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MOSFET開(kāi)通時(shí)，其漏源極電壓(Vds)會(huì)從高電壓跌落到零，同時(shí)電流(Id)從零上升到峰值。這個(gè)“電壓和電流交叉”的區(qū)域會(huì)產(chǎn)生巨大的開(kāi)關(guān)損耗。

在電源設(shè)計(jì)中如果省去外部啟動(dòng)電阻或高壓電容，如何具體地提升了電源的可靠性？

閉環(huán)控制的核心優(yōu)勢(shì)在于它能夠感知、比較、修正，從而對(duì)抗各種干擾和變化

對(duì)于絕大多數(shù)要求一定性能的應(yīng)用，閉環(huán)控制方式毫無(wú)疑問(wèn)是更好、更優(yōu)的選擇。

開(kāi)環(huán)系統(tǒng)在理論上是否絕對(duì)穩(wěn)定？在實(shí)際應(yīng)用中，哪些因素可能導(dǎo)致一個(gè)開(kāi)環(huán)控制的電機(jī)系統(tǒng)變得不穩(wěn)定？

減少傳輸損耗最直接有效的方法，核心是減小阻抗和優(yōu)化布局。

PI的InnoMux-2方案替代傳統(tǒng)“反激+多路LDO/降壓變換器”架構(gòu)后帶來(lái)的三大核心優(yōu)勢(shì)：效率提升、溫升降低和EMI優(yōu)化。

安全與合規(guī)性測(cè)試，靜態(tài)性能測(cè)試，動(dòng)態(tài)性能測(cè)試，環(huán)境與可靠性測(cè)試、仿真與驗(yàn)證以上測(cè)試相關(guān)步驟

為什么電源測(cè)試范圍是1.5~2倍，而不是1.2倍或3倍？這個(gè)范圍的制定是基于哪些因素？

BridgeSwitch系列集成半橋（IHB）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器通過(guò)其獨(dú)特的內(nèi)部無(wú)損電流檢測(cè)技術(shù)，完美地解決了傳統(tǒng)分立方案中采樣電阻所帶來(lái)的核心問(wèn)題，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和更準(zhǔn)確的電流控制。