對(duì)于智能家居方案開發(fā)設(shè)計(jì),小型化、集成化、高效率都是未來趨勢(shì),氮化鎵參數(shù)優(yōu)勢(shì)在功率器件中的廣泛應(yīng)用正是順應(yīng)了這樣的趨勢(shì)。PI高集成度的InnoSwitch3反激式開關(guān)電源IC適用于小尺寸應(yīng)用,InnoSwitch3具有輸入AC電壓檢測(cè),提供輸入浪涌保護(hù),空載功耗的影響<2mW;內(nèi)部集成了650V/725V/750V功率開關(guān)管;采用同步整流驅(qū)動(dòng),減少二極管導(dǎo)通時(shí)間,增加SR FET導(dǎo)通時(shí)間,實(shí)現(xiàn)最佳效率;采用PI專利的開關(guān)和控制技術(shù),效率極高,損耗極低;利用高速FluxLink耦合技術(shù)代替光耦,使用壽命更長(zhǎng)。
下面是產(chǎn)品實(shí)物圖,引入GaN方案后相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET,氮化鎵開關(guān)管在RDS(ON) 、開關(guān)損耗、總損耗等方面的表現(xiàn)都更出色,無需復(fù)雜的散熱設(shè)計(jì),產(chǎn)品走向小型化。
氮化鎵開關(guān)管的開關(guān)損耗更低:
氮化鎵開關(guān)管的開關(guān)損耗更低:
氮化鎵器件的總損耗大大低于MOSFET: