飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布推出業(yè)內(nèi)第一款封裝在超模壓塑料封裝內(nèi)、性能堪與氣腔封裝媲美的2 GHz大功率RF晶體管。這些先進(jìn)的設(shè)備基于飛思卡爾的高壓第七代(HV7)RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)旨在幫助無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)人員極大地降低無(wú)線系統(tǒng)中最昂貴的元件—基站放大器的成本，同時(shí)達(dá)到嚴(yán)格的性能要求。

飛思卡爾的旗艦型HV7設(shè)備是在TO-270WBL-4封裝內(nèi)提供的MRF7S19120N。該設(shè)備能夠提供最低120W P1dB和36W的平均功率，一般性能有望達(dá)到18dB的增益，在PAR=6.1dB時(shí)能夠達(dá)到32%的效率和-37.5dBc的線性(用CCDF上的PAR=7.5dB @ 0.01百分比概率的單載波W-CDMA信號(hào)進(jìn)行測(cè)試)。相應(yīng)的2.1GHz產(chǎn)品系列計(jì)劃于2006年第三季度推出。

MRF7S19120N可在1.9 GHz的頻率上提供相當(dāng)性能的第一款晶體管，最低輸出功率為120 W CW。與同類氣腔封裝產(chǎn)品相比，它所實(shí)現(xiàn)的性能在每個(gè)電力參數(shù)上都毫不遜色。

幾十年來(lái)，人們一直使用陶瓷氣腔封裝來(lái)封裝大功率RF晶體管。它們本來(lái)就能乘受并散發(fā)由晶體管產(chǎn)生的較大熱量，而且與裸露晶體管硬模相比性能不會(huì)有大幅度降低。

“飛思卡爾一直致力于用能夠提供卓越性能的經(jīng)濟(jì)高效的超模壓塑料模型補(bǔ)充我們的氣腔封裝設(shè)備，”飛思卡爾副總裁兼RF事業(yè)部的總經(jīng)理Gavin Woods表示，“與采用氣腔封裝的同類設(shè)備相比，超模壓塑料封裝設(shè)備能在每單元基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)更低的成本，從而為放大器制造商帶來(lái)極大的成本優(yōu)勢(shì)。此外，超模壓塑料設(shè)備還可以實(shí)現(xiàn)更高效的自動(dòng)化裝配，從而簡(jiǎn)化客戶的制造過(guò)程，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)成本的節(jié)約?！?

多年來(lái)，飛思卡爾一直在制造奇偶性能(parity performance)高達(dá)1 GHz的超模壓塑料封裝RF設(shè)備。然而，要在超模壓塑料封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)與氣腔封裝一樣的2GHz性能，需要復(fù)雜的設(shè)計(jì)技術(shù)和廣泛的工作，以克服技術(shù)和材料方面的限制。