基于mosfet的電路輸出不穩(wěn)定
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@lakers3721
[圖片]讓你記得我的好兄，這是我的驅(qū)動輸出波形，卻是上升過程中共有個下跌的現(xiàn)象，這是不是就是你說的米勒效應(yīng)？該如何解決呢？是因為驅(qū)動能力不夠還是驅(qū)動電阻的問題呢？ 另外，我用的mos管（ixfx26N120P）Ciss的值有點大，為14nF.
驅(qū)動的確有點問題。
但是，是否這個驅(qū)動問題就是造成輸出的問題，二者之間是否有聯(lián)系。你最好能把兩個波形同時觀察。這樣可以幫助判斷。
因為不清楚你的實際電路。所以無法判斷你的問題究竟是驅(qū)動能力不夠，還是驅(qū)動電阻的問題。
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@讓你記得我的好
驅(qū)動的確有點問題。但是，是否這個驅(qū)動問題就是造成輸出的問題，二者之間是否有聯(lián)系。你最好能把兩個波形同時觀察。這樣可以幫助判斷。因為不清楚你的實際電路。所以無法判斷你的問題究竟是驅(qū)動能力不夠，還是驅(qū)動電阻的問題。
照理說接的應(yīng)該與驅(qū)動波形前沿這個凹陷沒有關(guān)系，因為驅(qū)動信號時前沿有凹陷，對應(yīng)的mos開通，負(fù)載輸出前沿沒問題，而其出問題的是后沿，即mos關(guān)斷后出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。我嘗試過把驅(qū)動電阻調(diào)大，則輸出脈沖前沿便緩，但是出現(xiàn)不穩(wěn)定的起始電壓提高了，約為2.7kV（原來是1.5kV左右）。如下圖所示:
mos管GS兩端的電壓波形：
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@lakers3721
照理說接的應(yīng)該與驅(qū)動波形前沿這個凹陷沒有關(guān)系，因為驅(qū)動信號時前沿有凹陷，對應(yīng)的mos開通，負(fù)載輸出前沿沒問題，而其出問題的是后沿，即mos關(guān)斷后出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。我嘗試過把驅(qū)動電阻調(diào)大，則輸出脈沖前沿便緩，但是出現(xiàn)不穩(wěn)定的起始電壓提高了，約為2.7kV（原來是1.5kV左右）。如下圖所示:[圖片] [圖片] mos管GS兩端的電壓波形：[圖片]
最下面的這張圖，里面兩個信號分別是什么？
另外，請貼出你的實際電路圖。
用MOS管來做，和你仿真的那個圖，實際上是有些區(qū)別的。主要是驅(qū)動部分的共地，可能存在問題。
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@lakers3721
[圖片] 上圖中藍(lán)色是Ciss=14nF時候在mos管GS兩端的波形，綠色是Ciss=6600pF時候的mos管GS兩端的波形。而我現(xiàn)在認(rèn)為即使下降沿的那個尖造成了MOS管的二次導(dǎo)通造成工作不穩(wěn)定。[圖片]這是一節(jié)MOS管的驅(qū)動電路。能幫我分析下原因嗎？
我仔細(xì)看了你的測試結(jié)果。從結(jié)果來看，應(yīng)該是miller效應(yīng)造成的。
IXFK26N120的管子，Ciss=14nF，Crss=50pF
IXFX24N100的管子，Ciss=8.7nF，Crss=315pF
從管子的參數(shù)可以看出來，同樣的驅(qū)動電阻下，IXFK26N120的柵極電壓上升速度要慢一些，會使輸出脈沖的上升沿不夠陡。但是，IXFK26N120的miller電容小很多，同樣的驅(qū)動條件下，他的輸出脈沖由于miller效應(yīng)造成的MOS二次導(dǎo)通要出現(xiàn)在更高的工作電壓下。
建議你從幾個方面去改進(jìn)你的電路。
一是換用更大驅(qū)動能力的IC，IXYS應(yīng)該有的。
另一方面，不要使用IXFX24N100這種MOS了，因為其miller電容比例偏大。而且，IXYS也不在新設(shè)計產(chǎn)品中推薦使用了。
還有，你可能需要檢查一下你的驅(qū)動線路的走線，從你的驅(qū)動波形上看，感覺驅(qū)動部分的走線可能不是很好。如果效果還是不佳，可以考慮把驅(qū)動部分裝一個PNP的三極管，就近接在MOS的GS，在關(guān)斷MOS的時候，能提供盡量短的GS放電途徑。
最后，希望能及時更新你的實驗結(jié)果。
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@讓你記得我的好
我仔細(xì)看了你的測試結(jié)果。從結(jié)果來看，應(yīng)該是miller效應(yīng)造成的。IXFK26N120的管子，Ciss=14nF，Crss=50pFIXFX24N100的管子，Ciss=8.7nF，Crss=315pF從管子的參數(shù)可以看出來，同樣的驅(qū)動電阻下，IXFK26N120的柵極電壓上升速度要慢一些，會使輸出脈沖的上升沿不夠陡。但是，IXFK26N120的miller電容小很多，同樣的驅(qū)動條件下，他的輸出脈沖由于miller效應(yīng)造成的MOS二次導(dǎo)通要出現(xiàn)在更高的工作電壓下。建議你從幾個方面去改進(jìn)你的電路。一是換用更大驅(qū)動能力的IC，IXYS應(yīng)該有的。另一方面，不要使用IXFX24N100這種MOS了，因為其miller電容比例偏大。而且，IXYS也不在新設(shè)計產(chǎn)品中推薦使用了。還有，你可能需要檢查一下你的驅(qū)動線路的走線，從你的驅(qū)動波形上看，感覺驅(qū)動部分的走線可能不是很好。如果效果還是不佳，可以考慮把驅(qū)動部分裝一個PNP的三極管，就近接在MOS的GS，在關(guān)斷MOS的時候，能提供盡量短的GS放電途徑。最后，希望能及時更新你的實驗結(jié)果。
多謝，讓你記得我的好兄指導(dǎo)，我會及時更新實驗測試結(jié)果的。順便更正一下哈，
我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。
IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.
另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.
以下是目前的PCB圖：
以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動)：
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@lakers3721
多謝，讓你記得我的好兄指導(dǎo)，我會及時更新實驗測試結(jié)果的。順便更正一下哈，我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.以下是目前的PCB圖：[圖片] 以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動)：[圖片]
嗯，miller電容指的是Crss。
從IXFX24N100F的參數(shù)上看，它的miller效應(yīng)會非常明顯。如果驅(qū)動部分設(shè)計的不好或者引線太長，那么你所看到的二次開通的問題還會依然存在而且會比較嚴(yán)重。
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@lakers3721
多謝，讓你記得我的好兄指導(dǎo)，我會及時更新實驗測試結(jié)果的。順便更正一下哈，我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.以下是目前的PCB圖：[圖片] 以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動)：[圖片]
PCB的走線存在嚴(yán)重問題。驅(qū)動的地線轉(zhuǎn)來轉(zhuǎn)去轉(zhuǎn)了個大圈圈。
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@lakers3721
多謝，讓你記得我的好兄指導(dǎo)，我會及時更新實驗測試結(jié)果的。順便更正一下哈，我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.以下是目前的PCB圖：[圖片] 以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動)：[圖片]
我把驅(qū)動的環(huán)路用兩種顏色的線標(biāo)了一下，你看看。綠色的是高電平的時候驅(qū)動電流環(huán)路。白色是低電平的時候，柵極電容放電的環(huán)路。
這么大的環(huán)路，結(jié)果肯定不會好的。
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@lakers3721
這次我8級加壓，充電電壓700V(輸出大約6kV)時候，感覺MOS發(fā)出“滴滴滴滴”的響聲，隨著電壓升高響聲更大，輸入電壓加到900V時候，板子電源隔離模塊不同程度出現(xiàn)燒壞情況。請問這是咋回事呢？是不是MOS工作于太快造成的？(數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)注的上升沿為55ns,而我現(xiàn)在實測MOS上升沿為30ns)
不好說。要看整個系統(tǒng)的電路來分析。另外，和系統(tǒng)中的MOS和二極管的特性有關(guān)系。另外，要注意選擇miller電容小的MOS，因為miller電容在電壓高的情況下，影響尤其明顯。
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