如果開關頻率不變，只換IGBT，那幾乎對效率沒影響，反倒成本會增加很多。包括配套的驅動芯片。

只有高頻應用時才會顯現(xiàn)出碳化硅的優(yōu)勢。

使用SiC MOSFET替換現(xiàn)有的IGBT可以提高半橋應用的效率。

低導通損耗：SiC MOSFET的導通電阻非常低，能夠減小開關器件的導通損耗，提高系統(tǒng)效率。

SiC MOSFET使用在2kW的半橋應用上，將會提高應用的效率，減小系統(tǒng)能耗，達到更好的性能和可靠性。不過需要留意SiC MOSFET單價相對于IGBT較高。

SiC MOSFET使用在2kW的電源產(chǎn)品上，將會提高電源穩(wěn)定性，提升電源的效率。成本上會有增加而已。

感覺成本會變高

目前支持的最大功率等級是多少？

直接替換的話只有一個結果，那就是炸雞，SIC驅動雖然需要負壓，但是需要的負壓很小2~3V就可以了，太大了會損壞SIC MOS，所以驅動需要改造

SIC的開發(fā)應用看不同需求了，有的開發(fā)應用其實沒必要使用，成本偏高的。

SIC 的成本比較高，需要結合具體的應用來討論

學習了