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Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動器解決方案

Transphorm FET 使用簡單的半橋柵極驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 99% 的效率, 驗(yàn)證了在超過 1 kW 的寬功率范圍內(nèi)具有成本效益的設(shè)計方案
2023-06-16 13:30 來源:Transphorm 編輯:電源網(wǎng)

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強(qiáng)了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。

不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperGaN® FET由于可以與市售的驅(qū)動器搭配使用,更易于驅(qū)動,因此可提升客戶使用Transphorm器件的成本優(yōu)勢。本次發(fā)布的新款解決方案采用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅(qū)動器,在不影響 GaN FET 或系統(tǒng)性能的情況下,進(jìn)一步降低了系統(tǒng)總成本。

Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展和市場營銷高級副總裁Philip Zuk表示:“我們的常關(guān)型氮化鎵平臺能夠與業(yè)界熟知的市售驅(qū)動器配合使用,更適合市場應(yīng)用,也更受市場歡迎。能夠根據(jù)需要來選定驅(qū)動器,對客戶來說是一個非常重要的優(yōu)勢??蛻艨梢詾椴煌阅軆?yōu)勢權(quán)重的設(shè)計挑選相應(yīng)的驅(qū)動,從而更好地控制電力系統(tǒng)的成本。這對價格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能,采用我們的氮化鎵器件,客戶可以根據(jù)最終結(jié)果來挑選BOM,從而以極佳的成本效益實(shí)現(xiàn)所需的性能。”

Transphorm還推薦各種其它驅(qū)動器,這些驅(qū)動具有高額定隔離電壓(控制至輸出的驅(qū)動信號)、短延遲、快速開啟/關(guān)斷、以及可編程死區(qū)時間等等優(yōu)點(diǎn),非常適合較高功率的應(yīng)用。

電源適配器、電竟筆記本電腦充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應(yīng)用對價格非常敏感,這些產(chǎn)品中的電源系統(tǒng)通常不需要類似安全隔離這樣的先進(jìn)功能,使用高階的驅(qū)動器可能導(dǎo)致BOM成本不必要升高。

性能分析

該半橋柵極驅(qū)動器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進(jìn)行測試??捎糜跇蚴酵?fù)浣Y(jié)構(gòu),如諧振半橋、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位反激式電路。


測試結(jié)果表明,無論是否使用散熱器或強(qiáng)制空氣進(jìn)行冷卻,該低成本的驅(qū)動解決方案在低于/等于150kHz 的開關(guān)頻率下均運(yùn)行良好。此解決方案最終在選定的配置中實(shí)現(xiàn)了接近 99% 的效率。

獲取應(yīng)用指南

如需了解有關(guān)上述解決方案的更多詳情,請下載Transphorm應(yīng)用指南AN0014 : 『面向中低功率 GaN FET 應(yīng)用的低成本、高密度、高電壓硅驅(qū)動器(Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications)。

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一,持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng),在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進(jìn)行創(chuàng)新:設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。如需了解更多信息,請訪問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關(guān)注我們。 

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