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iNN3379設(shè)計(jì)的65w雙USB-C接口墻壁用智能家居電源

 INN3379芯片集成電路和英集的 IP2738開(kāi)發(fā)的雙路 USB- PD控制電源，輸出功率65w，雙USB PD 3.0電源。高功率密度和效率，InnoSwitch3-Pro控制器的高集成度提供卓越的性能。

利用INn3379開(kāi)發(fā)智能家用雙Type-C接口的電源，支持90vac - 132vac輸入，65 W功率端口，支持5 V / 3A、9 V / 3A, 12 V / 3A, 15 V / 3A, 20 V / 3.25 A雙端口模式，同時(shí)電源端口1:5 V / 3A、9 V / 3A, 12 V / 3A, 15 V / 3A, 20 V / 2.25 A端口,端口2:5 V / 3A、9 V / 2.22 A, 12 V / 1.66 A, 15 V / 1.33 A、20 V / 1 A。通過(guò)監(jiān)測(cè)電阻R12上的壓降來(lái)檢測(cè)輸出電流。電阻r13和R14為感測(cè)輸出電流增加一個(gè)偏置，以提供一個(gè)正斜率的cc特性。由此產(chǎn)生的電流測(cè)量用去耦電容c11濾波，并通過(guò)is和次級(jí)接地引腳進(jìn)行監(jiān)測(cè)。內(nèi)部電流檢測(cè)閾值，可通過(guò)I2C接口編程至32mV，用于減少損耗。

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k6666
LV.9
2
2024-08-05 15:17

INN3379芯片采用FluxLink 通信技術(shù)，無(wú)需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進(jìn)行反饋控制。

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飛翔2004
LV.10
3
2024-08-08 16:42

InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無(wú)損檢測(cè)電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測(cè)能夠降低損耗，提升效率。

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trllgh
LV.10
4
2024-08-10 08:47

采用PowiGaN技術(shù)，內(nèi)置PWM控制器、高壓MOS、同步整流控制器等，集成度非常高。

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2024-08-12 11:23
@trllgh
采用PowiGaN技術(shù)，內(nèi)置PWM控制器、高壓MOS、同步整流控制器等，集成度非常高。

并且采用數(shù)字總線控制調(diào)壓。寬電壓范圍條件下，密閉外殼內(nèi)可以輸出65W功率。

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spowergg
LV.10
6
2024-08-20 08:43
@飛翔2004
InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無(wú)損檢測(cè)電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測(cè)能夠降低損耗，提升效率。

同時(shí)為了讓每個(gè)器件達(dá)到最佳的性能，該芯片還集成了FluxLink技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的實(shí)時(shí)通信。

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xxbw6868
LV.10
7
2024-08-23 14:05
@大海的兒子
并且采用數(shù)字總線控制調(diào)壓。寬電壓范圍條件下，密閉外殼內(nèi)可以輸出65W功率。

內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率。

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2024-08-23 14:08

這個(gè)信號(hào)源的傳輸效率會(huì)一直保持穩(wěn)定么

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2024-08-23 14:44

雙USB接口的信號(hào)傳輸曲線會(huì)發(fā)生相互干擾么

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tanb006
LV.10
10
2024-08-25 14:04

原來(lái)是二合一電源。我以為一只就輸出65瓦呢

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htwdb
LV.8
11
2024-08-25 21:36

此方案性價(jià)比非常不錯(cuò)，墻壁多路USB輸出電源實(shí)用性非常高，這樣可以減少智能設(shè)備適配器的應(yīng)用，節(jié)省應(yīng)用空間。

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XHH9062
LV.9
12
2024-08-25 23:58

看起來(lái)比較復(fù)雜

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2024-08-26 23:02

看點(diǎn)路就知道非常可靠

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沈夜
LV.8
14
2024-08-28 01:23

“如何優(yōu)化INN3379芯片在雙路USB PD控制電源中的熱管理和效率？”

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dy-mb2U9pBf
LV.8
15
2024-08-29 21:20

INN3379和IP2738開(kāi)發(fā)的雙路 USB- PD控制電源，輸出功率65w，雙USB PD 3.0電源。具有高功率密度的特點(diǎn)，適合智能家居的場(chǎng)景。

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飛翔2004
LV.10
16
2024-09-04 16:19
@xxbw6868
內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率。

氮化鎵功率器件高頻率低損耗的優(yōu)勢(shì)，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

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spowergg
LV.10
17
2024-09-07 18:41
@飛翔2004
氮化鎵功率器件高頻率低損耗的優(yōu)勢(shì)，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

當(dāng)輸出電流低于CC閾值時(shí)，轉(zhuǎn)換器以恒定電壓模式工作。 輸出電壓由INN3379的VOUT引腳監(jiān)控。 

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xxbw6868
LV.10
18
2024-09-10 15:41
@spowergg
當(dāng)輸出電流低于CC閾值時(shí)，轉(zhuǎn)換器以恒定電壓模式工作。輸出電壓由INN3379的VOUT引腳監(jiān)控。 

與電流調(diào)節(jié)類似，輸出電壓也與通過(guò)I2C接口設(shè)置的內(nèi)部電壓閾值進(jìn)行比較，IC內(nèi)部的控制器通過(guò)控制開(kāi)關(guān)脈沖的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓。

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trllgh
LV.10
19
2024-09-12 08:32
@spowergg
同時(shí)為了讓每個(gè)器件達(dá)到最佳的性能，該芯片還集成了FluxLink技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的實(shí)時(shí)通信。

通過(guò)次級(jí)控制器控制原邊的開(kāi)關(guān)，最大程度的控制同步整流MOS導(dǎo)通時(shí)間，實(shí)現(xiàn)最高效率。

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方笑塵MK
LV.8
20
2024-09-12 11:51

適當(dāng)?shù)钠每梢愿纳祈憫?yīng)的線性，使得輸出信號(hào)與輸入電流之間的關(guān)系更加接近理想的直線

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xxbw6868
LV.10
21
2024-10-11 11:56
@trllgh
通過(guò)次級(jí)控制器控制原邊的開(kāi)關(guān)，最大程度的控制同步整流MOS導(dǎo)通時(shí)間，實(shí)現(xiàn)最高效率。

在應(yīng)用過(guò)程中只需要搭配一些必要的被動(dòng)元器件和協(xié)議芯片，即可完成高性能快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。

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飛翔2004
LV.10
22
2024-11-06 13:49

IP2738支持QC5/QC4+和USB PD3.0/3.1快充協(xié)議，采用數(shù)傳與PI INN3379C通訊，調(diào)節(jié)輸出電壓。

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spowergg
LV.10
23
2024-11-09 18:35
@飛翔2004
IP2738支持QC5/QC4+和USBPD3.0/3.1快充協(xié)議，采用數(shù)傳與PIINN3379C通訊，調(diào)節(jié)輸出電壓。

對(duì)于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

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旻旻旻
LV.8
24
2024-11-09 22:40

通過(guò)I2C接口，系統(tǒng)可以動(dòng)態(tài)地調(diào)整電流檢測(cè)閾值，以適應(yīng)不同的工作條件和電池狀態(tài)

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2024-12-09 08:52
@spowergg
對(duì)于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

而對(duì)于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片

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spowergg
LV.10
26
06-18 13:31
@大海的兒子
而對(duì)于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片

GaN晶體管硅晶體管電源的效率更高、溫度更低、尺寸更小，率先實(shí)現(xiàn)大功率電源的無(wú)散熱片設(shè)計(jì)。

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