TNY286是PITinySwitch-4系列的出色I(xiàn)C，高度集成的單片離線開(kāi)關(guān)，用于通用輸入電壓范圍85 VAC - 265 VAC電源設(shè)計(jì)應(yīng)用。產(chǎn)品芯片具有線路補(bǔ)償過(guò)載保護(hù)，準(zhǔn)時(shí)延伸，閉鎖輸出過(guò)壓停機(jī)，可選限流和線路欠壓等創(chuàng)新功能。極大地簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了工程時(shí)間和系統(tǒng)成本，使工程師能夠快速選擇關(guān)鍵部件，并完成合適的變壓器設(shè)計(jì)。
反激式電源的設(shè)計(jì)涉及一個(gè)高度迭代的過(guò)程，必須考慮和調(diào)整幾個(gè)變量，以優(yōu)化設(shè)計(jì)。分步設(shè)計(jì)程序是一種設(shè)計(jì)方法，在實(shí)現(xiàn)層面上，給定的系統(tǒng)需求一直到完成所需的反激電源的使用。
連接芯片管腳BP/M的電容容值不同，實(shí)現(xiàn)限流作用不同。
如果選擇了0.1 μ F旁路電容器，選擇高頻陶瓷類型(例如X7R電介質(zhì))。必須直接放置在BP/M和SOURCE引腳之間，以防止噪聲進(jìn)入。如果選擇1 μ F或10 μ F旁路電容，建議在BP/M和BP/M之間放置0.1 μ F濾波電容高頻解耦源引腳。為確保正確的限流，建議僅使用標(biāo)稱值為0.1µF / 1µF / 10µF的電容器。此外，BP/M電容在目標(biāo)應(yīng)用環(huán)境溫度范圍內(nèi)的公差應(yīng)更接近表6中所示的限值。所有的電解電容器都可以使用;表面貼裝多層陶瓷電容器通常與雙面板一起使用，因?yàn)樗鼈兛梢允闺娙萜鞣胖迷贗C附近。推薦使用額定10v的表面貼裝多層陶瓷X7R電容器，尺寸為0805。電容選取的容差要求：
4.7µF (X7R和X5R類型)電容隨外加電壓的變化曲線：
同時(shí)設(shè)計(jì)的時(shí)候欠壓保護(hù)功能，線路欠壓阻止電源啟動(dòng)，直到輸入電壓高于設(shè)定的水平。在上電期間或在自動(dòng)重啟中禁用功率MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)，進(jìn)入EN/UV引腳的電流必須超過(guò)25µA才能啟動(dòng)開(kāi)關(guān)。由于從直流軌道到EN/UV引腳的電阻用于檢測(cè)輸入電壓，導(dǎo)致電流進(jìn)入電源電壓。EN/UV超過(guò)25 μ A定義欠壓閾值。在上電期間(當(dāng)線路欠壓條件仍然存在時(shí))，BP/M引腳的電壓保持在4.9 V。當(dāng)線路欠壓鎖定被釋放時(shí)，旁路或BP/M引腳電壓將從4.9 V上升到5.85 V。
EN/UV原理圖和啟動(dòng)波形與UV：
