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MOS管溫升過高

SN03A+358單級PFC，輸出功率35W，MOS管7N65加散熱片，180V以上輸入電壓時各點溫升正常，35-40度。90V輸入時，MOS溫升翻倍。降低頻率為40KHZ（90V），占空比0.42（90V）均沒改善。請教大俠還有什么辦法改善。？
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2012-08-17 10:26
看下MOS管的工作波形有沒異常
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2012-08-17 10:51
 
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2012-08-17 10:53
這是90V時的DS波。除了振蕩稍長，沒什么問題。實測初級峰值電流2.8A（90V）
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2012-08-17 11:01
@dianyuanaihao
這是90V時的DS波。除了振蕩稍長，沒什么問題。實測初級峰值電流2.8A（90V）
那有可能是你的MOS管內(nèi)阻比較大，散熱片比較小，造成惡性循環(huán)
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2012-08-17 11:14
@dianyuanaihao
這是90V時的DS波。除了振蕩稍長，沒什么問題。實測初級峰值電流2.8A（90V）

建議,調(diào)整驅(qū)動電阻,你那開通電阻可以用大點20/30 OHM,關(guān)閉電阻用小點、,這樣可以減少開關(guān)損耗 10 OHM ,可以試下. 這個參數(shù)只是建議舉例,可要根據(jù)不同的MOS 參數(shù)要做調(diào)整.

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2012-08-17 11:15
@xiaoliangyl
那有可能是你的MOS管內(nèi)阻比較大，散熱片比較小，造成惡性循環(huán)
應(yīng)該不至于在高壓和低壓時差這么多，220V時溫升35度左右，90V卻有60多度溫升。低壓時輸入電流是會大些，但頻率會降低。
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2012-08-17 11:18
@zhangjiang
建議,調(diào)整驅(qū)動電阻,你那開通電阻可以用大點20/30OHM,關(guān)閉電阻用小點、,這樣可以減少開關(guān)損耗10OHM,可以試下.這個參數(shù)只是建議舉例,可要根據(jù)不同的MOS參數(shù)要做調(diào)整.
沒什么效果，現(xiàn)在開通用47R，關(guān)斷沒有，只并一個二極管。再說這也不能太小，要過EMI的。
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2012-08-17 11:34
@dianyuanaihao
應(yīng)該不至于在高壓和低壓時差這么多，220V時溫升35度左右，90V卻有60多度溫升。低壓時輸入電流是會大些，但頻率會降低。
低壓輸入電流翻倍了，這時候你降低開關(guān)頻率只是輕微減少開關(guān)損耗而已，但導(dǎo)通損耗主要跟內(nèi)阻有關(guān)，而且溫度越高損耗就越大
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czlann
LV.5
10
2012-08-17 11:44
@dianyuanaihao
沒什么效果，現(xiàn)在開通用47R，關(guān)斷沒有，只并一個二極管。再說這也不能太小，要過EMI的。

把你的原理圖和變壓器貼上來就知道什么原因了

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czlann
LV.5
11
2012-08-17 11:47
@czlann
把你的原理圖和變壓器貼上來就知道什么原因了
看你的VDS波形，要么就是輸出是低壓大電流要么就是變壓器漏感太大或者是吸收還是別的地方有問題
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2012-08-17 15:14
@czlann
看你的VDS波形，要么就是輸出是低壓大電流要么就是變壓器漏感太大或者是吸收還是別的地方有問題
輸出50V-700mA/漏感只有1.6%。感量510uH 
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czlann
LV.5
13
2012-08-17 17:29
@dianyuanaihao
輸出50V-700mA/漏感只有1.6%。感量510uH[圖片] 

初次級的匝數(shù)是多少？

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2012-08-19 10:44
@czlann
初次級的匝數(shù)是多少？
初級44T，次級22T。電感510uH,PQ2620.
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nbdy
LV.2
15
2012-08-20 17:22
@dianyuanaihao
初級44T，次級22T。電感510uH,PQ2620.
Hi, looks like higher temperature rise at 90Vac is mainly due to longer turn-on time of NMOSFET. It may be helpful by increasing the turn ratio of transformer to 4 (primary side 44T, secondary side: 11T). In this case, turn-on time is shorter with increasing switching frequency. Good luck! 
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lh6164
LV.4
16
2012-08-20 23:13
@dianyuanaihao
這是90V時的DS波。除了振蕩稍長，沒什么問題。實測初級峰值電流2.8A（90V）

R3 、Ce1小點試試，小弟同樣新手

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czlann
LV.5
17
2012-08-21 11:08
@dianyuanaihao
初級44T，次級22T。電感510uH,PQ2620.

你的變壓器設(shè)計沒有太大的問題，你可以看看VDS波形有沒有振蕩，如果也很好的話，你可以試一下，把次級減少二圈，把次級二極管換成一個SF56電流和電壓都夠了，（用二個二極直接并聯(lián)不太好，有時會有EMC或者是別的問題）這樣MOS的溫度會好一些，但是能下來多少，只能去試了，如果還不行，只能換更低內(nèi)阻的MOS了，祝你好運

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czlann
LV.5
18
2012-08-21 11:24
@nbdy
Hi,lookslikehighertemperatureriseat90Vacismainlyduetolongerturn-ontimeofNMOSFET.Itmaybehelpfulbyincreasingtheturnratiooftransformerto4(primaryside44T,secondaryside:11T). Inthiscase,turn-ontimeisshorterwithincreasingswitchingfrequency.Goodluck! 

NBDY兄，如果你把匝比改為44：11的話會有以下幾個問題：

1.輸出為50V/0.7A那么VOR就有200V了

2.匝比太大會導(dǎo)致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一點先算它100V

3.VOR太大也就是占空太大，芯片會工作不太正常，（雖然是臨界模式的）

4.輸入264V的時候MOS的VDS大約為(尖峰按100V)675V，如果是短路的話可能會更高，這樣的話得用800V或更高耐壓的MOS，成本會上升，而且MOS耐壓越高導(dǎo)通電阻就越大

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nbdy
LV.2
19
2012-08-22 18:53
@czlann
NBDY兄，如果你把匝比改為44：11的話會有以下幾個問題：1.輸出為50V/0.7A那么VOR就有200V了2.匝比太大會導(dǎo)致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一點先算它100V3.VOR太大也就是占空太大，芯片會工作不太正常，（雖然是臨界模式的）4.輸入264V的時候MOS的VDS大約為(尖峰按100V)675V，如果是短路的話可能會更高，這樣的話得用800V或更高耐壓的MOS，成本會上升，而且MOS耐壓越高導(dǎo)通電阻就越大
Have you solved the issue? At 90Vac, it operates at CCM possiblely. By increasing transformer ratio or reducing primary inductance , it is possible to get the system back to DCM operation, and T rise could be reduced for the MOSFET. 
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2012-08-23 13:39
換用12N65的MOS管，溫度下來十幾度。謝謝大家的回答！
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