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求助:全橋驅(qū)動(dòng)信號(hào)的干擾問題

用兩個(gè)IR2110搭了一個(gè)逆變?nèi)珮颍Y(jié)構(gòu)如圖,1/4管驅(qū)動(dòng)相同,2/3管驅(qū)動(dòng)相同

光耦、2110、兩個(gè)MOS的下管S極、電解電容負(fù)極直接用地網(wǎng)接到一起

 

但使用時(shí)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題,1/4管開通時(shí),2/3管的驅(qū)動(dòng)會(huì)跳動(dòng)一下,2/3管驅(qū)動(dòng)時(shí),1/4管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)也會(huì)跳動(dòng)一下,負(fù)載電流越大,這個(gè)跳動(dòng)的高度越大。雖然現(xiàn)在為止還沒燒過管子。不過由于這個(gè)跳動(dòng)尖峰,已經(jīng)不敢往上加功率了。

個(gè)人猜想,這個(gè)干擾是開通時(shí)的大電流導(dǎo)致的,怎樣屏蔽這一影響?

前輩們有沒有遇到過這種現(xiàn)象,怎樣解決的?

  

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2011-07-11 23:15
這個(gè)是由于MOSFET漏源電壓變化對(duì)其寄生電容Cdg,Cgs充電引起的,可以選擇Cdg:Cgs大一些的MOSFET。只要保證這個(gè)尖峰不超過MOSFET的開啟電壓Vth就沒問題了。個(gè)人愚見,歡迎拍板,呵呵。
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lwqzzpp
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3
2011-07-12 01:04
**此帖已被管理員刪除**
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sdkfz171
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2011-07-12 05:15
@edifierwjq
這個(gè)是由于MOSFET漏源電壓變化對(duì)其寄生電容Cdg,Cgs充電引起的,可以選擇Cdg:Cgs大一些的MOSFET。只要保證這個(gè)尖峰不超過MOSFET的開啟電壓Vth就沒問題了。個(gè)人愚見,歡迎拍板,呵呵。

恩,正常情況下這里的確是有個(gè)尖峰,但小到基本沒影響。我這次尖峰比較大的原因已經(jīng)基本清楚了,是驅(qū)動(dòng)本身有問題,換了一片就好了。

此貼打住,請(qǐng)版主封貼吧

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sdkfz171
LV.3
5
2011-07-12 05:19
@lwqzzpp
**此帖已被管理員刪除**
你是電氣專業(yè)的學(xué)生嗎,如果不是的話,至少要是工科背景的吧,否則估計(jì)會(huì)有點(diǎn)吃力。我也是第一次折騰開關(guān)電源,我現(xiàn)在看過的書只有數(shù)電、模電、電力電子和老外的一本開關(guān)電源技術(shù),呵呵
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