RE
MOSFET的GS間存在一個電容,這個電容會影響驅(qū)動時柵極電壓的上升率,同時在DS間存在miller電容,當MOSFET開通時,此電容會放電,從驅(qū)動端索取電流,從而使柵極電壓上升率降低.如果驅(qū)動電流不夠,導致MOS管從關斷到導通的過渡狀態(tài)時間太長,會加大MOS管的損耗.關斷時,如果驅(qū)動電流不夠,導致柵極電壓下降速度慢,也會加大MOS的損耗.

同意!確實是這樣的!
很多MOSFET的資料上都說了這一點!

good, a good question
確實,如good所描述的,如果我們在設計的時候沒有把握好所采用的MOSFET的控制參數(shù),選用的參數(shù)不當,會出現(xiàn)“驅(qū)動電流不夠”或“需要增大驅(qū)動電流!”等現(xiàn)象,所以,我建議,勤筆免思,多做試驗,多記錄,及時總結(jié)

哈哈,看見高手了吧
所以你在設計電源之間,要考慮好什么樣的驅(qū)動芯片,看能力來選擇MOSFET,不能覺得Ron小就好,往往她的輸入端電容比較大,反而不理想.所以設計電源也要用到折衷的原理.

RON小和輸入電容大是兩方面事,應分別解決.經(jīng)濟承受了用RON小的,與輸入電容無關.

本來就是
做開關電源考慮的是全局最優(yōu)

leon說的結(jié)果是對的.
Ron小的管子其輸出電容和上升和下降時間都長,結(jié)果是開通和關斷損耗都變大,確實需要綜合考慮.當Ron減小時減小的損耗大于其輸出電容增加和上升和下降時間延長增加的損耗時,再用Ron再小的管子就不經(jīng)濟了.那你可能問:為什么廠家把Ron做的越來越低?這要看其應用范圍,在低壓應用和開關頻率不高時Ron小是有其巨大優(yōu)勢的.

補充一下.
大家可能都看到MOS驅(qū)動波形上升和下降沿都有一個小臺階,這就是miller電容引起的,上升時:當驅(qū)動電壓上升到臺階時,MOS開始導通,D-S間電壓迅速下降,miller電容快速放電,向樓上所說,從驅(qū)動端索取電流,所以電壓會下降一點,當miller電容放完電后電壓再上升.驅(qū)動波形下降沿是同樣的道理,不再重復.

加一節(jié)驅(qū)動(互補射隨)
驅(qū)動芯片的能力總是有限的,在不足夠的情況下,可以加一節(jié)互補射隨來驅(qū)動,以增加驅(qū)動能力.
MOS管的選擇應該根據(jù)管子的在電路中要求承受的耐壓和電流.

能具體點嗎?
你講的是針對什么芯片,驅(qū)動什么樣的MOSFET還是IGBT啊?

驅(qū)動較大功率的MOSFET和IGBT的時候
芯片:基本上多可以,常用的3842,494,3525,3875等多可以.

非常感謝各位的解答!只是-----------
如何確定驅(qū)動電流和GS間分布電容的關系?比如,40PF的電容,用多大驅(qū)動電流?

根據(jù)G極電壓上升時間決定,或者說根據(jù)開關的速度要求決定.
就是電容充電到一定電壓所需要的時間.來決定充電電流的大小.

久仰老兄大名,是不是這樣?
用恒流給電容充電,根據(jù)需要的電容電壓.計算上升時間.

大概可以這么估算.
但我們的驅(qū)動一般是恒壓.要考慮MILLER電容的放電.

請問:如果我在mos珊源極兩端并上一個電容,對驅(qū)動有什么影響呢
如果我在mos珊源極兩端并上一個電容,對驅(qū)動有什么影響?

通常情況會延緩驅(qū)動,增大開通損耗
但你的情況好象是驅(qū)動電流過大所致,看你的下降時間過長,最好加一級瀉放.

我最大時電容加到10萬pf
驅(qū)動時間也沒有什么明顯的變化,只是驅(qū)動840很燙.
后來去掉了840,直接用lt1680驅(qū)動,電容我也加到,16000pf,也沒什么變化.

那能不能這樣認為
驅(qū)動波形兩邊的小臺階就是MOS管的上升時間和下降時間呢?

那能不能這樣認為
驅(qū)動波形兩邊的小臺階就是MOS管的MILLER電容放電時間和充電時間呢?