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  • InnoSwitch-EP——集成了MOSFET、同步整流和反饋功能的離線式 恒壓/恒流(CV/CC)反激式開(kāi)關(guān)IC

InnoSwitch-EP——集成了MOSFET、同步整流和反饋功能的離線式 恒壓/恒流(CV/CC)反激式開(kāi)關(guān)IC

InnoSwitch-EP

集成了MOSFET、同步整流和反饋功能的離線式 恒壓/恒流(CV/CC)反激式開(kāi)關(guān)IC


數(shù)據(jù)手冊(cè)：

innoswitch-ep_family_datasheet.pdf


產(chǎn)品詳情：

InnoSwitch?-EP系列IC可極大簡(jiǎn)化低壓高電流電源的開(kāi)發(fā)和制造，尤其是那些采用緊湊外殼或需要滿足高效率要求的電源。InnoSwitch-EP的架構(gòu)極具革新性，因?yàn)樵撈骷瑫r(shí)將初級(jí)和次級(jí)控制器以及檢測(cè)元件和安全相關(guān)反饋機(jī)制集成到了單個(gè)IC中。

由于元件間距更為緊湊并且創(chuàng)新地采用了集成通訊鏈路，因此能夠?qū)Υ渭?jí)側(cè)同步整流MOSFET進(jìn)行精確控制以及對(duì)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化，從而在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率。此外，鏈路的最低DC偏置要求使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)低于10 mW的空載功耗，從而獲得最大待機(jī)效率。

產(chǎn)品特色

高度集成，外形緊湊

  • 集成了反激式控制器、725 V / 900 V MOSFET、次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器
  • 帶HIPOT隔離保護(hù)的FluxLink?集成反饋鏈路
  • 優(yōu)異的恒壓(CV)精度，不受變壓器設(shè)計(jì)或外圍元件的影響
  • 采用加權(quán)SSR反饋和同步FET，提供出色的多路輸出交叉調(diào)節(jié)

EcoSmart?– 高效節(jié)能

  • 在230 VAC下空載功耗<10 mW（由變壓器偏置繞組供電）
  • 輕松滿足全球所有能效標(biāo)準(zhǔn)

先進(jìn)的保護(hù)/安全特性

  • 初級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)
  • 次級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)沖箝位
  • 次級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)流保護(hù)(OCP)，輸出電壓降至零
  • 遲滯熱關(guān)斷保護(hù)
  • 采用精確的電壓緩升/跌落保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)，提供輸入電壓監(jiān)測(cè)

完全符合安全及法規(guī)要求

  • 在相當(dāng)于6 kV DC/1秒條件下通過(guò)100%生產(chǎn)HIPOT合規(guī)性測(cè)試
  • 加強(qiáng)絕緣
  • 隔離電壓 >3,500 VAC for INN26xx series, >4,000 VAC for INN2904
  • 通過(guò)UL1577和TUV (EN60950)安全認(rèn)證
  • 符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)標(biāo)準(zhǔn)

綠色封裝

  • 無(wú)鹵素且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

  • 家電、工業(yè)控制及智能照明


輸出功率：

QQ截圖20160801135254

Notes:

  1. 最小連續(xù)輸出功率是在典型的特定尺寸無(wú)風(fēng)冷密閉適配器中、環(huán)境溫度為40°C的條件下測(cè)量得到的。最大輸出功率取決于設(shè)計(jì)。前提條件是封裝溫度必須< = 125°C。
  2. 最小峰值功率。
  3. 封裝：K: eSOP-R16B。
產(chǎn)品圖片：


全部回復(fù)(28)
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2016-08-01 14:27
離線式的就是隔離的！關(guān)鍵就是有同步整流功能就比較強(qiáng)大了，做出來(lái)的電源效率一定很高。
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tanb006
LV.10
3
2016-08-03 09:32

是725V還是900V耐壓的MOS?。?

PDF一直下載不下來(lái)，看不到詳情。

做高壓900V的話，功率還能進(jìn)一步提升。很強(qiáng)大。

725V其實(shí)和650V沒(méi)多大區(qū)別了。

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fordfiash
LV.9
4
2016-08-03 16:55
@tanb006
是725V還是900V耐壓的MOS??？PDF一直下載不下來(lái)，看不到詳情。做高壓900V的話，功率還能進(jìn)一步提升。很強(qiáng)大。725V其實(shí)和650V沒(méi)多大區(qū)別了。
是725v的耐壓，這個(gè)片子肯定做不到900v，封裝和InnoSwitch-CH倒是一樣的
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tanb006
LV.10
5
2016-08-05 14:48

電源網(wǎng)能申請(qǐng)樣片不？

有沒(méi)有活動(dòng)弄幾個(gè)樣片，大家一起測(cè)試下，更有助于推廣新產(chǎn)品哈。

我倒是對(duì)這芯片很有興趣的。

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gxg1122
LV.10
6
2016-08-05 20:56
@tanb006
電源網(wǎng)能申請(qǐng)樣片不？有沒(méi)有活動(dòng)弄幾個(gè)樣片，大家一起測(cè)試下，更有助于推廣新產(chǎn)品哈。我倒是對(duì)這芯片很有興趣的。
發(fā)現(xiàn)pi現(xiàn)在新片子都是這種封裝，比較獨(dú)特。
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truim333
LV.9
7
2016-08-06 13:55
@fordfiash
是725v的耐壓，這個(gè)片子肯定做不到900v，封裝和InnoSwitch-CH倒是一樣的
InnoSwitch芯片供電電流中由MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪音的影響
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2016-08-08 23:20
InnoSwitch在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率，功耗也比較低。
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2016-11-15 21:21
@眼睛里的海
InnoSwitch在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率，功耗也比較低。
PI獨(dú)特
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2016-11-30 14:19
很好奇，初級(jí)與次級(jí)之間怎么做到隔離的？
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2016-12-26 13:32
@gongchangsheng
很好奇，初級(jí)與次級(jí)之間怎么做到隔離的？
牛逼啊，電源引領(lǐng)者
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zz052025
LV.9
12
2016-12-28 23:00
@電源芯茂
牛逼啊，電源引領(lǐng)者
PI，集大成者了，哈哈。
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erecing
LV.9
13
2017-01-03 23:09
@gongchangsheng
很好奇，初級(jí)與次級(jí)之間怎么做到隔離的？
隔離本身很簡(jiǎn)單啊，主要是pcb設(shè)計(jì)布局的問(wèn)題，按照安全距離設(shè)計(jì)就可以保證
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erecing
LV.9
14
2017-01-03 23:11
@tanb006
是725V還是900V耐壓的MOS啊？PDF一直下載不下來(lái)，看不到詳情。做高壓900V的話，功率還能進(jìn)一步提升。很強(qiáng)大。725V其實(shí)和650V沒(méi)多大區(qū)別了。
這兩種耐壓值的mosfet都有了，pi就是專(zhuān)門(mén)為高壓出的900v新產(chǎn)品
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fjfhjmh
LV.9
15
2017-01-04 15:42
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tabing_dt
LV.10
16
2017-01-06 07:34
@erecing
這兩種耐壓值的mosfet都有了，pi就是專(zhuān)門(mén)為高壓出的900v新產(chǎn)品
InnoSwitch-EP驅(qū)動(dòng)信號(hào)可驅(qū)動(dòng)多路輸出的SR-FET同步整流可提供出色的交叉調(diào)整率跟提高效率。
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tabing_dt
LV.10
17
2017-01-06 07:34
@gongchangsheng
很好奇，初級(jí)與次級(jí)之間怎么做到隔離的？
InnoSwitch采用了特有的FluxLink技術(shù)，利用芯片內(nèi)部磁性電感技術(shù)進(jìn)行隔離與通信，起到了光耦的作用。隔離部分集成在芯片內(nèi)部了。
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fjfhjmh
LV.9
18
2017-01-06 08:49
@truim333
InnoSwitch芯片供電電流中由MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪音的影響
 新產(chǎn)品哈
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GCSLQQ
LV.1
19
2017-01-07 14:18
好厲害哈，簡(jiǎn)化了好多
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海怒
LV.2
20
2017-01-10 08:20
好東西，夠強(qiáng)大
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楊德金
LV.1
21
2017-01-10 18:57

好好學(xué)習(xí)啊

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2017-01-14 09:22
@楊德金
好好學(xué)習(xí)啊
學(xué)習(xí)了
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tabing_dt
LV.10
23
2017-01-16 10:45
@fordfiash
是725v的耐壓，這個(gè)片子肯定做不到900v，封裝和InnoSwitch-CH倒是一樣的
InnoSwitch-EP里有一款I(lǐng)NK2904芯片內(nèi)部是集成了900V的開(kāi)關(guān)MOS管。
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trllgh
LV.10
24
2017-02-06 17:49
@fordfiash
是725v的耐壓，這個(gè)片子肯定做不到900v，封裝和InnoSwitch-CH倒是一樣的
InnoSwitch-EP這個(gè)片子為什么說(shuō)做不到900V的耐壓呢？INNK2904開(kāi)關(guān)管就是900V的耐壓呀。
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trllgh
LV.10
25
2017-02-06 17:51
@tabing_dt
InnoSwitch-EP驅(qū)動(dòng)信號(hào)可驅(qū)動(dòng)多路輸出的SR-FET同步整流可提供出色的交叉調(diào)整率跟提高效率。
InnoSwitch-EP提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率的同時(shí)，還提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。
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lifeHORSE
LV.2
26
2017-03-02 10:03
@愛(ài)相隨_b
學(xué)習(xí)了
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wengnaibing
LV.9
27
2017-03-03 16:35
@gongchangsheng
很好奇，初級(jí)與次級(jí)之間怎么做到隔離的？
FluxLink技術(shù)是類(lèi)似電磁耦合的方式進(jìn)行信號(hào)傳輸，但是沒(méi)有采用線圈。
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tabing_dt
LV.10
28
2017-03-03 16:47
@wengnaibing
FluxLink技術(shù)是類(lèi)似電磁耦合的方式進(jìn)行信號(hào)傳輸，但是沒(méi)有采用線圈。
這種控制方式也有一大優(yōu)點(diǎn)，就是使電源芯片對(duì)外部元件的包容性更大，不用再考慮電阻、電容等器件的匹配問(wèn)題。
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wayhe
LV.4
29
2017-11-06 09:09
這個(gè)IC恒流怎么搞？我一直沒(méi)看懂。是要在Is到GND之間并聯(lián)電阻嗎？
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