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請(qǐng)教：RCD電阻比較燙

在調(diào)試的過(guò)程中，改變RCD的R和C,分別是27nF并15K和47nF并75K，電阻是兩個(gè)2W的并聯(lián)的。在265V，滿載的情況下，電阻都比較燙，然后測(cè)量RCD和DS的電壓，發(fā)現(xiàn)前一種的電壓峰值只有105伏，VDS的峰值電壓528伏；后一種是分別是124伏和540伏，為什么RCD箝位電壓越高，反而VDS也升高了呢？此外，下圖是27nF并15K時(shí)，VDS的波形圖，是否有什么不對(duì)的地方？謝謝！

 

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zq2007
LV.11
2
2012-03-30 21:03
吸收太重啦，可以適當(dāng)調(diào)整一下R的值。
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cheng111
LV.11
3
2012-03-30 21:23
電阻值太小了。增大到100K試一試。
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gohey
LV.2
4
2012-03-31 08:31
@cheng111
電阻值太小了。增大到100K試一試。
謝謝樓上的兩位解答，我今天再測(cè)試一下。
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asouth
LV.8
5
2012-03-31 09:05

吸收太重啦，可以適當(dāng)調(diào)整一下R的值.可以用103及100K或51K來(lái)測(cè)試下。

 

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gohey
LV.2
6
2012-03-31 09:09

現(xiàn)在將電阻改為150K，在265V輸入的情況下，測(cè)試的VDS波形如下：

 

VDS的峰值增加到548V，現(xiàn)在選用的MOS是600V的，會(huì)不會(huì)電壓應(yīng)力不夠？而且，VDS的振蕩頻率7MHz左右，比較明顯。同時(shí)，測(cè)試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V，波形如下：

 

電阻發(fā)熱的情況好轉(zhuǎn)，但是，從波形看，振蕩的比較明顯，這樣會(huì)造成EMI影響嗎？謝謝！

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asouth
LV.8
7
2012-03-31 09:18
@gohey
現(xiàn)在將電阻改為150K，在265V輸入的情況下，測(cè)試的VDS波形如下：[圖片] VDS的峰值增加到548V，現(xiàn)在選用的MOS是600V的，會(huì)不會(huì)電壓應(yīng)力不夠？而且，VDS的振蕩頻率7MHz左右，比較明顯。同時(shí)，測(cè)試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V，波形如下：[圖片] 電阻發(fā)熱的情況好轉(zhuǎn)，但是，從波形看，振蕩的比較明顯，這樣會(huì)造成EMI影響嗎？謝謝！

MOS用的是什么型號(hào)的？

 

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gohey
LV.2
8
2012-03-31 09:32
@asouth
MOS用的是什么型號(hào)的？ 
用的是fairchild FDP10N60
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2012-03-31 18:54
@gohey
用的是fairchildFDP10N60

繼續(xù)調(diào)匝比

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gohey
LV.2
10
2012-04-01 08:43
@bigbigeasy
繼續(xù)調(diào)匝比
能否說(shuō)的更詳細(xì)一些，謝謝！
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2012-04-01 09:10
@gohey
能否說(shuō)的更詳細(xì)一些，謝謝！

550V可以了關(guān)斷那里也就一兩個(gè)震鈴可以了 ,想更低次級(jí)加兩圈,但是次級(jí)的應(yīng)力又會(huì)上去了

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kevin-2009
LV.4
12
2012-04-01 14:05

吸收電阻阻值小，高壓265V輸入下，通過(guò)電阻的電壓就很大了，電阻吸收太重了，改大電阻阻值。峰值電壓比較大，10%富裕度就可以了，只要過(guò)流的時(shí)候峰值電壓不要超過(guò)管子所能承受的電壓就可以了。

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