我有一個問題很疑惑:mosfet并聯(lián)

mosfet并聯(lián)是為了增大電流,可是仿真兩管漏電流之和好像只與VCC,以及負載有關(guān),怎么樣才能看到并聯(lián)擴容的效果呢?希望這樣的問題不要讓大家見笑,不懂就問,希望各位指點迷津!!另外我的圖是否有錯?

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乞力馬扎羅的雪

LV.9

2004-05-10 09:20

???我怎么看不懂你的問題?
MOS并聯(lián)擴流是說并聯(lián)后,電路的電流可以更大,而不會導致MOS過熱或損壞.
如果電路的其他參數(shù)不變,僅增加并聯(lián)的MOS,當然不會讓總電流增加.只是每個MOS的發(fā)熱會降低.
并聯(lián)的本質(zhì)是用多個小功率MOS代替一個大功率MOS.

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yuer_0507

LV.2

2004-05-10 09:31

@乞力馬扎羅的雪

???我怎么看不懂你的問題?MOS并聯(lián)擴流是說并聯(lián)后,電路的電流可以更大,而不會導致MOS過熱或損壞.如果電路的其他參數(shù)不變,僅增加并聯(lián)的MOS,當然不會讓總電流增加.只是每個MOS的發(fā)熱會降低.并聯(lián)的本質(zhì)是用多個小功率MOS代替一個大功率MOS.

謝謝,實在不好意思,初涉這個領域,很多都不懂,實質(zhì)還是沒有搞得很清楚,“兩管并聯(lián)后電流應達到單管的150%”這句話應該怎么理解?麻煩說一下,謝謝!!!!!

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乞力馬扎羅的雪

LV.9

2004-05-10 10:25

@yuer_0507

就是1+1=1.5的意思.
雙管并聯(lián),不可能保證電流的平均分配,必須留有裕量,保證可靠.

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老菜

LV.5

2004-05-10 10:47

相比于其他開關(guān)器件,M0S管幾乎是最適合并聯(lián)了.
并聯(lián)后的導通電阻與電阻并聯(lián)一樣計算.

并聯(lián)的管子最好性能一致.但并不苛刻,也無須留太大余量.
因為M0S管有正溫度糸數(shù)的特性,并聯(lián)時能夠自適應,能安全的能者多勞,
理論上,并聯(lián)的小團體中誰過熱了,會自動把電流均出去,由不熱的接替.
實際上也就不會有誰特別熱了.

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