wangxufei：
1，初級MOS吸收回路不知有沒有串聯(lián)電阻,串聯(lián)電阻阻值適當(dāng)加大，但功率要足，要不然溫升會(huì)高。（MOS耐壓余量大的情況下）。2，次級肖特基吸收電阻減小。（肖特基耐壓余量大的情況下）3，增大驅(qū)動(dòng)電阻。（影響效率）4，MOS源極套磁珠。（影響效率）5，肖特基腳套磁珠，或直接串引線套磁珠。（影響效率）6，減小BUCK 電容+----》變壓器-----》MOS-----》Isense電阻----BUCK 電容地之間回路的距離。7，減小輸出 電容+----》變壓器-----》肖特基 -----輸出電容地之間回路的距離。8，變壓器出次級之間加屏蔽。9，變壓器除了第一層初級繞組正繞，其余繞組反繞（但相位要保證不變）。。。。。。。希望對你有用，這些都是我平時(shí)解EMI時(shí)針對30M-40M的對策。