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INN3268設(shè)計(jì)的45W快充電源

Inn3268是一款不錯(cuò)的快充主控芯片，電源集成了初次級(jí)的主控制器電路及FluxLink技術(shù)，并且內(nèi)部包含高壓MOSFET，電源的功率支持大，通過(guò)配套的協(xié)議轉(zhuǎn)換芯片實(shí)現(xiàn)USB PD快充要求，支持市面上大部分手機(jī)的充電要求，同時(shí)電源也可以為筆記本電腦供電。

利用INN3268芯片設(shè)計(jì)的45w電源，搭配英偉達(dá)的WT6615實(shí)現(xiàn)USB PD3.0快充功能，同時(shí)支持QC3.0，AFC，F(xiàn)CP，SCP等多種協(xié)議。電源輸出電壓支持5V，9V，12V，15V，電流都可以到3A，同時(shí)輸出電壓20V、電流2.25A。整個(gè)電源效率高，體積小。

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lx25hb
LV.8
2
2021-01-08 17:11
INN3268的空載損耗小于70mW，具備短路、過(guò)壓和過(guò)熱保護(hù)等功能。也非常適合用來(lái)設(shè)計(jì)快充電路。
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cb_mmb
LV.8
3
2021-01-08 17:22
Inn3268采用Fluxlink隔離反饋技術(shù)，最大功率可達(dá)65W，實(shí)現(xiàn)恒壓恒流恒功率輸出。
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uf_1269
LV.8
4
2021-01-08 17:41
@lx25hb
INN3268的空載損耗小于70mW，具備短路、過(guò)壓和過(guò)熱保護(hù)等功能。也非常適合用來(lái)設(shè)計(jì)快充電路。
INN3268可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電和 USB PD 設(shè)計(jì)。因?yàn)樵撓盗械男酒譃榫哂泻筒痪哂欣|線壓降補(bǔ)償兩種型號(hào)。
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gxg1122
LV.10
5
2021-01-08 21:34
@uf_1269
INN3268可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電和USBPD設(shè)計(jì)。因?yàn)樵撓盗械男酒譃榫哂泻筒痪哂欣|線壓降補(bǔ)償兩種型號(hào)。
芯片線纜壓降補(bǔ)償功能的范圍有限的，不同模塊的補(bǔ)償還是以手冊(cè)為準(zhǔn)。
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gxg1122
LV.10
6
2021-01-08 21:37
@cb_mmb
Inn3268采用Fluxlink隔離反饋技術(shù)，最大功率可達(dá)65W，實(shí)現(xiàn)恒壓恒流恒功率輸出。
現(xiàn)在的快充電源功率是越來(lái)越大，支持不同終端設(shè)備的充電。
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gxg1122
LV.10
7
2021-01-09 09:50
快充協(xié)議芯片比較多，可以根據(jù)不同設(shè)備終端，滿足不同電壓的充電需求。
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k6666
LV.10
8
2021-01-09 09:56
@cb_mmb
Inn3268采用Fluxlink隔離反饋技術(shù)，最大功率可達(dá)65W，實(shí)現(xiàn)恒壓恒流恒功率輸出。
這種大功率輸出電源，產(chǎn)品的散熱需要設(shè)計(jì)好，65w功率發(fā)熱可比較大。
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k6666
LV.10
9
2021-01-09 09:58
@gxg1122
芯片線纜壓降補(bǔ)償功能的范圍有限的，不同模塊的補(bǔ)償還是以手冊(cè)為準(zhǔn)。
一般補(bǔ)償范圍在6%的，芯片的頻率調(diào)制技術(shù)利于emi改善。
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fengxbj
LV.8
10
2021-01-09 10:09
@gxg1122
芯片線纜壓降補(bǔ)償功能的范圍有限的，不同模塊的補(bǔ)償還是以手冊(cè)為準(zhǔn)。
這個(gè)pcb板設(shè)計(jì)的不錯(cuò)，芯片頂部應(yīng)該需要涂抹導(dǎo)熱硅膠，增大散熱面。
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fengxbj
LV.8
11
2021-01-09 10:10
@gxg1122
現(xiàn)在的快充電源功率是越來(lái)越大，支持不同終端設(shè)備的充電。
電源主控芯片輸出元件盡可能靠近芯片管腳，避免不必要的干擾。
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2021-01-09 19:30
@gxg1122
芯片線纜壓降補(bǔ)償功能的范圍有限的，不同模塊的補(bǔ)償還是以手冊(cè)為準(zhǔn)。
大功率快充電源的設(shè)計(jì)引起的壓降的確不能忽視，不然設(shè)備充電電壓不足。
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2021-01-09 19:31
@k6666
一般補(bǔ)償范圍在6%的，芯片的頻率調(diào)制技術(shù)利于emi改善。
芯片的壓降補(bǔ)償功能具體看手冊(cè)，里面有詳細(xì)介紹，設(shè)計(jì)選型需要。
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2021-01-09 19:34
@fengxbj
電源主控芯片輸出元件盡可能靠近芯片管腳，避免不必要的干擾。
快充電源的設(shè)計(jì)可以參考芯片的手冊(cè)，里面有PCB的設(shè)計(jì)布局，注意事項(xiàng)。
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svs101
LV.8
15
2021-01-16 13:41
@奮斗的青春
大功率快充電源的設(shè)計(jì)引起的壓降的確不能忽視，不然設(shè)備充電電壓不足。
現(xiàn)在的快充電源設(shè)計(jì)都有協(xié)議轉(zhuǎn)換芯片，適配不同的終端設(shè)備，輸出穩(wěn)定。
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2021-01-16 15:42
@奮斗的青春
大功率快充電源的設(shè)計(jì)引起的壓降的確不能忽視，不然設(shè)備充電電壓不足。
現(xiàn)在的快充電源功率可以到近百W，可以為筆記本、手機(jī)、PAD等供電，
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@奮斗的青春
芯片的壓降補(bǔ)償功能具體看手冊(cè)，里面有詳細(xì)介紹，設(shè)計(jì)選型需要。
同步整流的使用使得電源效率比典型整流設(shè)計(jì)高2-3%，電流越大效率越高。
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opingss88
LV.10
18
2021-05-01 16:48
@gxg1122
芯片線纜壓降補(bǔ)償功能的范圍有限的，不同模塊的補(bǔ)償還是以手冊(cè)為準(zhǔn)。

高壓輕載情況下，是反激環(huán)路最惡劣的狀態(tài)，這個(gè)時(shí)候主功率回路的極點(diǎn)頻率很低

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opingss88
LV.10
19
2021-05-01 16:49
@奮斗的青春
大功率快充電源的設(shè)計(jì)引起的壓降的確不能忽視，不然設(shè)備充電電壓不足。

調(diào)節(jié)主電路開關(guān)器件的導(dǎo)通脈沖寬度，使得開關(guān)電源的輸出電壓或電流等被控制信號(hào)穩(wěn)定

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2021-06-17 19:15
@uf_1269
INN3268可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電和USBPD設(shè)計(jì)。因?yàn)樵撓盗械男酒譃榫哂泻筒痪哂欣|線壓降補(bǔ)償兩種型號(hào)。

快充技術(shù)的原理是通過(guò)USB端口的D+與D-的電壓來(lái)充電器的輸出電壓供手機(jī)充電。

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2021-07-19 20:24
@lx25hb
INN3268的空載損耗小于70mW，具備短路、過(guò)壓和過(guò)熱保護(hù)等功能。也非常適合用來(lái)設(shè)計(jì)快充電路。

集成了多模式準(zhǔn)諧振(QR)/CCM反激式控制器，次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器等。

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2021-08-14 11:06
@uf_1269
INN3268可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電和USBPD設(shè)計(jì)。因?yàn)樵撓盗械男酒譃榫哂泻筒痪哂欣|線壓降補(bǔ)償兩種型號(hào)。

InnoSwitch3-CE主要應(yīng)用于充電器、適配器及消費(fèi)電子電源等領(lǐng)域的開關(guān)芯片.

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@gxg1122
現(xiàn)在的快充電源功率是越來(lái)越大，支持不同終端設(shè)備的充電。

這個(gè)開關(guān)電路效率高損耗小，不需要散熱片就能做到100W的輸出功率。

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wengnaibing
LV.9
24
2021-09-05 10:27
@k6666
一般補(bǔ)償范圍在6%的，芯片的頻率調(diào)制技術(shù)利于emi改善。

要優(yōu)化EMC，電源的濾波器設(shè)計(jì)很重要，前提是要先了解干擾的類型。

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k8882002
LV.9
25
2021-09-05 10:48
@wengnaibing
要優(yōu)化EMC，電源的濾波器設(shè)計(jì)很重要，前提是要先了解干擾的類型。

在開關(guān)電源中，差模噪聲主要源于直流母線電容的等效串聯(lián)電阻ESR兩端的壓降。

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tabing_dt
LV.10
26
2021-09-05 10:55
@k8882002
在開關(guān)電源中，差模噪聲主要源于直流母線電容的等效串聯(lián)電阻ESR兩端的壓降。

有源功率因數(shù)校正器產(chǎn)生的紋波電流是由電壓降產(chǎn)生的

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2021-09-05 11:10
@wengnaibing
要優(yōu)化EMC，電源的濾波器設(shè)計(jì)很重要，前提是要先了解干擾的類型。

差模噪聲通常在1MHz 以下的低頻段占主導(dǎo)地位，共模干擾(CM) 通常在1MHz 到100MHz 之間占主導(dǎo)地位。

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beakline
LV.6
28
2021-09-05 14:38
@眼睛里的海
差模噪聲通常在1MHz以下的低頻段占主導(dǎo)地位，共模干擾(CM)通常在1MHz到100MHz之間占主導(dǎo)地位。

在這個(gè)頻段范圍內(nèi)，必須要考慮寄生參數(shù)和耦合路徑，才能有較好的解決途徑。

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xxbw6868
LV.10
29
2021-09-05 14:56
@k8882002
在開關(guān)電源中，差模噪聲主要源于直流母線電容的等效串聯(lián)電阻ESR兩端的壓降。

為了抑制共模干擾和差模干擾，最常見(jiàn)的EMC濾波器結(jié)構(gòu)是LC 型拓?fù)洹?/p>

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spowergg
LV.10
30
2021-09-05 15:12
@xxbw6868
為了抑制共模干擾和差模干擾，最常見(jiàn)的EMC濾波器結(jié)構(gòu)是LC型拓?fù)洹?/span>

正確選擇電感非常重要。須考慮的要點(diǎn)之一就是共模電感，比如共模扼流圈的頻率特性

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dianre888
LV.6
31
2021-09-05 15:22
@spowergg
正確選擇電感非常重要。須考慮的要點(diǎn)之一就是共模電感，比如共模扼流圈的頻率特性

如果我們確信1MHz 以上時(shí)是共模噪聲起主要作用，我們就應(yīng)該考慮電感的頻率特性。

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