此電路渦流加熱效果是否會變得很低呀?

諧振參數(shù)改變會降低發(fā)熱效率.

效率低在何處,可以講下嗎,這種電路會使控制變得簡單安全,效率低可以用提高開關(guān)頻率補償,能量的損耗會增加嗎?損耗在何處?

行外人插兩句.
1、你試過嗎?從開題來看,你說得那么肯定,好像你試過.
2、我感覺肯定要燒管子.

諧振時電路工作效率最高.

如果用二極管代替諧振電容的話,我覺得根本就行不通.
我認為,IGBT導(dǎo)通的時候,電流經(jīng)L2,L1流過IGBT.而截止的時候,L1上面的電荷將會經(jīng)過二極管迅速放掉.然后將會進行下一次的工作
但是這樣的話,L1上面的電流應(yīng)該形成不了交變的磁場.請問交變的磁場都產(chǎn)生不了,那怎么加熱.

北京京儀椿樹整流器有限責(zé)任公司(原北京椿樹整流器廠)是集科研、開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營、技術(shù)服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè),是我國最早生產(chǎn)電力電子半導(dǎo)體器件和電力電子變流裝置的專業(yè)化企業(yè),是中國變流行業(yè)的骨干企業(yè)之一.公司2000年3月通過了ISO9001質(zhì)量體系認證、2003年12月11日完成了ISO9001-2000版的轉(zhuǎn)版工作,2003年成為英國DYNEX半導(dǎo)體有限公司中國銷售代理,2003年5月獲得北京市對外經(jīng)濟貿(mào)易委員會簽發(fā)的進出口企業(yè)資格證書.  公司于80年代中期和90年代初,先后兩次引進英國馬克尼公司(現(xiàn)為DYNEX半導(dǎo)體有限公司)制造技術(shù)和關(guān)鍵設(shè)備.公司電力電子半導(dǎo)體器件主導(dǎo)產(chǎn)品有:ZP型普通整流管、KP型普通晶閘管、KK型快速晶閘管、KS型雙向晶閘管、ZX型旋轉(zhuǎn)整流管、降壓硅鏈、大功率門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR)、快速恢復(fù)二極管、功率模塊、組件及功率單元等;電力電子變流裝置主導(dǎo)產(chǎn)品有:充電專用設(shè)備(GC、KGC、KGV、IGC系列)、電鍍用整流設(shè)備(GD、KGD、IGD、KGDS、IGDF系列)、電機調(diào)速設(shè)備(KGS1、KGS2、KGS42、KGLF11-12系列)、電化學(xué)用硅整流設(shè)備(GH、GE、KGY、GX、GQ系列)、感應(yīng)加熱及熱處理設(shè)備(IGPF、KT系列等)、分合閘整流設(shè)備(KGV、GKA41、42、KKAN、GKA11、12、13系列)等,同時能夠生產(chǎn)制作各種干式變壓器、配電柜、電抗器等.       非常希望與貴公司合作

看書上說,電磁灶的線盤、電容、功率管組成一個逆變電路,
我想如果沒有在線盤上產(chǎn)生大的電場,
如何把能量傳給氣隙有十一毫米的鍋呢?
如果直接用二極管接,瞬時的能量它能經(jīng)受得起嗎?

二極管和IGBT 的直通電流很大,而且二者都有壓降這將引起功率損耗.如果用電容的話,能量會回饋到電感回路的,故二者的損耗是截然不一樣的.

從理論中分析是可以的,不過續(xù)流電流大,對IGBT有沖擊,線圈是個感性,在電路中是個用電器,這樣用2極管多此一舉,諧振電容是保護功率管的

哦,加2極管把線圈反電勢短路了,損耗大,壞2極管

諧振電容C3的必須要,它的作用體現(xiàn)在t2--t3--t4時間段內(nèi),L1與C3進行能量的轉(zhuǎn)換,t1--t2:I減小,電感能量減小,V上升,電容能量增加;t3--t4,恰好相反.正是L1,C3參數(shù)的配合決定了諧振頻率,相應(yīng)決定了IGBT的驅(qū)動頻率.在t4時刻,V=0,IGBT導(dǎo)通,實現(xiàn)了ZVS

大哥  這樣是不行的!我早試過拉!你會發(fā)現(xiàn),你又做了一個電磁鐵哦!根本不能加熱!鍋一放上就吸住了!呵呵

老大!這樣是不行的,這樣的話IGBT導(dǎo)通不是在0電壓下,IGBT在任何時候?qū)ǘ际钦骱蟮碾妷?這么高的電壓很容易炸管的

我暈啊,前年的貼你們才發(fā)現(xiàn)啊,我當時發(fā)貼了咋沒個高手給點拔下啊.
當時初入行,現(xiàn)在早知道了啊.這樣不行的,不過當時實在不知道,又沒個人請教,上論壇,知道的高手就沒一個人理.其實這應(yīng)該是個基本概念,搞感應(yīng)加熱的都應(yīng)該會的,可就沒懂行的搭理下,哎.
還是謝謝各位.

正解！

請問用感應(yīng)加熱的原理是否可以做成無線充電.

這么早的貼子。。。。