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原創(chuàng): EMI 產(chǎn)生分析及無Y 電容充電器設計(無專利的內(nèi)層屏蔽繞組)

1)EMI 產(chǎn)生
2)EMI 分析
3)無Y 電容充電器設計(無專利的內(nèi)層屏蔽繞組)1125547080.pdf
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LV.1
2
2005-09-01 14:14
不錯,別讓它沉下去.
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adlsong
LV.5
3
2005-09-05 16:43
@
不錯,別讓它沉下去.
Thanks.

i only hope it can help everyone for EMI as a reference.
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LV.1
4
2005-09-06 08:09
無Y點容是不是在歐美強制執(zhí)行?有可參考的文件嗎?比如類似家用電器產(chǎn)品.
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2005-09-06 09:19
8錯8錯!!!!
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nedved111
LV.6
6
2005-09-06 09:59
@
無Y點容是不是在歐美強制執(zhí)行?有可參考的文件嗎?比如類似家用電器產(chǎn)品.
很好   要是中文的就更好了

謝謝
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adlsong
LV.5
7
2005-09-06 11:57
@
不錯,別讓它沉下去.
有人看為什么沒有人回!
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adlsong
LV.5
8
2005-09-06 12:44
@nedved111
很好  要是中文的就更好了謝謝
沒辦法,我們寫這東西得用E文.主要是沒時間,有空就翻譯為中文.
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LV.1
9
2005-09-07 08:50
9494
0
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adlsong
LV.5
10
2005-09-07 09:10
@
9494
目前還沒有,對于手機充電器現(xiàn)在有很多這樣的設計.
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ysun
LV.6
11
2005-09-07 09:26
@adlsong
目前還沒有,對于手機充電器現(xiàn)在有很多這樣的設計.
好,還沒仔細看,感覺很不錯.
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adlsong
LV.5
12
2005-09-07 12:41
@ysun
好,還沒仔細看,感覺很不錯.
專利的屏蔽技術相對來說也繞一些.當然抖頻對改善平均值有好處!
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逍遙子
LV.5
13
2005-09-07 13:25
好貼.還是希望有中文的.
看中文省力氣.
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adlsong
LV.5
14
2005-09-07 19:11
@逍遙子
好貼.還是希望有中文的.看中文省力氣.
謝謝,有空盡快就做!
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aming
LV.5
15
2005-09-07 19:59
寫得真好!可以作為博士論文了.
看過現(xiàn)在某名牌大學的碩士生論文,沒什么技術含量.
另外覺得FIGURE14/15分析不夠清晰,感覺分布電容電流會更大.
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liuzhuangx
LV.3
16
2005-09-07 21:15
@adlsong
沒辦法,我們寫這東西得用E文.主要是沒時間,有空就翻譯為中文.
支持,希望你能快點
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power399
LV.5
17
2005-09-07 21:24
@adlsong
謝謝,有空盡快就做!
adlsong大師,謝謝你,能出中文版嘛.到時還是發(fā)在這貼下面吧,我們好找.收藏此貼!
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kowajw
LV.3
18
2005-09-07 21:57
8錯,支持一下
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2005-09-08 08:18
@kowajw
8錯,支持一下
支持
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adlsong
LV.5
20
2005-09-08 09:46
@power399
adlsong大師,謝謝你,能出中文版嘛.到時還是發(fā)在這貼下面吧,我們好找.收藏此貼!
別那樣稱呼,大家都是朋友,多多交流.
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kenuo
LV.4
21
2005-09-08 11:45
好,頂!
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ysun
LV.6
22
2005-09-08 16:56
@adlsong
專利的屏蔽技術相對來說也繞一些.當然抖頻對改善平均值有好處!
謝謝,真的寫的不錯,我看了一部分了,英文的看的慢,我們一個電源,FLYBACK的Y1電容錯用成Y2電容,使紋波降低了好多.什么道理?這么好的一個貼子討論下去.
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ysun
LV.6
23
2005-09-08 16:59
@ysun
謝謝,真的寫的不錯,我看了一部分了,英文的看的慢,我們一個電源,FLYBACK的Y1電容錯用成Y2電容,使紋波降低了好多.什么道理?這么好的一個貼子討論下去.
我一直沒弄清楚Y電容如何抑制共模干擾.
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adlsong
LV.5
24
2005-09-09 11:06
@aming
寫得真好!可以作為博士論文了.看過現(xiàn)在某名牌大學的碩士生論文,沒什么技術含量.另外覺得FIGURE14/15分析不夠清晰,感覺分布電容電流會更大.
謝謝.
一般寬的窗口可減小初級的層數(shù)從而降低總體的分布電容,本文主要是在初級層數(shù)較多如四層的條件的補償設計.主要是提供一種想法和補償?shù)姆较蚝头椒?一定的骨架在保證一定的飽和電流的時候,初級一般會用多層結構.
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flute
LV.8
25
2005-09-09 12:05
大哥,快點搞成中文,小弟,急需中文的啊!!!!!!謝謝!!!!
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adlsong
LV.5
26
2005-09-09 15:14
@flute
大哥,快點搞成中文,小弟,急需中文的啊!!!!!!謝謝!!!!
我也想快點,但我得干活,請大家耐心等待,而且會加一些充實的內(nèi)容,如相對復雜但余量更大的結構.PI的專利結構等等.
再次謝過交流討論的朋友們!
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nedved111
LV.6
27
2005-09-09 15:18
@adlsong
我也想快點,但我得干活,請大家耐心等待,而且會加一些充實的內(nèi)容,如相對復雜但余量更大的結構.PI的專利結構等等.再次謝過交流討論的朋友們!
期待中  樓主當然是工作第一   這個可以有空的時候弄一下就好了
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power399
LV.5
28
2005-09-09 15:43
@adlsong
我也想快點,但我得干活,請大家耐心等待,而且會加一些充實的內(nèi)容,如相對復雜但余量更大的結構.PI的專利結構等等.再次謝過交流討論的朋友們!
支持樓主,不過還是希望樓主盡可能快一點,因為看到這么好的文章不能看明白,悶的很啊.樓主加油啊!!!
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bszgl
LV.3
29
2005-09-09 16:34
ding
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anycall
LV.2
30
2005-09-09 16:47
正是我想找的,還請麻煩翻譯成中文,謝謝!
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adlsong
LV.5
31
2005-09-12 09:31
這篇文章是在去年底完成的.事實上,在寫這篇文章的時候,就是希望從理論和實際上比較全面總結自己的實際的工作.文字的敘述和闡述對于我并不是很困難,主要的問題是文中的所有插圖.我希望所有的插圖漂亮、工整而且美觀,同時又能簡潔、明析和直觀的表達文中需要說明的內(nèi)容,這花費了我不少的時間,如此回過頭來看,還是認為值得的.
為了和眾多的朋友能進一步的交流,在這個周末終于完成的中文版,完成后自己看過了三遍,主要是想盡可能的校正一些敘述語言上的錯誤以及鍵盤輸入的錯誤,以免產(chǎn)生歧義.
謝謝大家.
1126488672.pdf
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