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不太明白你的意思.如果產(chǎn)生正弦基準(zhǔn),要求低的,可以用文氏電橋,要求高的,用晶振產(chǎn)生方波,分頻后濾成正弦.對(duì)于具體的控制,小功率可以用運(yùn)放推偶隔離驅(qū)動(dòng).大功率驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜,需要較大驅(qū)動(dòng)功率.輸出取樣后與基準(zhǔn)比較,放大后可以通過(guò)光耦傳到384X的COMP或FBPIN進(jìn)行控制.

我遇到同樣的問(wèn)題,確實(shí)進(jìn)口同型模塊做的比較好,個(gè)人覺(jué)得是布局問(wèn)題.可以改進(jìn)以下幾方面:1、加屏蔽,如屏蔽倉(cāng),屏蔽紙.2、在一些輸出PIN上加磁珠,MOSFET及二極管也可以加.3、在MOSFET和二極管上加大吸收電路.4、犧牲效率,降低上升速率.5、PCB很重要,合適的布線比什么都管用.

你說(shuō)的很對(duì),這要有一個(gè)前提,Bac+Bdc之和肯定是不能超過(guò)磁材的B值,而且這個(gè)值高溫要降額,突然的大動(dòng)態(tài)變化也要考慮到降額.

這要和你的主要客戶有關(guān).如烽火和中興的對(duì)PIN的標(biāo)準(zhǔn)是不同的.如果沒(méi)有大客戶要求,一般3.2-5MM的針都差不多.

如果AE是一樣的話,不一樣的是B值選取.匝數(shù)多的,B值小,相對(duì)的磁損要低些,但由于匝數(shù)多,銅損高了,這要平衡一下.另外,頻率對(duì)B值選取也很重要,F較高時(shí),B值不能取的過(guò)高.

感謝WTX10的技術(shù)分享.你的成本控制的非常不錯(cuò).這個(gè)電路在國(guó)內(nèi)在幾年前就有批量生產(chǎn)的,如SUPLET的150W半磚電路.這個(gè)電路原型可能受早期LAMBDA的48V輸入磚的影響,我記得他們是分立器件,用一個(gè)MOSFET做延時(shí).不過(guò)LAMBDA推的是N溝,所以有一個(gè)高壓FET做反相.高壓的用的是變壓器.如果按WTX10低成本的思路,我覺(jué)得可以用后邊驅(qū)動(dòng)片子去掉,用RC做驅(qū)動(dòng)延時(shí),用兩個(gè)SOT-23的三極管做PULL-PUSH驅(qū)動(dòng),成本更低.95%的效率對(duì)于這個(gè)電路來(lái)說(shuō),可能性不大.嚴(yán)重同意大漠孤雁的觀點(diǎn),不要口水,要的是技術(shù)探討.

正反激專利是LAMBDA的.同步整流對(duì)于200-400來(lái)說(shuō),有些困難.

是的.不過(guò)LM5025B和ONSEMINCP1562的價(jià)格和你說(shuō)的價(jià)格差不多,批量大些可能價(jià)格還能更低.如果從成本方面出發(fā),可以考慮付邊有源箍位,成本最低了,只需要一個(gè)箍位管和一個(gè)復(fù)位電容,由于付邊電壓低,從而MOSFET和C的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于初級(jí)的有源箍位.不過(guò)這個(gè)電路POWERONE有專利,大公司不能用的,小公司倒是無(wú)所謂.

去掉SC這個(gè)IC,用個(gè)小MOSFET做個(gè)小延時(shí)電路,也能達(dá)到同等效果,成本更低,比較精典的如LAMBDA的箍位的方法.