整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的效率都比較高，支持寬壓輸入高效輸出。

適合低成本的開發(fā)設(shè)計(jì)方案，電路也比較簡(jiǎn)單，調(diào)試批量生產(chǎn)容易；

tinyswitch-4有三個(gè)電流限流點(diǎn)，即降低的、標(biāo)準(zhǔn)的、提高的三個(gè)選擇。0.1uf,1uf,10uf.

這樣設(shè)計(jì)電路的時(shí)候相鄰產(chǎn)品之間相互替換就不重新畫板了，節(jié)省開發(fā)時(shí)間。

tinyswitch采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，集成度高，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間擴(kuò)展，頻率抖動(dòng)等特點(diǎn)。

和其它集成器件相比，可以省掉大量外圍器件，外圍電路簡(jiǎn)單、可靠，綜合成本更低。

電路如果采用偏置繞組，不僅可以降低功耗，還可以利用IC的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)輸出OVP檢測(cè)功能。

在輕載狀態(tài)下，當(dāng)芯片的開關(guān)頻率有可能進(jìn)入音頻范圍內(nèi)時(shí)，流限狀態(tài)調(diào)節(jié)器會(huì)以非連續(xù)方式降低流限。

tinyswitch-4不用偏置繞組也可以工作，節(jié)省成本，但是待機(jī)功耗會(huì)比較大。

如果芯片具有更高的工作頻率，可以降低初級(jí)繞組的圈數(shù)，更容易滿足常用的電壓比例要求。

產(chǎn)生噪音的原因很多，可能使變壓器，也有可能使環(huán)路沒設(shè)計(jì)好。

內(nèi)部MOSFET關(guān)斷期間會(huì)為BP/M引腳的電容充電，從而減少了芯片的熱耗散，降低整個(gè)負(fù)載條件下的功耗。

在一個(gè)短骨架上繞制所有的圈數(shù)，從而降低銅的使用量及相應(yīng)的成本。

通過BP/M引腳還可以實(shí)現(xiàn)輸出電壓保護(hù)功能，當(dāng)出現(xiàn)開環(huán)故障、偏置電壓超過閾值時(shí)，會(huì)起動(dòng)激活輸出過壓鎖定關(guān)斷保護(hù)。

較低的電流限流值會(huì)使開關(guān)頻率保持在音頻范圍之外，這樣就可以降低變壓器的磁通密度減輕音頻噪音。

滿負(fù)載效率可以達(dá)到0.85，還是很不錯(cuò)了，一般小功率反激效率也就七十多一點(diǎn)

該方案實(shí)現(xiàn)的最大功率等級(jí)是多少

在增加輸出功率的同時(shí)，降低了芯片的功耗，

每個(gè)產(chǎn)品都具有三個(gè)電流限流值供選擇，而無需使用額外的ic引腳或外部元件，也有利于芯片互換。

空載時(shí)芯片的功耗一般低于50mW,效率具有優(yōu)勢(shì)

這樣的確提高了變比，利于功率增大。不同的方案設(shè)計(jì)變壓器工藝不同。

對(duì)于批量走量的方案是比較好的，這個(gè)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，調(diào)測(cè)容易。

開關(guān)頻率高了， 好處是可以用小電感，但是同時(shí)Buck的開關(guān)損耗和電感的遲滯和渦流損耗也變大了，所以要折中。

考慮頻率高了， 環(huán)路的帶寬適當(dāng)變高， 系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)會(huì)好， 注意環(huán)路穩(wěn)定。

另外有的系統(tǒng)對(duì)某些頻率的干擾敏感， 我們需要選擇適合開關(guān)頻率，避開敏感頻段。

IC具有可選擇的電流限流點(diǎn)

為了獲得精確的輸入過壓閾值電壓以及良好的效率、穩(wěn)壓性能和穩(wěn)定 性，應(yīng)盡量減小變壓器漏感

電感變化對(duì)恒流特性無任何影響，這能使恒流特性具有非常嚴(yán)格的容差，這在單級(jí)轉(zhuǎn)換器中非常突出。

在較輕的負(fù)載 的多個(gè)次級(jí)繞組可以以多種不同的方法進(jìn)行組合