溫度穩(wěn)定性：傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品在高溫下性能會(huì)明顯下降，甚至可能出現(xiàn)熱噪聲、熱失控等問題，限制了其在高溫環(huán)境下的應(yīng)用。PI 寬禁帶產(chǎn)品如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料具有更高的熱導(dǎo)率和熔點(diǎn)，能承受更高的結(jié)溫1。例如，PI 的碳化硅產(chǎn)品可在 200℃及以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作4。相比之下，傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品通常只能在 150℃以下的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
電壓耐受性：傳統(tǒng)產(chǎn)品的耐壓能力有限，當(dāng)電壓超過其額定值時(shí)，容易發(fā)生擊穿、漏電等故障，影響設(shè)備的正常運(yùn)行甚至導(dǎo)致設(shè)備損壞。PI 寬禁帶產(chǎn)品具有更寬的禁帶寬度和更高的擊穿電場強(qiáng)度，能承受更高的電壓1。例如，PI 推出的 1700V 氮化鎵器件，是首個(gè)超過 1250V 的氮化鎵器件，而傳統(tǒng)硅基器件在高壓下效率會(huì)大幅下降，且容易出現(xiàn)絕緣擊穿等問題。
開關(guān)頻率：傳統(tǒng)產(chǎn)品開關(guān)速度相對較慢，在高頻應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗，導(dǎo)致效率降低和發(fā)熱嚴(yán)重，限制了其在高頻電源領(lǐng)域的應(yīng)用。PI 寬禁帶產(chǎn)品的電子飽和遷移速率快，具有更高的開關(guān)頻率4。例如，氮化鎵器件的開關(guān)頻率可達(dá) 1MHz 以上，而傳統(tǒng)硅基器件的開關(guān)頻率通常在幾十 kHz 到幾百 kHz 范圍。高開關(guān)頻率不僅可以提高電源的轉(zhuǎn)換效率，還能減小電源的體積和重量，提高系統(tǒng)的功率密度。
抗輻射能力：在一些特殊應(yīng)用場景，如航空航天、軍事等領(lǐng)域，輻射環(huán)境較為復(fù)雜，傳統(tǒng)產(chǎn)品的性能容易受到輻射的影響，出現(xiàn)錯(cuò)誤動(dòng)作或失效。PI 寬禁帶產(chǎn)品具有較好的抗輻射性能，能在強(qiáng)輻射環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能，降低了系統(tǒng)因輻射而出現(xiàn)故障的風(fēng)險(xiǎn)。
雖然 PI 寬禁帶產(chǎn)品在可靠性方面有諸多提升，但不同應(yīng)用場景對產(chǎn)品的可靠性要求不同，需要根據(jù)具體情況選擇合適的產(chǎn)品。
