IGBT系統(tǒng)在電子電路設(shè)計(jì)過(guò)程中的用處非常之大。其不僅擁有開(kāi)關(guān)速度快驅(qū)動(dòng)功率小的特點(diǎn)，此外還擁有雙極型器件的一些優(yōu)秀特點(diǎn)。本文將為大家介紹IGBT的一種理想等效電路與實(shí)際等效電路，感興趣的朋友快來(lái)一起看一看吧。

理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖1圖2所示：

圖1理想等效電路

圖2實(shí)際等效電路

IGBT的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。?

表1

圖3

IGBT的開(kāi)通過(guò)程

IGBT在開(kāi)通過(guò)程中，分為幾段時(shí)間：

1、與MOSFET類(lèi)似的開(kāi)通過(guò)程，也是分為三段的充電時(shí)間。

2、只是在漏源DS電壓下降過(guò)程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過(guò)程中增加了一段延遲時(shí)間。

在上面的表1中，定義了：開(kāi)通時(shí)間Ton，上升時(shí)間Tr和Tr。i除了這兩個(gè)時(shí)間以外，還有一個(gè)時(shí)間為開(kāi)通延遲時(shí)間td.on:td.on=Ton-Tr.i。IGBT在關(guān)斷過(guò)程。

IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的，第二段是在MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管上存儲(chǔ)的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間。表1中定義了：關(guān)斷時(shí)間Toff，下降時(shí)間Tf和Tf.i。

除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時(shí)間和關(guān)斷延遲時(shí)間td（off）。漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖3中的t（f1）和t（f2）兩段組成，而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱(chēng)為toff=td（off）+trv十t（f），td（off）+trv之和又稱(chēng)為存儲(chǔ)時(shí)間。

從下面圖4可看出詳細(xì)的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關(guān)系：

本文針對(duì)IGBT的理想等效電路與實(shí)際等效進(jìn)行分析，并對(duì)其中的一些參數(shù)進(jìn)行了全面的講解，對(duì)參數(shù)的意義與一些參數(shù)之間的聯(lián)系進(jìn)行了解答，通過(guò)圖文并茂的方式來(lái)讓大家全面立體的了解這款優(yōu)秀的電源設(shè)計(jì)，希望大家在閱讀過(guò)本文之后能夠有所收獲。