兩路輸出的電源開發(fā)方案，需要注意產(chǎn)品的每路輸出穩(wěn)定，避免互相干擾。

TOPSwitch-JX系列芯片的MOSFET額定電壓高至725V,功率范圍為10W～245W。

如果設(shè)計(jì)的電源輸出功率工作于其上限功率，要保持良好的散熱條件。

TOPSwitch系列器件可在降壓型、升壓型、正激和反激式功率變換電路中使用.

全開關(guān)頻率一般選擇為132 kHz，這使變壓器尺寸最小且EMI頻率低于150 kHz。

一般電源設(shè)計(jì)的輸出功率只能設(shè)計(jì)到規(guī)格書規(guī)定的80%左右，保留一定的余量。

頻率引腳與控制腳短接時(shí)，全開關(guān)頻率降至66 kHz，看要求選擇工作頻率。

TOP265VG集成了低電容MOSFET，且具有頻率抖動(dòng)特性，能夠在不影響效率和EMI的情況下提高開關(guān)頻率.

為使電源得EMI電平更低，全頻PWM模式下，進(jìn)行頻率調(diào)制。

132kHz的開關(guān)頻率可減小變壓器的尺寸，從而減少成本，此外還有66 kHz頻率選項(xiàng)。

當(dāng)進(jìn)入固定漏極峰值電流的變頻模式后，頻率調(diào)制將關(guān)閉。

像這種小功率電源，如果增加精密基準(zhǔn)TL431,可以使輸出穩(wěn)壓精度和負(fù)載調(diào)整率都能獲得較高的精度。

TOP264VG通過(guò)調(diào)整MOSFET的占空比就能夠調(diào)節(jié)輸出，占空比由控制引腳的電流決定。

因?yàn)閮?nèi)置mos，初級(jí)電流比如不能太大，所以在90VAc輸入時(shí)，mos的散熱是怎么優(yōu)化的？

集成MOS的方案，EMI問(wèn)題好處理嗎？

多路輸出最重要是交叉調(diào)節(jié)問(wèn)題，避免出現(xiàn)一路帶載另一路電壓飄高

12V/1A只有0.06V的紋波~~~一般的反激電源還是不容易達(dá)到，除了要考慮控制算法以外，輸出電容的使用、PCB走線，甚至于變壓器的繞制都會(huì)影響紋波，不知道圖示電源的輸出噪聲怎么樣。

電源開發(fā)余量肯定要充足，不同的應(yīng)用環(huán)境要求不一樣，適應(yīng)性要高。

MOS管在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，根據(jù)總功率損耗和MOS管的熱阻可以計(jì)算出MOS管的溫升。

MOS管的工作溫度可以用MOS管損耗乘以MOS管溫升系數(shù)，來(lái)計(jì)算結(jié)溫，開關(guān)管損耗主要由開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗組成，散熱材料可以用鋁散熱器，一般都?jí)蛴昧恕?/p>

散熱要好，也可以從結(jié)構(gòu)上做一些設(shè)計(jì)，增加散熱器的散熱面積，比如齒狀。

改變控制器的開關(guān)頻率使得開關(guān)變壓器的磁損耗達(dá)到最小，以提高電源的轉(zhuǎn)換效率

采用多模式工作，可以優(yōu)化和提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的電源效率

傳導(dǎo)干擾信號(hào)僅在橋堆二極管導(dǎo)通時(shí)才會(huì)加到頻譜分析儀或接受機(jī)的檢測(cè)器上

器件采用多模式控制算法，可提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率

電流限流狀態(tài)調(diào)節(jié)器在中輕度負(fù)載條件下以非連續(xù)方式降低電流限流閾值

多路輸出電源普遍采用針對(duì)一路輸出進(jìn)行閉環(huán)的PWM控制方式，而其他的輔助輸出采用間接穩(wěn)壓方式。

由于只對(duì)主輸出進(jìn)行閉環(huán)控制，占空比的改變對(duì)輔助輸出的負(fù)載影響較大，尤其是從輕載到滿載變化時(shí)，交叉調(diào)節(jié)的性能變差（通常>5%）。

如果對(duì)未閉環(huán)的輔助輸出進(jìn)行二次穩(wěn)壓（如線性穩(wěn)壓），則電路復(fù)雜，效率降低。

對(duì)于兩路輸出的模塊，大多采用正負(fù)電壓聯(lián)合采樣技術(shù)，但對(duì)于負(fù)載不對(duì)稱的用電環(huán)境下交叉調(diào)節(jié)性能變差