IGBT經(jīng)常被應(yīng)用在大功率電源中，但實(shí)際上IGBT的耐壓應(yīng)力沖擊能力非常差。因此需要在電路中針對(duì)榮性或感興負(fù)載進(jìn)行有針對(duì)性的保護(hù)。針對(duì)IGBT的功率放大電路有三種不同的保護(hù)方法，本文將為大家介紹其中過(guò)流檢測(cè)保護(hù)的方法。

IGBT功率開(kāi)關(guān)電路的過(guò)電流會(huì)造成IGBT非正常退出飽和區(qū)，從而造成IGBT的損壞；采用霍爾傳感器，比較器、驅(qū)動(dòng)器等高速器件來(lái)設(shè)計(jì)“過(guò)流”保護(hù)電路，使過(guò)流保護(hù)電路能夠控制作為直流電源開(kāi)關(guān)的IGBT，從而使得直流電源能夠接受保護(hù)電路的分閘與合閘控制，是一種可行的方法。

過(guò)流檢測(cè)

圖1：過(guò)流檢測(cè)電路原理

過(guò)流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)原理圖如圖1所示，在功率放大電路的IGBT的供電主回路中，串行安裝電流互感器，電流互感器實(shí)時(shí)采樣并輸出通過(guò)IGBT的直流電流值；采樣值經(jīng)取樣電阻，將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，并送至比較器輸入端，比較器的門限電壓通過(guò)電位器RP來(lái)調(diào)整和設(shè)定（實(shí)際工程中，設(shè)定的值可以通過(guò)預(yù)先計(jì)算或經(jīng)試驗(yàn)得到）。

這樣，取樣電阻上的電壓和門限電壓通過(guò)比較器比較；當(dāng)檢測(cè)到直流電源“過(guò)流”時(shí)，即過(guò)流信號(hào)在取樣電阻RM兩端電壓產(chǎn)生超過(guò)預(yù)先設(shè)置門限電壓上限值，電壓比較器響應(yīng)動(dòng)作，輸出高電平，此電平信號(hào)觸發(fā)可控硅Q1的導(dǎo)通，則與可控硅的陰極串聯(lián)的電阻R2節(jié)點(diǎn)處將輸出電平信號(hào)，此信號(hào)處于持續(xù)鎖定狀態(tài)，此電平信號(hào)（即過(guò)流輸出信號(hào)響應(yīng)動(dòng)作）輸出給IGBT的信號(hào)驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)板立即閉鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出，這樣IGBT被斷開(kāi)，提供給功率放大電路的直流電源被切斷，IGBT器件得到保護(hù)。

另外，當(dāng)過(guò)流保護(hù)電路輸出過(guò)流信號(hào)時(shí)，LED導(dǎo)通發(fā)光，指示過(guò)流信號(hào)檢出；待確定IGBT功率放大電路的過(guò)流狀態(tài)消失，則可以通過(guò)外部控制將開(kāi)關(guān)S閉合，可控硅復(fù)位，將IGBT驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出鎖定電平信號(hào)撤銷。

針對(duì)IGBT進(jìn)行保護(hù)的方法不止一種，文中介紹的采用過(guò)流檢測(cè)的方式來(lái)進(jìn)行保護(hù)。在接下來(lái)的文章中，小編將為大家?guī)?lái)更多與IGBT功率放大電路有關(guān)的保護(hù)內(nèi)容，感興趣的朋友記得隨時(shí)關(guān)注電源網(wǎng)的文章更新哦。