電路結構是這樣的，3525推挽升壓，后面全橋逆變。
電路參數(shù)如下，
電路的前級吸收RC吸收，在兩個IGBT的ce間分別加20歐姆金屬膜電阻加332安規(guī)電容。
觀察波形，發(fā)現(xiàn)一頭一尾毛刺很高。
接著在它的基礎上，電路的后級在每個整流二極管上加RC鉗位，都并聯(lián)的20歐姆金屬膜電阻加332安規(guī)電容，發(fā)現(xiàn)波形開通時有向下的小缺口，其他變化倒是不大。
當時低壓直流輸入電壓是3.8v，升壓輸出是25v
一圖1通道是ce波形，2通道是對應的驅動波形
二圖是兩管對應的波形。
有以下問題想請教高手：
1.為啥本管關閉時有這么大毛刺呀？和前級、后級的吸收鉗位有關系嗎？這個吸收鉗位值如何來選取比較合適呢？
2.再后級吸收每個二極管上加rc后出現(xiàn)向下的小缺口，這個什么原因呢？
謝謝高手。
