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用INN3675C設(shè)計(jì)的12V1.5A的電源

          使用新款I(lǐng)nnoSwitch3-EP 1250V IC時(shí),可以非常放心地明確其設(shè)計(jì)可以工作于1000V的峰值工作電壓,因?yàn)?250V的絕對最大值可以滿足80%的行業(yè)降額標(biāo)準(zhǔn)。這為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,特別是對那些具有挑戰(zhàn)性電網(wǎng)環(huán)境的應(yīng)用尤其重要。因?yàn)樵谶@種環(huán)境下,耐用性是抵御電網(wǎng)波動(dòng)、浪涌以及其他電力擾動(dòng)的重要防御手段。據(jù)新款I(lǐng)C的發(fā)布資料中顯示,甚至其瞬間峰值電壓可以耐受至2200V, 這極大地增加了電源耐受短時(shí)浪涌雷達(dá)沖擊的耐受力。并且具有出色的多路輸出交叉調(diào)整率,適合要求嚴(yán)苛的工業(yè)控制及家電應(yīng)用,同時(shí)可省去光耦器的創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù),具有極高可靠性,外形緊湊且高效,鏈路的最低DC偏置要求使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)低于10 mW的空載功耗,從而獲得最大待機(jī)效率。

            電源為一款18W單路輸出電源設(shè)計(jì)方案,其采用InnoSwitch3-EP系列INN3675C電源芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)寬范圍輸入90Vac-265 Vac,輸出12V1.5A,其滿載時(shí)效率大于88%,空載功耗非常低,在INN3672C的次級(jí)側(cè)提供輸出電壓、輸出電流傳感和驅(qū)動(dòng)至提供同步整流的MOSFET。在該設(shè)計(jì)中,降低漏感可以顯著提高效率,夾層繞組用于將漏電感降低到小于5μH(<磁化電感的2%)??紤]效率和小形狀因數(shù),開關(guān)頻率操作的最佳點(diǎn)在70kHz至80kHz的范圍內(nèi)。AE為60mm2的EQ20變壓器足以使磁芯飽和。該設(shè)計(jì)選擇390mT磁通密度下的最小次級(jí)匝數(shù)。

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04-22 23:18

電路版圖這么 多膠是否會(huì)影響散熱

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04-23 13:13

InnoSwitch3-EP系列集成了該系列額定電壓最高的MOSFET(725V),可提供全面的輸入電壓及負(fù)載保護(hù)。

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04-23 18:45

390mT是一個(gè)相對較高的磁通密度,選擇最小次級(jí)匝數(shù)則是在滿足電壓、電流等要求的前提下,進(jìn)一步優(yōu)化變壓器的設(shè)計(jì),使其更加緊湊。

這個(gè)對于散熱是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),有可能電感過熱導(dǎo)致降額

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tanb006
LV.10
5
04-24 10:30
@地瓜patch
電路版圖這么多膠是否會(huì)影響散熱

它功率本身就不大,熱量通過引腳就傳給PCB了。沒多熱。

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飛翔2004
LV.10
6
04-24 13:05

采用獨(dú)特的FluxLink技術(shù),省去了SSR中光耦等器件,無需后級(jí)穩(wěn)壓電路,可實(shí)現(xiàn)高效率

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trllgh
LV.10
7
04-24 16:17
@大海的兒子
InnoSwitch3-EP系列集成了該系列額定電壓最高的MOSFET(725V),可提供全面的輸入電壓及負(fù)載保護(hù)。

InnoSwitch3-EP在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)表現(xiàn)出卓越的高效能運(yùn)行能力,采用了先進(jìn)的PowiGaN技術(shù)。

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04-24 23:51

    使用新款I(lǐng)nnoSwitch3-EP 1250V IC時(shí),可以非常放心地明確其設(shè)計(jì)可以工作于1000V的峰值工作電壓,因?yàn)?250V的絕對最大值可以滿足80%的行業(yè)降額標(biāo)準(zhǔn)。這為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,特別是對那些具有挑戰(zhàn)性電網(wǎng)環(huán)境的應(yīng)用尤其重要,怎么重要?

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only one
LV.8
9
04-25 00:05

據(jù)新款I(lǐng)C的發(fā)布資料中顯示,甚至其瞬間峰值電壓可以耐受至2200V, 這極大地增加了電源耐受短時(shí)浪涌雷達(dá)沖擊的耐受力。還可以更多嗎?

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dy-XU5vrphW
LV.8
10
04-25 08:17

這個(gè)電源的信號(hào)頻率轉(zhuǎn)換有什么規(guī)律

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dy-XU5vrphW
LV.8
11
04-25 08:17

這個(gè)信號(hào)轉(zhuǎn)換過程有什么規(guī)律

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dy-nmLUWFNr
LV.8
12
04-25 08:27

這個(gè)信號(hào)電源的傳輸效率有哪些變化規(guī)律

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htwdb
LV.8
13
04-25 09:16

低于10 mW的空載功耗確實(shí)對于待機(jī)電源性能是非常不錯(cuò)的,空載功耗還是非常低的

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dy-StTIVH1p
LV.8
14
04-25 11:49

電源傳輸過程中有什么特點(diǎn)

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04-25 22:42

12V的供電方案已經(jīng)非常成熟了

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only one
LV.8
16
04-25 23:59

據(jù)新款I(lǐng)C的發(fā)布資料中顯示,甚至其瞬間峰值電壓可以耐受至2200V, 這極大地增加了電源耐受短時(shí)浪涌雷達(dá)沖擊的耐受力,承受能力這么強(qiáng)

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04-26 00:07

空載功耗非常低,在INN3672C的次級(jí)側(cè)提供輸出電壓、輸出電流傳感和驅(qū)動(dòng)至提供同步整流的MOSFET。同步整流功耗很低

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tanb006
LV.10
18
04-26 14:19

繞的好的話,可以到1%以內(nèi)的漏感。這里2%的要求還是太粗糙了。

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dy-StTIVH1p
LV.8
19
04-26 14:49

怎么樣有效解決信號(hào)傳輸效率

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dy-TMelSvc9
LV.8
20
04-26 15:29

這個(gè)電源系統(tǒng)的信號(hào)傳輸曲線是怎么樣發(fā)生變化

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dy-mb2U9pBf
LV.8
21
04-26 17:41

InnoSwitch3-EP系列INN3675C電源芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)寬范圍電壓輸入,滿載時(shí)效率高,空載功耗非常低。

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千影
LV.6
22
04-27 23:31

請問如何優(yōu)化以提升此電源方案的魯棒性?

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spowergg
LV.10
23
05-12 13:27
@飛翔2004
采用獨(dú)特的FluxLink技術(shù),省去了SSR中光耦等器件,無需后級(jí)穩(wěn)壓電路,可實(shí)現(xiàn)高效率

同步整流的使用使得電源效率比典型整流設(shè)計(jì)高2-3%,因此無需散熱片。

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旻旻旻
LV.8
24
05-14 22:17

在高頻電路中,漏感引起的諧振可能會(huì)干擾電路的正常工作,產(chǎn)生電磁干擾(EMI)

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05-22 22:33

這個(gè)控制器使用了創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù),可省去光耦器

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07-10 14:48
@trllgh
InnoSwitch3-EP在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)表現(xiàn)出卓越的高效能運(yùn)行能力,采用了先進(jìn)的PowiGaN技術(shù)。

即使在沒有散熱器的情況下,也能提供高達(dá)100W的功率輸出。

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黑夜公爵
LV.10
27
07-13 22:40

無箝位技術(shù)只能用在電源功率低于2.5W的電源中使用,大于這個(gè)功率要用吸收電路

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trllgh
LV.10
28
08-06 11:48
@spowergg
同步整流的使用使得電源效率比典型整流設(shè)計(jì)高2-3%,因此無需散熱片。

AC/DC電源分為初級(jí)側(cè)控制(PSR)和次級(jí)側(cè)控制(SSR)兩種結(jié)構(gòu),它們各有利弊:前者結(jié)構(gòu)簡單、具有BOM成本優(yōu)勢

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飛翔2004
LV.10
29
08-09 13:47
@大海的兒子
即使在沒有散熱器的情況下,也能提供高達(dá)100W的功率輸出。

在多路輸出的應(yīng)用當(dāng)中它還具備出色的交叉調(diào)整率性能,可以采用多種方式改善。

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tmpeger
LV.10
30
08-14 22:40

由電容及整流管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流尖峰引起導(dǎo)通的MOSFET提前誤關(guān)斷

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wmqlzy
LV.3
31
08-15 11:08

其滿載時(shí)效率大于88%,這種效率相對其它的產(chǎn)品還是弱了一些。

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