IGBT系統(tǒng)在電子電路設計過程中的用處非常之大。其不僅擁有開關速度快驅(qū)動功率小的特點，此外還擁有雙極型器件的一些優(yōu)秀特點。本文將為大家介紹IGBT的一種理想等效電路與實際等效電路，感興趣的朋友快來一起看一看吧。

理想等效電路與實際等效電路如圖1圖2所示：

圖1理想等效電路

圖2實際等效電路

IGBT的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關特性）。動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。?

表1

圖3

IGBT的開通過程

IGBT在開通過程中，分為幾段時間：

1、與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間。

2、只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過程中增加了一段延遲時間。

在上面的表1中，定義了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr。i除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i。IGBT在關斷過程。

IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。第一段是按照MOS管關斷的特性的，第二段是在MOSFET關斷后，PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時間。表1中定義了：關斷時間Toff，下降時間Tf和Tf.i。

除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時間和關斷延遲時間td（off）。漏極電流的下降時間Tf由圖3中的t（f1）和t（f2）兩段組成，而總的關斷時間可以稱為toff=td（off）+trv十t（f），td（off）+trv之和又稱為存儲時間。

從下面圖4可看出詳細的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關系：

本文針對IGBT的理想等效電路與實際等效進行分析，并對其中的一些參數(shù)進行了全面的講解，對參數(shù)的意義與一些參數(shù)之間的聯(lián)系進行了解答，通過圖文并茂的方式來讓大家全面立體的了解這款優(yōu)秀的電源設計，希望大家在閱讀過本文之后能夠有所收獲。