸發(fā)單片機(jī)的外部中斷進(jìn)行關(guān)閉輸出,從而達(dá)到短路保護(hù)效果?,F(xiàn)在出現(xiàn)的問(wèn)題是,我只要在負(fù)載端隨意接上一個(gè)感性性負(fù)載或者帶電容的負(fù)載都會(huì)促使U1的比較器工作觸發(fā)中斷,我猜想應(yīng)該是感容負(fù)載的啟動(dòng)電流比較大我把短路電流設(shè)定至放大,問(wèn)題還是存在,在R29上并一個(gè)104電容,短路保護(hù)靈敏度又會(huì)降低,使得輸出MOS擊穿燒毀。還有一個(gè)問(wèn)題就是這個(gè)電路工作在-10度的環(huán)境下,不帶負(fù)載U1的7腳也是輸出高電平的,從而導(dǎo)致負(fù)載不能工作
1,去掉D5;
2,LM358改LM2904.
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這幾天的使用心得:經(jīng)過(guò)不斷的調(diào)試和驗(yàn)證,電池短路保護(hù) 短路的時(shí)間和MOS管的Ism非常重要,如果短路保護(hù)時(shí)間過(guò)短,感性和容性負(fù)載是完全啟動(dòng)不了的,短路保護(hù)相應(yīng)的時(shí)間太長(zhǎng)又會(huì)使得一般的MOS管很容易擊穿,之前為了貪圖低成本,買了一批國(guó)產(chǎn)的IRF3205短路一個(gè)燒一個(gè),用錘子錘開(kāi)一看 晶圓比芝麻粒還小,后面換了一個(gè)另外牌子的MOS,問(wèn)題就解決了,實(shí)際的晶圓那是不止十倍那么簡(jiǎn)單。
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@也許是個(gè)梗
這幾天的使用心得:經(jīng)過(guò)不斷的調(diào)試和驗(yàn)證,電池短路保護(hù)短路的時(shí)間和MOS管的Ism非常重要,如果短路保護(hù)時(shí)間過(guò)短,感性和容性負(fù)載是完全啟動(dòng)不了的,短路保護(hù)相應(yīng)的時(shí)間太長(zhǎng)又會(huì)使得一般的MOS管很容易擊穿,之前為了貪圖低成本,買了一批國(guó)產(chǎn)的IRF3205短路一個(gè)燒一個(gè),用錘子錘開(kāi)一看晶圓比芝麻粒還小,后面換了一個(gè)另外牌子的MOS,問(wèn)題就解決了,實(shí)際的晶圓那是不止十倍那么簡(jiǎn)單。
對(duì),現(xiàn)在MOS管假得很多,已次充好的很多,特別是知名的品牌,我之前也遇到過(guò)IRF1404的假貨,這貨要在特定的條件下才能暴露出來(lái),例如短路測(cè)試時(shí)電流沖擊





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