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內(nèi)容簡(jiǎn)介:

《IGBT器件——物理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用》從IGBT發(fā)明開(kāi)始，介紹了IGBT的模型和基本工作原理、各種元胞結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)與制造工藝、封裝與驅(qū)動(dòng)、安全工作區(qū)等，并給出了在多達(dá)十幾個(gè)行業(yè)中的具體應(yīng)用，包括應(yīng)用電路和參數(shù)指標(biāo)等。本書(shū)內(nèi)容深入淺出，適合電力電子、微電子、功率器件、功率IC設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域的研究人員、技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介:

B.Jayant Baliga博士，北卡羅來(lái)納州立大學(xué)“杰出大學(xué)教授”，美國(guó)國(guó)家工程院院士，IEEE會(huì)士。Baliga教授是國(guó)際公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家，發(fā)表了500多篇學(xué)術(shù)文章，擁有120項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。他在IGBT概念、發(fā)展和商業(yè)化方面的工作得到了美國(guó)奧巴馬總統(tǒng)的認(rèn)可，獲得了2011年美國(guó)國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)隆@是美國(guó)政府授予工程師的高榮譽(yù)，以及2014年IEEE榮譽(yù)勛章——電氣工程領(lǐng)域的高榮譽(yù)。

目錄:

譯者序 
原書(shū)序 
原書(shū)前言 
作者簡(jiǎn)介 
第1章 緒論 
1.1 IGBT應(yīng)用范圍 
1.2 基本的IGBT器件結(jié)構(gòu) 
1.3 IGBT發(fā)展和商業(yè)化歷史 
1.4 功率等級(jí)的擴(kuò)展 
第2章 IGBT的結(jié)構(gòu)和工作模式 
2.1 對(duì)稱(chēng)的D-MOS結(jié)構(gòu) 
2.2 非對(duì)稱(chēng)的D-MOS結(jié)構(gòu) 
2.3 溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu) 
2.4 透明集電極IGBT結(jié)構(gòu) 
2.5 新穎的IGBT結(jié)構(gòu) 
2.6 橫向IGBT結(jié)構(gòu) 
2.7 互補(bǔ)的IGBT結(jié)構(gòu) 
第3章 IGBT結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 
3.1 閾值電壓 
3.2 對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)IGBT 
3.2.1 阻斷電壓 
3.2.2 開(kāi)態(tài)特性 
3.2.3 積累電荷 
3.2.4 關(guān)斷波形 
3.2.5 關(guān)斷損耗 
3.2.6 能量損耗折中曲線(xiàn) 
3.3 非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)IGBT 
3.3.1 阻斷電壓 
3.3.2 開(kāi)態(tài)特性 
3.3.3 積累電荷 
3.3.4 關(guān)斷波形 
3.3.5 關(guān)斷損耗 
3.3.6 能量損耗折中曲線(xiàn) 
3.4 透明集電極IGBT 
3.4.1 阻斷電壓 
3.4.2 開(kāi)態(tài)特性 
3.4.3 積累電荷 
3.4.4 關(guān)斷波形 
3.4.5 關(guān)斷損耗 
3.4.6 能量損耗折中曲線(xiàn) 
3.5 SiC IGBT 
3.5.1 N型非對(duì)稱(chēng)SiC IGBT 
3.5.2 阻斷電壓 
3.5.3 導(dǎo)通電壓降 
3.5.4 關(guān)斷特性 
3.5.5 關(guān)斷損耗 
3.6 優(yōu)化非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)SiC IGBT結(jié)構(gòu) 
3.6.1 優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 
3.6.2 導(dǎo)通電壓降 
3.6.3 關(guān)斷特性 
3.6.4 能量損耗折中曲線(xiàn) 
3.6.5 最大工作頻率 
第4章 安全工作區(qū)設(shè)計(jì) 
4.1 寄生晶閘管 
4.2 抑制寄生晶閘管 
4.2.1 深P+擴(kuò)散 
4.2.2 減小柵氧化層厚度 
4.2.3 空穴電流分流結(jié)構(gòu) 
4.2.4 器件元胞拓?fù)?nbsp;
4.2.5 抑制閂鎖器件結(jié)構(gòu) 
4.3 安全工作區(qū) 
4.3.1 正偏SOA 
4.3.2 反偏SOA 
4.3.3 短路SOA 
4.4 新型硅器件結(jié)構(gòu) 
4.5 碳化硅器件 
第5章 芯片設(shè)計(jì)?保護(hù)和制造 
5.1 有源區(qū) 
5.2 柵極壓焊塊設(shè)計(jì) 
5.3 邊界終端設(shè)計(jì) 
5.4 集成傳感器 
5.4.1 過(guò)電流保護(hù) 
5.4.2 過(guò)電壓保護(hù) 
5.4.3 過(guò)溫保護(hù) 
5.5 平面柵器件制造工藝 
5.6 溝槽柵器件制造工藝 
5.7 壽命控制 
第6章 封裝和模塊設(shè)計(jì) 
6.1 分立器件的封裝 
6.2 改進(jìn)的分立器件封裝 
6.3 基本的功率模塊 
6.4 扁平封裝的功率模塊 
6.5 無(wú)金屬基板的功率模塊 
6.6 智能功率模塊 
6.6.1 雙列直插型封裝 
6.6.2 智能功率單元 
6.7 可靠性 
第7章 門(mén)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 
7.1 基本的門(mén)驅(qū)動(dòng) 
7.2 非對(duì)稱(chēng)的門(mén)驅(qū)動(dòng) 
7.3 兩級(jí)門(mén)驅(qū)動(dòng) 
7.4 有源柵電壓控制 
7.5 可變的柵電阻驅(qū)動(dòng) 
7.6 數(shù)字的門(mén)驅(qū)動(dòng) 
第8章 IGBT模型 
8.1 基于物理機(jī)制的電路模型 
8.1.1 SABER NPT-IGBT電路模型 
8.1.2 SABER PT-IGBT電路模型 
8.1.3 SABER IGBT電熱模型 
8.1.4 SABER IGBT1模型 
8.2 IGBT模擬行為模型 
8.3 模型參數(shù)提取 
第9章 IGBT應(yīng)用：運(yùn)輸 
9.1 汽油驅(qū)動(dòng)的汽車(chē) 
9.1.1 凱特林機(jī)械點(diǎn)火系統(tǒng) 
9.1.2 電子點(diǎn)火系統(tǒng) 
9.1.3 點(diǎn)火IGBT設(shè)計(jì) 
9.1.4 雙電壓鉗位的點(diǎn)火IGBT設(shè)計(jì) 
9.1.5 智能點(diǎn)火IGBT設(shè)計(jì) 
9.1.6 點(diǎn)火IGBT產(chǎn)品 
9.2 電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē) 
9.2.1 電動(dòng)汽車(chē)逆變器設(shè)計(jì) 
9.2.2 電動(dòng)汽車(chē)IGBT芯片設(shè)計(jì) 
9.2.3 電動(dòng)汽車(chē)再生制動(dòng) 
9.3 電動(dòng)汽車(chē)充電站 
9.3.1 電動(dòng)汽車(chē)充電要求 
9.3.2 電動(dòng)汽車(chē)充電電路 
9.4 電動(dòng)公共汽車(chē)