直接上圖。上面是兩個(gè)PI典型的原理圖。
電路規(guī)格都是30---800V輸入,輸出多少咱不看,跟本帖議題無(wú)關(guān)。
我們只討論前級(jí)的問(wèn)題。
前級(jí)都是RCD吸收,同樣的輸入規(guī)格,為何有兩種不同的接法?
難道PI內(nèi)部的工程師都是各自負(fù)責(zé)自己的芯片,不會(huì)統(tǒng)一一個(gè)簡(jiǎn)單的方案嗎?
這里質(zhì)疑的地方有好幾個(gè):
1.雷同的方案為啥用完全不同的RCD吸收電路?一個(gè)圖只用了單獨(dú)的電容,另一個(gè)則用了三個(gè)阻容串聯(lián),這其中有什么不一樣的地方?
2.3396芯片上面還有一個(gè)MOS,相當(dāng)于和芯片內(nèi)部的MOS串聯(lián)起來(lái),一起抗住高壓。而另一個(gè)圖紙則沒(méi)有多出來(lái)的MOS,這樣的設(shè)計(jì)能否真的抗住高壓尖峰?無(wú)外置MOS的芯片也能安全無(wú)恙?
3.在3947的圖紙中,前級(jí)電容分別用了68nF+68nF+68uF的兩組電容,根據(jù)簡(jiǎn)單的計(jì)算,這樣的簡(jiǎn)單串聯(lián),真實(shí)的主要電壓會(huì)全部加在兩個(gè)68uF的電容上,而耐壓只有500V的電容如何抗的???
以上三個(gè)問(wèn)題是根據(jù)PI的官方圖紙發(fā)現(xiàn)的,咱就說(shuō)說(shuō)PI官方的圖紙是否嚴(yán)謹(jǐn),這樣讓消費(fèi)者去用,是否有些糊弄消費(fèi)者?