由于設(shè)備問題,暫時不能上傳波形圖,我作一說明看能不能解決,芯片使用TL494,494放二次側(cè)驅(qū)動兩同步整流MOS,通過小驅(qū)動變壓器耦合至一次側(cè)驅(qū)動兩主MOS,期望在死區(qū)時兩主MOS關(guān)閉,兩同步整流MOS同時導(dǎo)通,但是現(xiàn)在在死區(qū)時會有一個主MOS的驅(qū)動產(chǎn)生一個較高電平(比完全導(dǎo)通時低)使主MOS誤動作而導(dǎo)通,另一個主MOS也是這種情況,也就是說在死區(qū)時總有一個MOS是導(dǎo)通的,這時損耗很大.
驅(qū)動均為494出來圖騰柱驅(qū)動,高電平控制主MOS導(dǎo)通,低電平控制同步整流MOS導(dǎo)通.
大家看得懂我的敘述嗎?幫我看看,指點一下,謝謝!
問題:TL494做的半橋同步整流驅(qū)動問題請教老師
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