MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間,一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù),以及在不同的應(yīng)用,應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間,一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù),以及在不同的應(yīng)用,應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
首先,來做一個實驗,把一個MOSFET的G懸空,然后在DS上加電壓,那么會出現(xiàn)什么情況呢?很多工程師都知道,MOS會導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢?因為我根本沒有加驅(qū)動電壓,MOS怎么會導(dǎo)通?用下面的圖,來做個仿真:
去探測G極的電壓,發(fā)現(xiàn)電壓波形如下:
G極的電壓居然有4V多,難怪MOSFET會導(dǎo)通,這是因為MOSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
關(guān)于MOSFET的寄生參數(shù)的描述,可以參考蜘蛛先生的帖子:http://bbs.dianyuan.com/topic/579603
這種情況有什么危害呢?實際情況下,MOS肯定有驅(qū)動電路的么,要么導(dǎo)通,要么關(guān)掉。問題就出在開機,或者關(guān)機的時候,最主要是開機的時候,此時你的驅(qū)動電路還沒上電。但是輸入上電了,由于驅(qū)動電路沒有工作,G級的電荷無法被釋放,就容易導(dǎo)致MOS導(dǎo)通擊穿。那么怎么解決呢?
在GS之間并一個電阻.
那么仿真的結(jié)果呢:
幾乎為0V.
那什么叫驅(qū)動電阻呢,通常驅(qū)動器和MOS的G極之間,會串一個電阻,就如下圖的R3。
驅(qū)動電阻的作用,如果你的驅(qū)動走線很長,驅(qū)動電阻可以對走線電感和MOS結(jié)電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常,現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊,走線電感非常小。
第二個,重要作用就是調(diào)解驅(qū)動器的驅(qū)動能力,調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動能力,而不能提高。
對上圖進行仿真,R3分別取1歐姆,和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。
紅色波形為R3=1歐姆,綠色為R3=100歐姆??梢钥吹?,當(dāng)R3比較大時,驅(qū)動就有點力不從心了,特別在處理米勒效應(yīng)的時候,驅(qū)動電壓上升很緩慢。