您好!請(qǐng)給出具體的技術(shù)規(guī)范!
功率較大的高壓電源通常采用EC型磁芯!

技術(shù)規(guī)范
輸入 AC220  輸出 DC6200V/3mA  采用EC磁芯的話 繞線怎么繞?雪兄也別閑著 給小弟支支招啊

用彩電行輸出變壓器骨架磁芯

是不是UYF磁芯?
電路結(jié)構(gòu)采用哪種比較好一些?

如果負(fù)載要求不高!
最大功率只有45W,我建議您用單端反激變換器做!

shuyun兄 雪兄
我曾經(jīng)用UC3843和UYF9.8做過(guò)一反激式6200V/3mA 結(jié)果 如果從300VDC直接向上升 MOS管很容易燒 后來(lái)我從30VDC向上升 發(fā)現(xiàn)MOS管特別燙 而且電流只能在0.3mA以下 看初級(jí)電流 好象已經(jīng)進(jìn)入磁芯飽和狀態(tài) 問(wèn)題  如果我用UC3843 做開(kāi)環(huán)的系統(tǒng) 從300VDC直接向上升 可不可行?或者 shuyun兄 雪兄有現(xiàn)成的電路可以供小弟參考 感激涕淋

為了克服這些!
常規(guī)的高壓電源在設(shè)計(jì)是一般在前級(jí)加有一級(jí)預(yù)穩(wěn)壓電路!
你這臺(tái)電源由于功率不大,故可設(shè)計(jì)成開(kāi)環(huán)系統(tǒng),功率及限流的取樣可改在原邊!

系統(tǒng)的調(diào)試可以用開(kāi)環(huán).
6200V,3mA用反激是很合適的.如果變壓器設(shè)計(jì)的不合理,磁芯進(jìn)入飽和狀態(tài)當(dāng)然會(huì)燒管子.我在論壇里發(fā)過(guò)一篇關(guān)于反激電源變壓器設(shè)計(jì)的帖子,你可以看看,我想一定可以幫上你的忙.另外注意漏感對(duì)反激電路的影響.
如果開(kāi)環(huán)調(diào)試,占空比從0開(kāi)始,輸入電壓300VDC不會(huì)有問(wèn)題.
當(dāng)然,你要注意變壓器分布電容的影響,它會(huì)讓你的MOS管在開(kāi)通的瞬間出現(xiàn)較高的電流尖峰,導(dǎo)致MOS管損耗加大,你可以在變壓器初級(jí)串聯(lián)電感或磁珠來(lái)減輕這種影響,但同時(shí)電源的效率會(huì)降低一點(diǎn).
FLYBACK現(xiàn)成的線路沒(méi)有什么特別的地方,關(guān)鍵是變壓器.如果還有問(wèn)題,我們可以在此繼續(xù)討論,你有波形的話,也可以發(fā)上來(lái).

shuyun兄 雪兄
如果我在前端用TOP做預(yù)穩(wěn)電路 行嗎?但是這樣成本不是很高嗎?采樣的問(wèn)題 也可以在次級(jí)處理吧!我正在考慮能不能用閉環(huán)來(lái)做這個(gè)系統(tǒng),而采樣也直接從次級(jí)采 ,不知道會(huì)遇到什么問(wèn)題

TO 雪兄
在線嗎 可否討論一下我之前做的一個(gè)閉環(huán)系統(tǒng),調(diào)不好只有采用開(kāi)環(huán)調(diào) QQ 76638559

采用哪種控制方式,關(guān)鍵是看你對(duì)輸出的要求.
其實(shí),6200V,不算很高的電壓,完全可以從次級(jí)采樣.我做的300KV的X光電源采樣也是從輸出直接用電阻分壓得到,然后經(jīng)過(guò)一個(gè)高輸入阻抗運(yùn)放的電壓跟隨器,再和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行誤差放大通過(guò)光耦反饋回初級(jí)控制線路.

我以前有個(gè)6位的QQ,因?yàn)楹芫貌挥?被作廢了.
如果可行,我們以后可以嘗試組建一個(gè)基于MSN的網(wǎng)絡(luò)可視電話系統(tǒng).

TO 雪兄
.SCH 可以貼上來(lái)嗎?不好意思, MSN不會(huì)用

圖
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1057802158.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

建議.
從電路中給的參數(shù)看,MOS管的耐壓應(yīng)該為300+(100/2580)X 6200=540V,考慮漏感的存在,電壓會(huì)更高.但我想你采用的是900V的MOS管,所以不應(yīng)該是過(guò)壓造成的.
而空載時(shí),初級(jí)峰值電流達(dá)到20A就明顯有問(wèn)題了.我估計(jì)是由于變壓器的分布電容造成的.所以,一方面,要從變壓器的制作工藝上來(lái)改進(jìn),如增加次級(jí)的繞組層數(shù),增加層間的厚度等.另一方面,在變壓器的初級(jí)串聯(lián)一個(gè)限流電感,如下圖.圖中元件的參數(shù)不一定合適.
至于輸出電壓控制,如果精度要求高的話,必須從輸出采樣.如果精度要求不高,可以從輔助繞組取樣.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1057805430.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

TO 雪兄
變壓器采用的是電視機(jī)的UYF9.8磁芯 高壓部分分槽繞制.
問(wèn)題:1、如何繞制才能減小分布電容?
      2、在變壓器的初級(jí)串聯(lián)一個(gè)限流電感 對(duì)VDS的耐壓是否有影響?

建議
分布電容是永遠(yuǎn)存在的,只能減小,無(wú)法消除.分槽繞制已經(jīng)是個(gè)改進(jìn)了.其他的方法也未必更好.
在初級(jí)串聯(lián)電感對(duì)VDS的耐壓有影響,但只要RCD箝位電路設(shè)計(jì)的合理,不會(huì)帶來(lái)太大的影響.但會(huì)對(duì)整機(jī)效率有影響.如果你希望有較高的效率,可能用雙管反激方式比較好,不用RCD吸收電路了.
還有,此電路為電流斷續(xù)模式比較好.

雪兄
雪兄 真的好慘 用UYF9.8的磁芯和3843調(diào)了很長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)搞定 220VAC輸入上來(lái)就燒 ETD44配怎樣的骨架 怎么繞才會(huì)分布電容和漏感會(huì)最小

感覺(jué)上原理不難
實(shí)際上做起來(lái)肯定這樣那樣的問(wèn)題很多了,也麻煩老兄做好了多寫(xiě)一些心得給我們,謝謝!

關(guān)鍵大家要幫我一起做出來(lái)啊
關(guān)鍵大家要幫我一起做出來(lái)啊

好的啊,如果我能幫忙肯定不會(huì)怠慢
我也做過(guò)幾年的開(kāi)關(guān)電源開(kāi)發(fā),但我做的都是降壓式的而且功率比較小,沒(méi)有老兄您這樣的難度,對(duì)升壓的真的很想了解.

建議:
你所說(shuō)的這種電源我曾做過(guò)實(shí)驗(yàn)!效果不錯(cuò)!
你可按以下的方法試試:
1.各繞組按乞兄所說(shuō)的方法均勻的平鋪!
2.主電路采用反激式變換器,變壓器的磁芯不變!
3.MOS管燒毀應(yīng)該是變壓器的漏感所致!可在其D-S極接一個(gè)LCD無(wú)源箝位吸收回路(其振蕩頻率應(yīng)遠(yuǎn)高于開(kāi)關(guān)頻率)
4.在MOSFET的D極串一個(gè)10UH左右的飽和電感以抑制其尖峰
電流!(在高壓電源中這個(gè)方法很有效, 但須給其加一續(xù)流回
路,如飽和電感的溫升不高可不加)
5.幾千伏的輸出電壓,再者功率很小,做成一級(jí)是可行的;反饋取樣可放在副邊,可按乞兄所說(shuō)的在其反饋回路中串一射極跟隨器,效果顯著!
6.你這臺(tái)設(shè)備輸出的是脈沖高壓還是直流高壓?

補(bǔ)充:
不好意思,我問(wèn)了一個(gè)多余的問(wèn)題!
你這臺(tái)設(shè)備輸出是直流高壓,我覺(jué)得做成CCM模式比較好!
如原邊的過(guò)流保護(hù)正常, MOSFET應(yīng)該不會(huì)損壞! 所以你應(yīng)該先調(diào)好保護(hù)電路,使其正常工作,再通過(guò)測(cè)量其電流取樣點(diǎn)的波形加以判斷! 這樣一來(lái)就可以分析其故障的原因(注:保護(hù)電路在高壓電源中尤其重要)

建議
驅(qū)動(dòng)處的穩(wěn)壓管是不是要放在MOS的GS端(或G與GND),而不是驅(qū)動(dòng)電阻前,這樣不能起到當(dāng)有Crss電流時(shí)穩(wěn)壓嵌位的作用.還有你的線路好像沒(méi)有軟啟動(dòng)線路和補(bǔ)償(圖紙看不清楚).

我提一個(gè)方案,各位看一下.
其實(shí)這個(gè)電源完全可以采用一些新的技術(shù),使其變的容易做.首先用反激是沒(méi)有問(wèn)題的,但不能工作在連續(xù)方式,不管后面怎么整流,都要用電壓比較高的整流管,高壓管一般速度慢,這樣很容易在MOS開(kāi)通時(shí)造成開(kāi)通電流尖峰,這種尖峰3842的限流無(wú)能為力(RC濾波作用和限流延遲),易燒毀MOS,其次是漏感,次級(jí)匝數(shù)必定很多,造成較大漏感,MOS關(guān)斷時(shí)漏感尖峰也可能燒毀MOS,加很大吸收效率下降很大.
  其實(shí)在反擊里面有好幾種軟開(kāi)關(guān)技術(shù)(“專題”里還沒(méi)寫(xiě)),有一種用在這里很合適,既變頻準(zhǔn)諧振,電源工作在連續(xù)和非連續(xù)的臨界狀態(tài),通過(guò)調(diào)頻來(lái)調(diào)節(jié)輸出功率,在MOS的D-S端加一個(gè)電容,MOS關(guān)斷反激能量放完以后,MOS輸出電容(主要是人為加的那個(gè)電容)和變壓器雜散電容的能量使勵(lì)磁電感和這兩個(gè)電容諧振,在諧振電壓的谷點(diǎn)使MOS重新導(dǎo)通,而MOS關(guān)斷時(shí),漏感的能量就儲(chǔ)存在雜散電容和所加的電容中.反饋用通常的方法,這樣做出來(lái)的電源是最美的,并且自動(dòng)具有恒功率輸出的功能.
  各位以為如何?

re:ccm
我也嘗試過(guò)這種技術(shù),但總是不得要領(lǐng),做工程也不允許用過(guò)多的時(shí)間,所以結(jié)果是失敗羅,好技術(shù)真的也要好手來(lái)擺弄,電源工程師的成長(zhǎng)過(guò)程是一個(gè)痛苦的過(guò)程!

理解是很好理解,但怎么實(shí)現(xiàn)“諧振電壓的谷點(diǎn)使MOS重新導(dǎo)通”?
怎么同步?是不是加個(gè)檢測(cè)電路,以該諧振點(diǎn)為準(zhǔn)同步控制PWM工作?這樣PWM就工作在變頻狀態(tài),是不是需要采用專門的PWM控制芯片,老兄如知道請(qǐng)推薦幾款.

你的電源燒壞的是哪個(gè)器件.
如果是MOS,說(shuō)明漏感能量沒(méi)有吸收完,MOS是因?yàn)檫^(guò)壓損壞.需要修改吸收電路.
分布電容和漏感是一對(duì)矛盾的參數(shù).我做過(guò)多次嘗試,發(fā)現(xiàn)分槽繞可以得到較小的分布電容.但分槽繞需要有分槽的骨架,同時(shí)需要注意絕緣問(wèn)題.
如果你選擇常規(guī)的一層一層的繞法,在保證絕緣的前提下,層數(shù)越多,分布電容越小,但漏感就越大.

這樣的IC很多.
隨不說(shuō)多如牛毛,但也不少,自己去各大公司網(wǎng)站看一下,Infineon, Fairchild,ST,ON豆油.

你好!
你所說(shuō)的這種跨模式工作方式,我也做過(guò)相關(guān)的實(shí)驗(yàn),感覺(jué)在高壓電路中不太容易實(shí)現(xiàn)! 且在MOSFET管的D-S極加電容會(huì)使電路寄生振蕩,其振蕩的頻率是不確定的!!(就這一點(diǎn)我調(diào)了整整一個(gè)月)