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在電源設(shè)計中，控制芯片作為主動元器件，供電電路設(shè)計是必需的。以下圖L6562A芯片的典型應(yīng)用電路為例，在系統(tǒng)啟動瞬間，由于T1供電繞組上的電壓還未建立，所以需要RH（R4+R5）電阻從電壓母線上取電，

在EMC測試中，RS的全稱為Radiated Susceptibility（輻射抗擾度），考察的是電子產(chǎn)品對周圍環(huán)境電磁場干擾的敏感度。在開關(guān)電源設(shè)計中，由于幾乎全是模擬電路，不易受干擾，所以此項測試

首先來看看常規(guī)比較器的用法：(圖一.常規(guī)比較器應(yīng)用電路，圖片來源于網(wǎng)絡(luò))其基本工作原理是當(dāng)Vin>Vref時，Vout輸出高電平，當(dāng)Vin<Vref時，Vout輸出低電平，但是如果Vin輸

首先咱們要明白什么是過孔，在PCB設(shè)計中，工程師朋友經(jīng)常會用到過孔（via），用于連接位于不同層的相同電氣網(wǎng)絡(luò)，過孔和通孔焊盤（PAD）極為類似，不同的是通孔焊盤一般是用于插入元器件針腳固定元器件，而

在AC-DC電源電路中，有時整流橋后會放置一定容量的電解電容，起到濾波及儲能的作用，我們稱之為Bulk電容，很多工程師會根據(jù)經(jīng)驗按照每瓦3uF的標(biāo)準去選取，那么每瓦3uF的標(biāo)準從何而來，本篇將推導(dǎo)其計

上篇文章介紹了一種使用MOSFET替代繼電器設(shè)計的浪涌電流抑制電路，MOSFET從關(guān)斷到開通過程中經(jīng)歷了較長時間的線性工作區(qū)，此時MOSFET的功耗巨大易損毀，選擇器件時需要尤為注意。本篇將介紹此電路

浪涌電流是指電源上電瞬間的輸入峰值電流，在無PFC電路應(yīng)用中，為了濾波，整流橋后一般會放置電解電容，我們知道電解電容的特性是電壓不能突變，在上電瞬間環(huán)路內(nèi)的阻抗接近零，這就導(dǎo)致環(huán)路電流很大，甚至可達幾

在之前的文章中寫到過電容充放電表達式，式中R表示串聯(lián)電阻，C表示電容容值，V1表示電源電壓，V0表示電容兩端初始電壓，Vt代表在t時刻電容兩端電壓。本篇將研究該公式的推導(dǎo)過程及延伸計算。一．充電公式推

寫在前面：電路設(shè)計的軟件有很多種，筆者之前習(xí)慣使用Altium designer軟件，最近有幸接觸Allegro cadence，可謂從零到一做設(shè)計，現(xiàn)將自己從設(shè)計流程的角度出發(fā)，就如何“三步”完成電

寫在前面：電路設(shè)計的軟件有很多種，筆者之前習(xí)慣使用Altium designer軟件，最近有幸接觸Allegro cadence，可謂從零到一做設(shè)計，現(xiàn)將自己從設(shè)計流程的角度出發(fā)，就如何“三步”完成電