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請問版主：1、Lp是指變壓器原邊的激磁電感嗎？如果是的話，前面你不是假設(shè)Lp為無窮大嗎？這里應(yīng)該如何分析呢？2、副邊反射電感Ls與Lp及Lk的連接關(guān)系是怎樣的呢？是與二者串聯(lián)的嗎？謝謝！

最后一個應(yīng)該是Ls=Lf*n^2>>Lr吧？

最近講座很頻繁呀，真是造福我等電源菜鳥！感謝電源網(wǎng) 

這位兄弟說的可能是諧振復(fù)位正激變換器，它是利用變壓器激磁電感與MOSFET結(jié)電容進行諧振復(fù)位的，但是所需的電感量和電容量是需要詳細計算的，通常需要對正激變壓器開氣隙才行。

很棒的資源，正好這兩天在研究反激，感謝您的資料！

自個兒繼續(xù)頂！

這個是由于MOSFET漏源電壓變化對其寄生電容Cdg,Cgs充電引起的，可以選擇Cdg:Cgs大一些的MOSFET。只要保證這個尖峰不超過MOSFET的開啟電壓Vth就沒問題了。個人愚見，歡迎拍板，呵呵。

樓主講得很好，我這兩天也正在研究全橋移相電路，希望樓主能夠再分析得深入些，造福我等菜鳥，呵呵。

請問在大功率的系統(tǒng)中如果有幾個開關(guān)管并聯(lián)，還能用上文介紹的那些高端驅(qū)動芯片來驅(qū)動嗎？

樓主請您繼續(xù)講下去，我們都等著聽課呢，呵呵！