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[圖片] 讓你記得我的好兄，我現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)一個問題，圖中畫圓圈處可能是由于驅(qū)動電路受到強電干擾造成的，因為我將驅(qū)動電路板單獨用隔離變壓器隔離后效果要好很多，請問有什么措施可以增強驅(qū)動電路板的抗干擾能力？

這次我8級加壓，充電電壓700V(輸出大約6kV)時候，感覺MOS發(fā)出“滴滴滴滴”的響聲，隨著電壓升高響聲更大，輸入電壓加到900V時候，板子電源隔離模塊不同程度出現(xiàn)燒壞情況。請問這是咋回事呢？是不是MOS工作于太快造成的？(數(shù)據(jù)手冊上標注的上升沿為55ns,而我現(xiàn)在實測MOS上升沿為30ns)

感謝讓你記得我的好大哥，按照您給的提示，我重新做了板子，輸出效果好很多了?，F(xiàn)在還有一個問題就是，當電壓加的比較高的時候，輸出波形會有一個凹陷，在電壓比較低(5kV以下)的時候則是正常。請問這事什么原因呢？如圖所示：[圖片] [圖片] 

讓你記得我的好兄，你的意思是驅(qū)動電流回路和柵極電容放電回路應盡量短？像制作這種板子，一般都有什么原則呢？因為我是初次走線，主要考慮的是為避免相互干擾，器件盡量分開些，沒考慮到回路長了對驅(qū)動電路有這么大影響。

多謝，讓你記得我的好兄指導，我會及時更新實驗測試結果的。順便更正一下哈，我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.以下是目前的PCB圖：[圖片] 以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動)：[圖片] 

[圖片] 上圖中藍色是Ciss=14nF時候在mos管GS兩端的波形，綠色是Ciss=6600pF時候的mos管GS兩端的波形。而我現(xiàn)在認為即使下降沿的那個尖造成了MOS管的二次導通造成工作不穩(wěn)定。[圖片]這是一節(jié)MOS管的驅(qū)動電路。能幫我分析下原因嗎？ 

  照理說接的應該與驅(qū)動波形前沿這個凹陷沒有關系，因為驅(qū)動信號時前沿有凹陷，對應的mos開通，負載輸出前沿沒問題，而其出問題的是后沿，即mos關斷后出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。我嘗試過把驅(qū)動電阻調(diào)大，則輸出脈沖前沿便緩，但是出現(xiàn)不穩(wěn)定的起始電壓提高了，約為2.7kV（原來是1.5kV左右）。如下圖所示:[圖片] [圖片]  mos管GS兩端的電壓波形：[圖片]  

  [圖片]讓你記得我的好兄，這是我的驅(qū)動輸出波形，卻是上升過程中共有個下跌的現(xiàn)象，這是不是就是你說的米勒效應？該如何解決呢？是因為驅(qū)動能力不夠還是驅(qū)動電阻的問題呢？ 另外，我用的mos管（ixfx26N120P）Ciss的值有點大，為14nF.

我來啦，我正在學習，頂

sometimes大哥，你好，能不能幫我看下我的電路問題呢？[圖片] 我最近在調(diào)試基于Marx原理的電路，采用的是mosfet開關ixfx26n120p,驅(qū)動器是ixys公司的4A驅(qū)動器ixdn604。驅(qū)動輸出為：[圖片] 我采用的是4節(jié)電路，當充電電壓較低，即負載輸出電壓較低時，輸出正常，但是但輸出電壓達到1.5KV以上時，輸出波形就不穩(wěn)定，如圖所示：[圖片] 請問這是什么原因呢？