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請教MOS管用法 電容的作用(圖)


這是電機驅動電路的一部份
哪位高手能幫我解釋一下D,G之間這個電容的作用啊
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燒管王
LV.2
2
2008-12-18 08:53
150改 150K,這不是主要.
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sinican
LV.8
3
2008-12-18 10:01
reboost?難道沒有 driver ic ? 還是看全圖以后才更清楚
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孔令志
LV.4
4
2008-12-18 11:12
續(xù)流
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燒管王
LV.2
5
2008-12-27 22:12
@孔令志
續(xù)流
不是吧?驅動也要續(xù)流?
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孔令志
LV.4
6
2008-12-29 09:29
@燒管王
不是吧?驅動也要續(xù)流?
錯了,呵呵,這個位置應該是反饋吧,本人知識有限,呵呵
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2008-12-29 10:05
@孔令志
錯了,呵呵,這個位置應該是反饋吧,本人知識有限,呵呵
接在G D之間的電容是反饋電容,書上介紹要縮短MOS管的導通與關斷時間的話,要減小MOS管的各種極間電容,也就是說加了這個電容后,會增加導通與關斷時間.驅動電機的電路我沒接觸過,只是給你一個參考 ^_^
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燒管王
LV.2
8
2009-01-14 09:11
@sealand_1981
接在GD之間的電容是反饋電容,書上介紹要縮短MOS管的導通與關斷時間的話,要減小MOS管的各種極間電容,也就是說加了這個電容后,會增加導通與關斷時間.驅動電機的電路我沒接觸過,只是給你一個參考^_^
如此一來豈不與我的本意相違背了.到現(xiàn)在還沒想明白!
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2009-01-14 09:27
@sealand_1981
接在GD之間的電容是反饋電容,書上介紹要縮短MOS管的導通與關斷時間的話,要減小MOS管的各種極間電容,也就是說加了這個電容后,會增加導通與關斷時間.驅動電機的電路我沒接觸過,只是給你一個參考^_^
應該是這樣子,加大導通時間使兩個MOSFET導通時間盡可能一致

要是用單個MOSFET應該就沒有必要用這個電容了
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燒管王
LV.2
10
2009-02-25 19:32
@sinican
reboost?難道沒有driveric?還是看全圖以后才更清楚
是的,應該是自舉,和電荷泵的功能相似.
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晶熔鐵
LV.7
11
2009-02-25 20:26
@燒管王
是的,應該是自舉,和電荷泵的功能相似.
各位高手:有沒有可能是穩(wěn)定工作的防振電容?以防PCB布線的分布參數(shù)構成高頻振蕩發(fā)生自激?
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hnsxy
LV.5
12
2009-02-25 21:18
@流水禪心
應該是這樣子,加大導通時間使兩個MOSFET導通時間盡可能一致要是用單個MOSFET應該就沒有必要用這個電容了
小弟更不明白了  下面的MOS導通的話不就直接到地了?這個電路還有什么意義啊
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01061118
LV.3
13
2009-02-25 21:25
緩啟動作用,控制上電瞬間的沖擊電流,你可以做個實驗,
用電流探頭測試上電瞬間的沖擊電流,看加電容與不加電容的
區(qū)別,那就很清楚了.
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晶熔鐵
LV.7
14
2009-02-26 11:10
@01061118
緩啟動作用,控制上電瞬間的沖擊電流,你可以做個實驗,用電流探頭測試上電瞬間的沖擊電流,看加電容與不加電容的區(qū)別,那就很清楚了.
有這個作用!但屬微秒級的吧?
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nettle
LV.3
15
2009-08-10 10:59
@晶熔鐵
有這個作用!但屬微秒級的吧?
電路圖有點問題,上一個MOSFET驅動中150歐電阻應該接到PHASE—U上.但在D與G之間串電容還是第一次見到,對于作用也不是很清楚,希望高手出來解釋一下.
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燒管王
LV.2
16
2010-02-09 13:58
@晶熔鐵
各位高手:有沒有可能是穩(wěn)定工作的防振電容?以防PCB布線的分布參數(shù)構成高頻振蕩發(fā)生自激?
極有可能！今天又發(fā)現(xiàn)不是自舉！
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rich2005
LV.6
17
2010-02-10 15:59
@01061118
緩啟動作用,控制上電瞬間的沖擊電流,你可以做個實驗,用電流探頭測試上電瞬間的沖擊電流,看加電容與不加電容的區(qū)別,那就很清楚了.
比較同意，作用跟米勒電容所引起的現(xiàn)象一樣?？梢詼p緩啟動，2A MOS 大概在幾百nsz左右。
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