海旭：
在DS之間并電容好像對(duì)米勒電容沒(méi)影響，我在實(shí)際中加這個(gè)電容對(duì)效率有提高。加這個(gè)電容好處正如你所說(shuō)對(duì)關(guān)斷時(shí)MOS的DV/DT減小，減小mos的誤開(kāi)通可能性。同時(shí)對(duì)整流管和EMC都有好處。但是這個(gè)電容應(yīng)該是減小關(guān)斷損耗，正因?yàn)殛P(guān)斷時(shí)MOS的DV/DT減小，所以關(guān)斷時(shí)電壓電流疊加乘積小了，可以理解為關(guān)斷時(shí)部分諧振電流是流經(jīng)DS間并聯(lián)電容，真正流經(jīng)mos的電流小了，所以損耗也小。 在DS間并電容真正的缺點(diǎn)是在死區(qū)內(nèi)可能需要更大的電流來(lái)把電容上的電荷抽走來(lái)實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，在固定死區(qū)的LLC中很難在小載或者空載實(shí)現(xiàn)完全軟開(kāi)關(guān)，但現(xiàn)今數(shù)字控制，死區(qū)隨負(fù)載或者說(shuō)頻率可調(diào)，這個(gè)不是問(wèn)題。 另一個(gè)缺點(diǎn)就是在寬范圍輸入輸出的電源中，高頻采取PWM方式控制中，可能損耗大些。這個(gè)看你調(diào)脈寬范圍，最小脈寬越小損耗越大。但是一般到調(diào)脈寬的時(shí)候輸出電流小。損耗也沒(méi)我們想象那么大，很多電源實(shí)際工作中也很很少工作在此狀態(tài)，所以這個(gè)時(shí)候效率也沒(méi)人在乎。 據(jù)我所知，華為模塊最小占空比不會(huì)低于20%，雖然輕載有點(diǎn)硬開(kāi)關(guān)，但是mos的開(kāi)通電壓還是非常低，不會(huì)高于50V，所以不會(huì)很熱，同時(shí)也能滿足低壓輕載輸出要求。 另外說(shuō)句，我雖不是華為的，但是能做到通信行業(yè)老大，里面會(huì)養(yǎng)一些打醬油的閑人么。就目前來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)電源做的最好的還是華為，沒(méi)有之一。