多半是驅(qū)動(dòng)部分的問題.

請(qǐng)進(jìn)一步解釋下,P-MOSFET是低電平驅(qū)動(dòng),N-MOSFET是高電平驅(qū)動(dòng).這點(diǎn)差別如何允許P-MOSFET能100%打開?能從結(jié)構(gòu)工藝上解釋一下嗎?謝謝!

1.要把高電平把它當(dāng)?shù)碗娖娇?.原則上MOS的DS極就是一個(gè)電阻.我是這樣認(rèn)為的.

請(qǐng)你自己舉個(gè)例子說明一下你的認(rèn)識(shí).

例如國(guó)半的一顆DC/DC controller LM3485, 外接的開關(guān)管是PFET,并在DS中說明可以在100%占空比下工作,使得輸出電壓等于輸入電壓(接近).您可以到國(guó)半的網(wǎng)站上下載這個(gè)DS.當(dāng)然有很多DC/DC regulator是用的NFET,并有最大占空比的限制.現(xiàn)在的問題依然回到開始,怎么解釋PFET可以常開?補(bǔ)充:一般PFET的Rdson是比NFET要大.

PMOS導(dǎo)通的條件是Vg比Vs小;NMOS導(dǎo)通的條件是Vg比Vs大;
一般的FET是接高位電壓部分(Vin+),所以PMOS導(dǎo)通條件容易實(shí)現(xiàn),可達(dá)100%占空比
如果你把NMOS接到低位電壓部分,又能控制它正常開關(guān)的話,NMOS做到100%的占空比也可以
一般的開關(guān)電源電路里,有人這么用么?

樓上的說法我贊同,在High side的位置上用PFET,的確方便驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).PFET的S極接到Vin,驅(qū)動(dòng)電壓能做到比S極電壓低即可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng);如果在High side的位置上用NFET,需要Boot電容做自舉,讓G極電壓高于NFET的S極.如果此時(shí)NFET常開,無法保證Boot電容電壓維持,失去了電容充放電的條件,因此無法保證NFET常開.
如果有不妥的地方請(qǐng)大蝦們指點(diǎn).
謝謝!