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請(qǐng)教:RCD電阻比較燙

在調(diào)試的過(guò)程中,改變RCD的R和C,分別是27nF并15K和47nF并75K,電阻是兩個(gè)2W的并聯(lián)的。在265V,滿載的情況下,電阻都比較燙,然后測(cè)量RCD和DS的電壓,發(fā)現(xiàn)前一種的電壓峰值只有105伏,VDS的峰值電壓528伏;后一種是分別是124伏和540伏,為什么RCD箝位電壓越高,反而VDS也升高了呢?此外,下圖是27nF并15K時(shí),VDS的波形圖,是否有什么不對(duì)的地方?謝謝!

 

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zq2007
LV.11
2
2012-03-30 21:03
吸收太重啦,可以適當(dāng)調(diào)整一下R的值。
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cheng111
LV.11
3
2012-03-30 21:23
電阻值太小了。增大到100K試一試。
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gohey
LV.2
4
2012-03-31 08:31
@cheng111
電阻值太小了。增大到100K試一試。
謝謝樓上的兩位解答,我今天再測(cè)試一下。
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asouth
LV.8
5
2012-03-31 09:05

吸收太重啦,可以適當(dāng)調(diào)整一下R的值.可以用103及100K或51K來(lái)測(cè)試下。

 

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gohey
LV.2
6
2012-03-31 09:09

現(xiàn)在將電阻改為150K,在265V輸入的情況下,測(cè)試的VDS波形如下:

 

VDS的峰值增加到548V,現(xiàn)在選用的MOS是600V的,會(huì)不會(huì)電壓應(yīng)力不夠?而且,VDS的振蕩頻率7MHz左右,比較明顯。同時(shí),測(cè)試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V,波形如下:

 

電阻發(fā)熱的情況好轉(zhuǎn),但是,從波形看,振蕩的比較明顯,這樣會(huì)造成EMI影響嗎?謝謝!

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asouth
LV.8
7
2012-03-31 09:18
@gohey
現(xiàn)在將電阻改為150K,在265V輸入的情況下,測(cè)試的VDS波形如下:[圖片] VDS的峰值增加到548V,現(xiàn)在選用的MOS是600V的,會(huì)不會(huì)電壓應(yīng)力不夠?而且,VDS的振蕩頻率7MHz左右,比較明顯。同時(shí),測(cè)試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V,波形如下:[圖片] 電阻發(fā)熱的情況好轉(zhuǎn),但是,從波形看,振蕩的比較明顯,這樣會(huì)造成EMI影響嗎?謝謝!

MOS用的是什么型號(hào)的?

 

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gohey
LV.2
8
2012-03-31 09:32
@asouth
MOS用的是什么型號(hào)的? 
用的是fairchild FDP10N60
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2012-03-31 18:54
@gohey
用的是fairchildFDP10N60

繼續(xù)調(diào)匝比

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gohey
LV.2
10
2012-04-01 08:43
@bigbigeasy
繼續(xù)調(diào)匝比
能否說(shuō)的更詳細(xì)一些,謝謝!
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2012-04-01 09:10
@gohey
能否說(shuō)的更詳細(xì)一些,謝謝!

550V可以了關(guān)斷那里也就一兩個(gè)震鈴可以了 ,想更低次級(jí)加兩圈,但是次級(jí)的應(yīng)力又會(huì)上去了

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kevin-2009
LV.4
12
2012-04-01 14:05

吸收電阻阻值小,高壓265V輸入下,通過(guò)電阻的電壓就很大了,電阻吸收太重了,改大電阻阻值。峰值電壓比較大,10%富裕度就可以了,只要過(guò)流的時(shí)候峰值電壓不要超過(guò)管子所能承受的電壓就可以了。

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