中國(guó)上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。

與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的漏-源額定電壓為650V，而ROHM新產(chǎn)品則達(dá)到750V。因此，即使考慮到浪涌電壓等因素仍可抑制柵極電阻，從而有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。

產(chǎn)品陣容中包括13mΩ至65mΩ導(dǎo)通電阻的共6款機(jī)型的產(chǎn)品，并已于2025年9月開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：5,500日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開(kāi)始電商銷(xiāo)售，從Ameya360和Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。另外，ROHM官網(wǎng)還提供6款新產(chǎn)品的仿真模型，助力客戶快速推進(jìn)電路設(shè)計(jì)。

＜開(kāi)發(fā)背景＞

在AI服務(wù)器和小型光伏逆變器等應(yīng)用中，功率呈日益提高的趨勢(shì)，同時(shí)，與之相矛盾的小型化需求也與日俱增，這就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特別是被稱(chēng)為“卡片式”的超薄電源，其圖騰柱PFC電路*1需要滿足厚度4mm以下的嚴(yán)苛要求。為滿足這些市場(chǎng)需求，ROHM開(kāi)發(fā)出厚度僅為2.3mm、遠(yuǎn)低于以往封裝產(chǎn)品4.5mm的TOLL封裝SiC MOSFET。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

?工業(yè)設(shè)備：AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等電源、光伏逆變器、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）

?消費(fèi)電子：一般電源

＜電商銷(xiāo)售信息＞

電商平臺(tái) Ameya360、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

（開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2025年9月起逐步發(fā)售）

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1） 圖騰柱型PFC電路

一種高效率的功率因數(shù)校正電路方式，通過(guò)采用MOSFET作為整流器件來(lái)降低二極管損耗。通過(guò)采用SiC MOSFET，可實(shí)現(xiàn)高耐壓、高效率及支持高溫運(yùn)行的電源。

＜關(guān)于“EcoSiC™”品牌＞

EcoSiC™是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開(kāi)發(fā)SiC產(chǎn)品升級(jí)所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過(guò)程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進(jìn)企業(yè)的地位。