I²C確保實現(xiàn)出色的控制,兼容任何微控制器,支持所有的快充協(xié)議，外部也無需額外高壓功率芯片

開關(guān)ic具有強大的750V和900V PowiGaN 主開關(guān)選項，同步整流驅(qū)動器，二次側(cè)傳感以及用于外部MCU的集成3.6V電源。

InnoSwitch5-Pro反激開關(guān)IC是高密度USB PD 3.1擴展功率范圍(EPR)， UFCS和多協(xié)議適配器的理想選擇。

在性能更進一步的同時有效減小適配器尺寸，降低元件成本和制造復(fù)雜性。

INN5476芯片開發(fā)的快充電源，具有全面的保護機制并提供遙測報告功能，可實時向負載端報告電源端硬件故障和各種情況，比如什么情況？

多少瓦的快充？現(xiàn)在100w已經(jīng)不是快充了

如何優(yōu)化反激式開關(guān)IC的集成度與保護機制？

強制在導(dǎo)通之前的電壓降低至零？這是如何實現(xiàn)的？沒有LLC一樣的振蕩，怎么實現(xiàn)成為零電壓？

可以用PIexpert模擬一下

體積還能再小，就像快充頭一樣，可以用空間設(shè)計降低整體電源的尺寸。

如何通過 I²C接口 實現(xiàn)<50μs級的輸出電壓/電流動態(tài)調(diào)整？

支持哪些快充協(xié)議

由于采用了氮化鎵功率開關(guān)，并結(jié)合零電壓開關(guān)技術(shù)以降低功率開關(guān)管的開關(guān)損耗。

反射電壓Vor為次級二極管導(dǎo)通時，變壓器次級電壓反射回初級的電壓

這些集成電路包括一個后期公差偏移，確保精確的輸出恒流(CC)控制超過2%，以支持UFCS協(xié)議。

較高的反射電壓允許在最低電壓時獲得更高的輸出功率

當(dāng)內(nèi)部MOSFET關(guān)閉時，反饋繞組上的電壓是次級繞組電壓的反射

NN5476芯片開發(fā)的快充電源，具有全面的保護機制并提供遙測報告功能，可實時向負載端報告電源端硬件故障和各種情況，與微處理器搭配使用，可以獲得更好的性能

氮化鎵的散熱需求下降，電源體積將會更小，重量更輕，也更便攜，并且由于元件的溫度較低，電源的工作溫度將更低，擁有更長的使用壽命。

控制器具有一個低帶寬、高增益跨導(dǎo)誤差放大器，反相端連接到3.8V的內(nèi)部電壓參考

鎖存復(fù)位的方式是將初級旁路電壓降到復(fù)位閾值電壓以下

整體系統(tǒng)效率可突破 95%，大幅降低能量損耗，直接減少發(fā)熱。

怎么樣設(shè)計快充電源的信號傳輸一直高效穩(wěn)定

INN5476采用次級側(cè)控制方式，這種控制方式在實現(xiàn)多種快充協(xié)議時，內(nèi)部的信號交互和協(xié)議適配機制是怎樣的，怎么確保不同設(shè)備的快充兼容性？

快充電源的最大輸出功耗發(fā)生在什么時間

怎么樣有效解決快充電源的傳輸效率比的問題

零電壓開關(guān)能夠降低功率開關(guān)管損耗，這個是零電壓開通嗎